Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Струхляк Н$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія:    
1.

Крюковський С.  
Гетерофотоелементи IpDAlGaAs/InDGaAs підвищеної ефективності з шаром GaAs, комплексно легованим Al ТaYb / С. Крюковський, Б. Коман, Н. Струхляк // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 2. - С. 276-283. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.


Ключ. слова: гетерофотоелемент, комплексне легування, гетероструктура, рекомб?нац?йн? центри
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:
 Фотоелектричні явища 

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Струхляк Н. Я. 
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития / Н. Я. Струхляк, Д. М. Заячук, С. И. Круковский, В. И. Босый // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2006. - № 3. - С. 3-11. - Библиогр.: 40 назв. - рус.

Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.


Ключ. слова: белый светодиод, гетероструктура, жидкофазная эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия, МОС-гидридная эпитаксия, светодиодный модуль, светоотдача
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:
 Світлові діоди 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського