Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (1) | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Мрихін І$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
||||
| 1. | Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2005. - № 532. - С. 24-28. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Заячук Д. М. Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін, О. І. Іжнін, Д. Л. Вознюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 4. - С. 661-665. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Мрихін І. О. Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним IBp - nD-переходом / І. О. Мрихін, Д. М. Заячук, С. І. Круковський, О. І. Іжнін, Ю. С. Михащук, І. І. Григорчак // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2007. - № 592. - С. 80-87. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Мрихін І. О. Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs : Автореф. дис... канд. техн. наук / І. О. Мрихін; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2006. - 18 c. - укp. Запропоновано конструктивне удосконалення касети для проведення рідинно-фазної епітакції, що дозволяє одержувати тонкі епітаксійні шари субмікронних розмірів на базі гетероструктур GaAs різного складу та рівня легування за рахунок забезпечення швидкої заміни в касеті ростових розплавів-розчинів. Удосконалено та реалізовано установку електрохімічного профілювання концентрації вільних носіїв заряду в епітаксійних шарах на основі GaAs, яка може бути ефективно використана в процесі розв'язання аналогічних задач екологічно небезпечним методом ртутного зонда. Обгрунтовано й апробовано режими використання легування розчинів-розплавів домішками рідкоземельних елементів у технології рідиннофазної епітаксії щодо зниження рівня фонових домішок, які дозволяють значно скоротити та здешевити процес епітаксійного нарощування шарів на базі GaAs шляхом відмови від довготривалих відпалів вихідної шихти.  Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: З86-531.8-06 Рубрики: Шифр НБУВ: РА343281 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Круковський С. І. Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм / С. І. Круковський, Д. М. Заячук, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - 10, № 3. - С. 594-597. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Круковський С. І. Властивості подвійних гетеропереходів $E bold p sup +-InP/BInD-InGaAsP/BInD-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 74-80. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Круковський С. І. Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 4. - С. 1097-1101. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Круковський С. І. Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів $E bold {p sup + - roman InP "/" n - roman InGaAsP "/" n - roman InP} / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2012. - Вып. 47. - С. 64-69. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського