Изготовлены и исследованы УФ-фотоприемники на основе природного алмаза 2а с различным содержанием азота. Продемонстрирована возможность реализации как фоторезистивного, так и фотодиодного принципов работы алмазных УФ-фотоприемников. Созданы новые "солнечно-слепые" УФ-фотоприемники, приведены их фотоэлектрические параметры.

Novel UV-photodetectors on the basis of monocrystal diamond of 2A-type with the various concentration of nitrogen are made and investigated. The opportunity of realization as photoresistive (FP-1, FP-2 types of devices), as well as and photodiode (FP-3, FP-4 types of devices) principle of work is shown. Novel "solar-blind" UV-photodetectors (FPA-1, FPY-1) are created. Their photo-electric parameters of photodetectors are resulted.

Создан новый химический сенсор, названный "электронным носом", основанный на матричной полисенсорной структуре. "Электронный нос" содержит 16 газовых моносенсоров, компьютерную программу контроля и математическую программу обработки результатов.

Novel chemical sensor, named electron nose, based on the matrix poly-sensor structure are made. Electron nose containing 16 gas monosensors, the PC controlled system, and required programs for mathematical processing of the data have been elaborated and fabricated.

Ключ. слова: многоэлементный, фотоприемное устройство, алмаз, ультрафиолетовое излучение.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-06

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: первичный преобразователь, микродатчик, давление, ускорение, алмазный материал.
Індекс рубрикатора НБУВ: З264.52

Рубрики:

Вимірювальні перетворювачі

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено методи відбору та сортування алмазів за електрофізичними властивостями сучасними фізичними методами аналізу, технології прецизійного лазерного різання алмазів, їх обробки на основі термохімічних реакцій в газовому середовищі. Створено експериментальну установку для полірування та шліфування алмазних пластин, установку для різання, установку плазмохімічної обробки. Розробленo методики вимірювання шорсткості поверхні оброблених пластин і контролю параметрів шорсткості. Наведено результати експериментів.

Разработаны методы отбора и сортировки алмазов по электрофизическим свойствам современными физическими методами анализа, технологии прецизионной лазерной резки алмазов, их обработки на основе термохимических реакций в газовой среде. Создана экспериментальная установка для полирования и шлифования алмазных пластин, установка для резки, установка плазмохимической обработки. Разработаны методики измерения шероховатости поверхности обработанных пластин и контроля параметров шероховатости. Приведены результаты экспериментов.

The methods of selection and sorting of diamonds according to their physical properties by modern physical methods of the analysis are developed, as well as the technologies of precision laser cutting of diamonds, their processing on a basis of thermochemical reactions in gas environment. The experimental installation for polishing and grinding of diamond plates, installation for slicing, installation for plasma-- chemical processing are created. The techniques of surface roughness measurement of the processed plates and control of roughness parameters are developed. Some experimental results are given.

Разработана модель плавного затвора, достаточно хорошо описывающая работу полевого алмазного СВЧ-транзистора. Используя данную модель можно рассчитать его характеристики по электрофизическим параметрам алмазной структуры с σ-легированным (водородом или бором) слоем и по геометрическим параметрам элементов транзистора. Рассчитанные основные параметры модельного СВЧ-транзистора достаточно хорошо согласуются с опубликованными экспериментальными результатами измерений реальных СВЧ-транзисторов.

Розроблено модель плавного затвору, яка досить добре описує роботу польового алмазного НВЧ-транзистора. Використовуючи дану модель можна розрахувати його характеристики за електрофізичними параметрами алмазної структури з σ-легованим (воднем або бором) шаром та за геометричними параметрами елементів транзистора. Розраховані основні параметри модельного НВЧ-транзистора досить добре узгоджуються з опублікованими експериментальними результатами вимірювань реальних НВЧ-транзисторів.

In this work is shown that fluent shutter model it is enough well describes work field-effect diamond RF-transistors. Using this model, possible to calculate transistor parameters used electronic parameters of the diamond structure with σ-doped (hydrogen or boron) layer and geometric parameter transistor element. Proof, are calculated by us main parameters model RF-transistor, which it is enough close comply with published experimental result of the measurements real RF-transistors.

Исследованы природные кристаллы алмаза типа IIa и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их можно использовать для изготовления СВЧ полевых транзисторов, работающих при комнатной температуре. Алмазные CVD-пленки, легированные бором в процессе роста, также обладают требуемой для изготовления полевых транзисторов подвижностью носителей заряда, однако, вследствие высокой энергии активации бора, требуемая проводимость канала достигается при высокой рабочей температуре.

Досліджено природні кристали алмазу типу IIa та CVD алмазні плівки. Наведено електрофізичні параметри структур, одержаних за різних режимів іонної імплантації бору в кристал і подальшого відпалу. Параметри кристалів з високою концентрацією домішкового азоту вказують на те, що їх можна використовувати для виготовлення НВЧ польових транзисторів, що працюють за кімнатної температури. Алмазні CVD-плівки, леговані бором в процесі росту, також мають необхідну для виготовлення польових транзисторів рухливість носіїв заряду, однак, внаслідок високої енергії активації бору, необхідна провідність досягається за високої робочої температури.

The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impurity density indicate that they can be used for the manufacture of microwave field-effect transistors operating at room temperature. CVD diamond films doped with boron during the growth process also have therequired for MOSFET manufacture carrier mobility. However, due to the high activation energy of boron, the required channel conductivity is achieved at high operating temperatures.