Досліджено властивості вікон сенсорів ІЧ діапазону, що використовуються для фотоприймачів, які працюють за умов жорсткого випромінювання. Досліджено зміну властивостей вікон з кристалів германію, арсеніду галію, антимоніду індію. Показано, що такі зміни залежать від вихідних властивостей та появи структурних дефектів.

Наведено результати досліджень конструктивних дефектів кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (КФЕП) за допомогою методу растрової електронної мікроскопії. Розглянуто модель впливу параметрів технологічного процесу формування антивідбиваючого покриття на інформативні параметри якості та надійності КФЕП. Одержані результати можна використовувати у процесі розробки чи удосконалення технології виробництва КФЕП для підвищення їх якості та надійності.

Висвітлено теорію і практику створення та використання в приладах та інформаційних системах фотовипромінювачів, фотоприймачів, акустоелектронних та акустооптичних сенсорів, датчиків іонізуючих випромінювань та інших виробів сучасної сенсорики. Описано методи одержання та управління властивостями напівпровідникових матеріалів, зокрема, сполук і гетероструктур, нові методи метрології їх параметрів, а також створення на їх основі та основі оптичних і п'єзонапівпровідникових матеріалів опто- і акустоелектронних сенсорів і систем.

Освещены теория и практика создания и использования в приборах и информационных системах фотоизлучателей, фотоприемников, акустоэлектронных и акустооптических сенсоров, датчиков ионизирующих излучений и других изделий современной сенсорики. Описаны методы получения и управления свойствами полупроводниковых материалов, в частности, соединений и гетероструктур, новые методы метрологии их параметров, а также создания на их основе и основе оптических и пъезополупроводниковых материалов опто- и акустоэлектронных сенсоров и систем.

Висвітлено сучасні підходи до побудови систем збирання вимірювальних даних (ЗВД) та особливості їх реалізації. Обгрунтовано доцільність уніфікування вихідних сигналів сенсорів, визначено місце та функції уніфікуючих засобів у сучасних вимірювальних системах. Описано основні типи уніфікуючих перетворювачів, пристрої ЗВД, зокрема універсальні карти DAQ, та аналого-цифрові перетворювачі. Розглянуто питання узгодження вимірювальних засобів з комп'ютером, фільтрування вимірювальних сигналів та його застосування в системах кондиціювання сигналів. Проаналізовано різновиди стандартних інтерфейсів для транспортних механотронних систем, їх порівняльні характеристики та сфери застосування.

Освещены современные подходы к построению систем сбора измерительных данных (СИД) и особенности их реализации. Обоснована целесообразность унифицирования исходящих сигналов сенсоров, определены место и функции унифицирующих средств в современных измерительных системах. Описаны основные типы унифицирующих преобразователей, устройства СИД, в частности универсальные карты DAQ, и аналого-цифровые преобразователи. Рассмотрены вопросы согласования измерительных средств с компьютером, фильтрования измерительных сигналов и его применения в системах кондициирования сигналов. Проанализированы разновидности стандартных интерфейсов для транспортных механотронных систем, их сравнительные характеристики и сферы применения.

Виявлено зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Пояснено отримані результати утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджено спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, одержаних з початковою температурою епітаксії 1023 К.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ