Охарактеризовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники. Проаналізовано роботу генератора коливань у лінійному та нелінійному режимах за умов використання від'ємного опору як основного елемента перетворювачів. Основну увагу приділено вольт-амперним характеристикам, чутливості, функціям перетворення частотних перетворювачів температури, оптичному випромінюванню, магнітній індукції та тиску. Проведено експериментальне дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних перетворювачів, а також запропоновано їх оптимальні схеми та структури.

Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

Охарактеризовано теоретичні та фізичні принципи роботи волоконно-оптичних систем передачі інформації на підставі оптоелектронних приладів. Розглянуто особливості дослідження відкритої некогерентної лінії зв'язку, роботи фотодіодного оптрона в імпульсному режимі. Наведено статичні характеристики напівпровідникових фоторезисторів і фотодіодів, описано інжекційні світлодіоди, напівпровідникові лазери.

Охарактеризованы теоретические и физические принципы работы волокнисто-оптических систем передачи информации на основе оптоэлектронных устройств. Рассмотрены особенности исследования открытой некогерентной линии связи, работы фотодиодного оптрона в импульсном режиме. Приведены статистические характеристики полупроводниковых фоторезисторов и фотодиодов, описаны инжекционные светодиоды, полупроводниковые лазеры.

Наведено результати дослідження мікроелектронних частотних перетворювачів на базі транзисторних структур з від'ємним опором. Проаналізовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники, а також роботу генератора електричних коливань як основного елемента перетворювачів. Наведено вольт-амперні характеристики, описано функції перетворення частотних перетворювачів фізичних величин.

Приведены результаты исследования микроэлектронных частотных преобразователей на основе транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Проанализированы влияние температуры, оптического излучения, давления, магнитного поля на полупроводники, а также работа генератора электрических колебаний как основного элемента преобразователей. Представлены вольт-амперные характеристики, описаны функции преобразования частотных преобразователей физических величин.

Описано фізичні принципи роботи конструкцій сучасних сенсорів тиску та магнітного поля з амплітудним вихідним сигналом. Викладено основи побудови, наведено електричні схеми та результати експериментальних досліджень основних параметрів мікроелектронних частотних сенсорів тиску та магнітного поля на базі магніто- та тензочутливих транзисторних структур. Проаналізовано вплив магнітного поля на властивості напівпровідників та їх електропровідність.

Описаны физические принципы работы конструкций современных сенсоров давления и магнитного поля с амплитудным исходящим сигналом. Изложены основы построения, приведены электрические схемы и результаты экспериментальных исследований основных параметров микроэлектронных частотных сенсоров давления и магнитного поля на основе магнито- и тензочувствительных транзисторных структур. Проанализировано влияние магнитного поля на свойства полупроводников и на их электропроводность.

На підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів проаналізовано основи побудови мікроелектронних частотних перетворювачів температури й оптичного випромінювання. Виконано розрахунки функцій перетворення та рівняння чутливості оптичного перетворювача з активним індуктивним елементом, а також повного опору; з урахуванням транзисторної структури базового елемента перетворювачів наведено експериментальні параметри генератора. Розглянуто принципи побудови й електричні схеми основних параметрів температурних та оптичних перетворювачів, надано оцінку похибок перетворення, а також метрологічних характеристик генератора. Висвітлено теорії фотореактивного ефекту в біполярних і польових транзисторах, наведено математичну модель теплових режимів мікроелектронних частотних перетворювачів.

Розглянуто принципи роботи та конструкції сучасних сенсорів вологості. Описано конструкції, схеми сенсорів вологості газів, принципи побудови, електричні схеми. Наведено результати дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних сенсорів вологості на основі реактивних властивостей вологочутливих транзисторних структур.

Рассмотрены принципы работы и конструкции современных сенсоров влажности. Описаны конструкции, схемы сенсоров влажности газов, принципы построения, электрические схемы. Приведены результаты исследования основных параметров микроэлектронных частотных сенсоров влажности на основе реактивных свойств влажночувствительных транзисторных структур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2я73-1

Шифр НБУВ: ВА643224 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто фізичні процеси, які протікають в біполярних і польових транзисторах. Визначено вольтамперні характеристики в статичному та динамічному режимах, параметри приладів, їх залежність від режиму живлення. Наведено частотні та імпульсні характеристики транзисторів, а також моделі та еквівалентні схеми. Проаналізовано вплив високого рівня інжекції на повний опір базової області біполярних транзисторів. Розглянуто перспективи використання багатошарових гетероструктур в електроніці.

Рассмотрены физические процессы, протекающие в биполярных и полевых транзисторах. Определены вольтамперные характеристики в статическом и динамическом режимах, параметры приборов, их зависимость от режима питания. Приведены частотные и импульсные характеристики транзисторов, а также модели и эквивалентные схемы. Проанализировано влияние высокого уровня инжекции на полное сопротивление базовой области биполярных транзисторов. Рассмотрены перспективы применения многослойных гетероструктур в электронике.

Представлено термінологічну лексику з таких розділів: арифметика, геометрія, алгебра, тригонометрія, математичний аналіз, інтегральне та диференціальне числення, теорія ігор, теорія множин, математична логіка, математична економіка, математична статистика, обчислювальна математика тощо. Висвітлено питання інформатики та комп'ютерних технологій. Вміщено 16 000 англійських термінів і приблизно 20 000 усталених російських і українських еквівалентів, що найбільш повно передають значення цих термінів, наведено також паралельні переклади, що зустрічаються у вжитку.

Представлена терминологическая лексика по следующим разделам: арифметика, геометрия, алгебра, тригонометрия, математический анализ, интегральное и дифференциальное исчисление, теория игр, теория множеств, математическая логика, математическая экономика, математическая экономика, математическая статистика, вычислительная математика и др. Освещены вопросы информатики и компьютерных технологий. Включено 16 000 английских терминов и примерно 20 000 устоявшихся русских и украинских эквивалентов, которые наиболее полно передают значение этих терминов, приведены параллельные переводы, встречающиеся в обиходе.

Висвітлено теоретичні та фізичні особливості роботи волоконно-оптичних систем передачі інформації на основі оптоелектронних приладів. Розглянуто питання поширення електромагнітного випромінювання в речовинах. Визначено параметри сучасних промислових одномодових волокон, фотоприймальних пристроїв. Описано фізичні властивості напівпровідникових матеріалів, лазерів, світловипромінювальних діодів.

Освещены теоретические и физические особенности работы волоконно-оптических систем передачи информации на основе оптоэлектронных приборов. Рассмотрены вопросы распространения электромагнитного излучения в веществах. Определены параметры современных промышленных одномодовых волокон, фотоприемных устройств. Изучены физические свойства полупроводниковых материалов, лазеров, светоизлучающих диодов.

Висвітлено можливості побудови мікроелектронних перетворювачів температури з частотним виходом на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором. Наведено результати дослідження імпедансу структури метал - діелектрик - напівпровідник (МДН). Проаналізовано та визначено фізичні явища, які відповідають за реактивні властивості біполярних і МДН-транзисторів. Описано принципи побудови, електричні схеми та експериментальні дослідження основних параметрів перетворювачів температури.

Освещены возможности построения микроэлектронных преобразователей температуты с частотным выходом на основе реактивных свойств транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Приведены результаты исследования импеданса структуры металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Проанализированы и определены физические явления, отвечающие за реактивные свойства биполярных и МДП-транзисторов. Описаны принципы построения, электрические схемы и экспериментальные исследования основных параметров преобразователей температуры.

Розглянуто загальні поняття щодо від'ємного опору та фізичних механізмів його виникнення у напівпровідникових структурах з p-n переходами. Наведено схемотехнічні методи створення транзисторних структур з від'ємним опором. Висвітлено механізми виникнення даного опору в діодних і тріодних тиристорних структурах, одноперехідних і лавинних транзисторах, індуктивному, складовому та реактивному транзисторах. Наведено приклади практичного застосування приладів з від'ємним опором для створення перемикачів, логічних елементів, генераторів, активних індуктивних елементів, фотоприймачів.

Рассмотрены общие понятия, касающиеся отрицательного сопротивления и физических механизмов его возникновения в полупроводниковых структурах с p-n переходами. Приведены схемотехнические методы создания транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Освещены механизмы возникновения данного сопротивления в диодных и триодных тиристорных структурах, однопереходных и лавинных транзисторах, индуктивном, составном и реактивном транзисторах. Приведены примеры практического применения приборов с отрицательным сопротивлением для создания переключателей, логических элементов, генераторов, активных индуктивных элементов, фотоприемников.

Наведено характеристику показників реоенцефалографії й електрокардіографії у 35-ти хворих з порушеннями слуху, що виникли на фоні артеріальної гіпертензії. Проведені дослідження мозкового кровообігу виявили, що за даними реоенцелографії у цих пацієнтів реєструються значні відхилення від норми як в каротидній, так і в вертебробазилярній системах центральної гемодинаміки.

Приведена характеристика показателей реоэнцефалографии и электрокардиографии у 35-ти больных с нарушениями слуха, возникшими на фоне артериальной гипертензии. Проведенные исследования мозгового кровообращения показали, что по данным реоэнцелографии у этих пациентов отмечаются значительные отклонения от нормы как в каротидной, так и в вертебральнобазилярной системах центральной гемодинамики.

Розглянуто питання побудови генераторів електричних коливань з електричною й оптичною перебудовою частоти генерації на підставі транзисторних структур з від'ємним опором. Запропоновано нові технічні рішення побудови оптично й електрично керованих генераторів у діапазоні низьких, високих і надвисоких частот. Показано нові співвідношення розрахунку статичних і динамічних характеристик активних елементів генераторів за допомогою яких удосконалено квазілінійну та нелінійну моделі генераторів на підставі транзисторних структур з від'ємним опором.

Рассмотрены вопросы построения генераторов электрических колебаний с электрической и оптической перестройкой частоты генерации с учетом транзисторных структур с объемным сопротивлением. Предложены новые технические решения построения оптически и электрически управляемых генераторов в диапазоне низких, высоких и сверхвысоких частот. Показаны новые соотношения расчета статистических и динамических характеристик активных элементов генераторов с помощью которых усовершенствовано квазилинейные и нелинейные модели генераторов на основе транзисторных структур с объемным сопротивлением.

Проаналізовано сучасний стан сенсорів газу. Розкрито особливості побудови мікроелектронних сенсорів газу з частотним виходом на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором. Розглянуто принципи побудови, електричні схеми та результати експериментальних досліджень основних параметрів мікроелектронних сенсорів газу.

Проанализировано современное состояние сенсоров газа. Раскрыты особенности построения микроэлектронных сенсоров газа с частотным выходом на основе реактивных свойств транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Рассмотрены принципы построения, электрические схемы и результаты экспериментальных исследований основных параметров микроэлектронных сенсоров газа.

Наведено результати дослідження фотореактивного ефекту в напівпровідникових діодах в динамічному режимі на основі розв'язку рівняння переносу за дії оптичного випромінювання, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір базової області й одержати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.

Наведено результати дослідження вологочутливого елемента на базі МДН-структури. Розроблено фізичну модель вологочутливого елемента на основі МДН-структури, вологочутливим шаром якого є аморфний двоокис кремнію. Одержано аналітичний вираз для залежності ємності структури від вологості.

Ключ. слова: частотний перетворювач температури, чутливий елемент, від'ємний опір
Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано новий спосіб розв'язання задачі теплопровідності за допомогою конструювання інтерполяційного поліному спеціального виду.