Изучены термодинамические характеристики одномерного обобщенного вигнеровского кристалла при произвольных значениях температуры, концентрации частиц и характере потенциала парного межчастичного отталкивания. Предложен метод, позволяющий вычислять статистическую сумму системы с учетом взаимодействия между произвольным числом соседних частиц. Показано, что увеличение этого числа приводит к появлению все более и более мелких ступеней в низкотемпературной зависимости концентрации частиц от химического потенциала. Эти ступени являются остатками зависимости типа "чертова лестница", которая характерна для данного сорта систем при нуле температур.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.3

Рубрики:

Поглинання. Дисперсія

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изучены низкотемпературные термодинамические свойства двумерного электронного газа на неупорядоченной решетке-матрице в пределе низкой концентрации электронов. Предложен оригинальный алгоритм Монте-Карло моделирования, позволяющий эффективно изучать свойства данной системы. Обнаружена ненулевая остаточная энтропия на частицу и определено ее значение. В рамках предложенной модели показано, что в низкотемпературной зависимости диэлектрической восприимчивости как функции внешнего электрического поля присутствует излом ("cusp"), характерный для спин-стекольных систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.25

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла (ЭК) над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости ЭК как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно слабой "недокомпенсации" внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении концентрации электронов. На основании предложенной модели дано объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств ЭК над поверхностью жидкого гелия.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.35

Рубрики:

Антиферомагнетизм твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изучена структура основного состояния одномерной системы электронов на слаборазупорядоченной решетке-матрице (эпитаксиальной подложке). Показано, что при сколь угодно слабом беспорядке в позициях узлов решетки-матрицы дальние корреляции в электронной системе разрушаются. Получена аналитическая зависимость, связывающая величину разупорядочения решетки-матрицы и типичный размер электронной системы, на котором происходит разрушение дальнего порядка.

Рассмотрен баллистический транспорт в канале, состоящем из двух слоев, в предположении, что на их границе осуществляется отрицательное преломление движущихся по каналу частиц, аналогичное известному в оптике эффекту Веселаго. К такой постановке может приводить электронный транспорт в графене и вейлевских металлах, где отрицательное преломление обусловлено эффектом Клейна на p - n-переходе, а также спиновый, например фотонный, транспорт в метаматериалах. Показано, что в квазиклассическом приближении граница с отрицательным преломлением обладает свойством, аналогичным рассеянию назад, и поэтому может существенно влиять на транспорт через длинные и узкие каналы даже в случае совершенной границы. Если же граница не является совершенной (шероховатости, адсорбированные примеси и т.п.), и процессы преломления (туннелирования) и отражения происходят случайно, то набор интересных свойств канала существенно расширяется и открывает возможности эффективного управления прохождением частиц через такие каналы, включая как режим плавного управления, так и режим жесткой отсечки.