Рассмотрены свойства оксида цинка как аналога нитрида галлия в широком диапазоне температур и области его перспективных применений. Отмечены экономические и экологические преимущества, а также радиационная стойкость ZnO по сравнению с нитридами III группы. Предложены способы выращивания пленок и наноструктур с высоким совершенством кристаллической структуры. В частности, реализован магнетронный метод послойного роста пленок, позволяющий достичь их высокого структурного совершенства и значительных толщин, недоступных для некоторых других методов. Показана возможность получения монохроматического УФ излучения при возбуждении пленок коротковолновым излучением и электронами, что дает возможность использовать их в источниках коротковолнового излучения. Продемонстрирована эффективная полевая эмиссия наноструктур и пленок ZnO, открывающая перспективу их применения в устройствах вакуумной микроэлектроники. На основе пленок ZnO, легированных азотом, изготовлен, в частности, фототранзистор, позволяющий увеличить фоточувствительность на два порядка по сравнению с обычными детекторами. Рассмотрены физические основы создания светодиодов разного цвета свечения на основе пленок оксида цинка и его твердых растворов с CdO. Отмечена важность исследований физики и технологии приборов на основе оксида цинка.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.24 + К204.2

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Природа сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ