Висвітлено результати сучасних методів дослідження морфології та дефектної структури поруватих шарів фосфіду індію. Проаналізовано особливості впливу дефектів на процес пороутворення InP. Вдосконалено фізико-технологічні основи одержання поруватого фосфіду індію, доведено вплив дефектів на процес пороутворення. Показано, що процес електрохімічного травлення призводить до порушення стехіометрії кристалів і змінює хімічний склад поверхні. Зазначено, що дана проблема є актуальною, так як може суттєво впливати на оптичні й електричні властивості напівпровідників.

Експериментально досліджено морфологію, структуру, ренгенодифрактограми, електронограми та хімічний склад поруватих зразків InP і GaP n-типу, одержаних шляхом анодного електролітичного травлення (111)-поверхні монокристалів у галогенофтористих електролітах. Установлено кореляційні зв'язки між густиною дислокацій монокристалів і концентрацією утворених пор, визначено роль дислокацій у пороутворенні. Запропоновано механізми утворення та мультиплікацію пор у досліджуваних зразках.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + В379.247 + В371.236

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано метод фотоелектрохімічного текстурування поверхні монокристалічного фосфіду індію. За допомогою сканувальної електронної мікроскопії встановлено оптимальні умови, за яких можливе формування зразків з розвиненою морфологією та рівномірним розподілом кластерів по поверхні.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом фотоелектрохімічного травлення вперше одержано порувату структуру на поверхні фосфіду індію р-типу з розміром пор (30 - 60) нм. Встановлено, що фотолюмінісценція у видимій частині спектру з максимумом в ділянці (535 - 560) нм пов'язана з квантово-розмірним ефектом у нанокристалітах поруватого фосфіду індію. Уперше сформовано комбіновані поруваті простори InP / por-InP з товщиною шарів 20 та 30 нм відповідно, текстурованих шарів - систему пірамідальних кластерів з висотою пірамід до 1,1 мкм, нульмірних структур Іn / ІnР. Уперше оодержано плівки InN на поруватих підкладках ІnР методом радикало-променевої гетерувальної епітаксії. За результатами оже-спектроскопії товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм залежно від технологічних умов травлення. З’ясовано будову подвійного електричного шару на контакті напівпровідник / електроліт та теоретично розраховано граничний струм анодного розчинення для різних станів системи фосфід індію / електроліт. Показано наявність сегрегаційної неоднорідності розподілу компонентів домішки (сірки) в ІnР, що виникає в процесі росту кристалу фосфіду індію, легованого S.

Наведено методику одержання плівки InN на поруватих підкладках InP за допомогою методу радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм залежно від технологічних умов травлення.

Запропоновано схему багаторівневої декомпозиції задач забезпечення екологічної безпеки шляхом використання інноваційних технологій для сонячної енергетики. Показано, що підвищення ккд фотоелектричних перетворювачів енергії стає можливим за рахунок використання наноструктурованих напівпровідників. Для одержання наноструктур використано метод електрохімічного травлення.

Досліджено особливості формування фосфіду індію. Розглянуто технологію одержання поруватого фосфіду індію та методику експерименту. Визначено фізичні закономірності формування поруватого шару фосфіду індію. З'ясовано вплив дефектів і дислокацій на пороутворенння в монокристалах InP та властивості поруватих сполук.

Розроблено рекомендації для проведення екологічної експертизи наноматеріалів. Встановлено, що для проведення експертизи нанопродукти слід досліджувати на всіх стадіях життєвого циклу (ЖЦ). Розроблено схему ЖЦ наноматеріалів, що є багатостадійним процесом від підготовки вихідного матеріалу до утилізації. Проведено екологічну оцінку поруватого фосфіду індію та приладу на його основі - нітриду індію.

Описано вплив хімічної обробки поверхні поруватого фосфіду індію в розчинах сульфідів на спектр фотолюмінесценції. Показано, що сульфідування призводить поверхню зразків до стану інертності по відношенню до кисню. Встановлено, що під час халькогенідної пасивації por-InP відбувається видалення шару окислу, замість нього формується тонка кристалічна плівка хімічно інертного матеріалу.

Визначено фізичний зміст і числові значення коефіцієнта компонування фільтра твердих частинок у випускній системі дизельної установки для математичної моделі його ефективності роботи. Це надає можливість врахувати вплив температури відпрацьованих газів дизеля на вході у корпус фільтра, а також прогнозувати робочі характеристики фільтрів з урахуванням місця їх розміщення у випускному тракті. Описано методику одержання експериментальних даних на моторному випробувальному стенді з автотракторним дизелем і робочим діючим зразком фільтра твердих частинок, на підставі математичної обробки яких одержано залежності значень коефіцієнта від конструктивних і режимних робочих параметрів випускної системи дизеля.

Описано методику створення блочних наноструктур на поверхні p-InP за допомогою методу фотоелектро хімічного травлення. Використано різні режими травлення та склади електроліту. Показано, що мікроморфологія наноструктурованих шарів залежить від концентрації HCl у розчині електроліту. Блокові наноструктури досліджено за допомогою скануючої мікроскопії, методу EDAX та дифрактометричного рентгенівського аналізу. Утворення блоків пояснено за допомогою кінетичного механізму розчинення кристалів.

Наведено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано за методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості одержаних структур і показано можливість застосування їх як газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи зі стійкості кристалографічних площин їх граней.

Розглянуто шляхи підвищення ефективності електрохімічних суперконденсаторів за рахунок використання як електродів поруватих напівпровідників. Наведено методику виготовлення поруватого шару на поверхні фосфіду індію. Встановлено основні закономірності формування поруватих просторів та залежності морфологічних властивостей від режимів травлення. Для того, щоб забезпечити хімічну інертність наноструктурованої поверхні, запропоновано вкривати її шаром графіту. Це підвищує опір одержаних структур та стає підгрунтям для використання їх як електродів суперконденсаторів.

Встановлено технологічні чинники для формування поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду галію за допомогою методу електрохемічного щавлення. Встановлено кореляцію цих чинників і морфологічних властивостей por-GaP. Визначено критерій якості морфологічного складу поруватих шарів, сформованих на поверхні фосфіду галію. На підгрунті проведених досліджень запропоновано показники поруватої поверхні, відповідність яким уможливить віднесення одержаних зразків до стандартних.

Розглянуто узагальнені результати наукових досліджень, виконаних у межах комплексної кафедральної теми "Теоретико методичні засади підготовки фахівців-педагогів фізико-математичного та технологічного профілю в умовах освітньо-інформаційного середовища". Досліджено організаційно-педагогічні аспекти професійної підготовки майбутніх учителів трудового навчання та технологій. Охарактеризовано інформаційні освітні технології в системі фахової підготовки майбутнього вчителя технологій. Досліджено формування професійних здібностей майбутніх учителів трудового навчання та технологій засобами дизайн-освіти. Розглянуто психолого-педагогічні умови функціонування учасників освітнього процесу. Висвітлено міжнародно-правовий аспект переліку профілактичних заходів у сфері охорони праці закладів освіти.

Вирішено актуальне завдання розробки систем оцінювання якості наноструктур, сформованих на поверхні напівпровідників. На основі аналізу сучасних методів, засобів та нормативних документів з контролю якості й методів синтезу наноструктур виділено основні підходи до класифікації, дослідження та аналізу властивостей наноструктур. На основі принципів системного й процесного підходів створено узагальнену модель синтезу наноструктур із заданим рівнем якості на поверхні напівпровідників. З метою забезпечення й поліпшення якості наноструктур встановлено технологічні чинники синтезу та стабілізації властивостей наноструктур. Визначено узагальнений критерій і розроблено методику оцінювання якості наноструктур, синтезованих на поверхні напівпровідників, що дозволить здійснювати порівняння однотипних зразків наноструктур та відповідність їх еталонним. Розроблено алгоритм та методику оцінювання наноматеріалів за ступенем потенційної небезпеки. Проведено оцінювання відповідності синтезованих поруватих шарів функціональному призначенню для застосувань у якості матеріалу фотоелектричних перетворювачів та суперконденсаторів.

Досліджено вплив війни на академічний потенціал університетів України. Проаналізовано виклики, які виникли перед університетською спільнотою в умовах окупації. Наведено стратегії відновлення наукової та освітньої діяльності. Розглянуто питання академічної свободи, дистанційної та змішаної освіти. Розкрито соціокультурну роль університету. Зазначено, що через детальний аналіз конкретного кейсу Бердянського Державного Педагогічного Університету, автори намагаються висвітлити ширший контекст впливу війни на вищу освіту в Україні, розкриваючи при цьому значущість академічної спільноти в перебудові суспільства.