Розглянуто питання проектування різальних інструментів з урахуванням шляхів розвитку теорії та практики їх виготовлення, методи створення стандартних і спеціальних інструментів широкого спектра застосування, наведено основні технічні вимоги щодо їх виготовлення. Викладено особливості розробки систем автоматизованого проектування металорізальних інструментів (САПР МРІ). Узагальнено досвід розробки та впровадження засобів і методів автоматизованого проектування. Висвітлено перспективи найближчого розвитку автоматизованих систем проектування - виробництво. Значну увагу приділено питанням створення САПР МРІ, які працюють на базі системного підходу до процесу проектування.

Рассмотрены вопросы проектирования режущих инструментов с учётом путей развития теории и практики их изготовления, методы создания стандартных и специальных инструментов широкого спектра применения, приведены основные технические требования к их изготовлению. Изложены особенности разработки систем автоматизированного проектирования металлорежущих инструментов (САПР МРИ). Обобщён опыт разработки и внедрения средств и методов автоматизированного проектирования. Освещены перспективы ближайшего развития автоматизированных систем проектирование - производство. Значительное внимание уделено вопросам создания САПР МРИ, работающим на основе системного подхода к процессу проектирования.

Дисертацію присвячено питанням підвищення ефективності гнучких технологічних процесів складання шляхом оптимізації компонування модульних складальних роботів, які забезпечують задану точність позиціювання за умов мінімальних витрат на їх проектування та виготовлення. Встановлено аналітичні залежності для розрахунку елементарних похибок позиціювання. Запропоновано математичну модель сумарної похибки позиціювання модульних складальних роботів, які працюють у найбільш розповсюджених системах координат. Розроблено методику та систему автоматизованого проектування оптимальних конструктивно-технологічних параметрів і вибору складових модулів робота.

Висвітлено методологію аналізу, синтезу, оптимізації проектування та документування технологічних процесів механічної обробки та складання, розробки спеціальних засобів технологічного оснащення, проектування механоскладальних цехів і дільниць. Обгрунтовано та структуровано передовий досвід роботи провідних технологічних підрозділів підприємств України.

Освещена методология анализа, синтеза, оптимизации проектирования и документирования технологических процессов механической обработки и составления, разработки специальных средств технологического оснащения, проектирования механосборочных цехов и участков. Обоснован и структурирован передовой опыт работы ведущих технологических подразделений предприятий Украины.

Проаналізовано можливості сучасних систем автоматизованого проектування технологічних процесів. Показано, що адаптацію таких систем до умов конкретного підприємства доцільно проводити без їх перепрограмовування, з використанням можливостей об'єктного моделювання.

Зроблено огляд досліджень щодо низькорозмірних термоелектричних матеріалів. Показано перспективність застосування надрешіток квантових точок, квантових дротів і квантових ям на базі сполук IV - VI для сенсорів теплових полів та термоелектричних перетворювачів енергії. Спостережувані осциляції у залежностях електропровідності, коефіцієнтів Зеєбека та термоелектричної потужності від товщини квантових ям пояснено розмірним квантуванням через електронне обмеження. За періодом осциляцій товщинних залежностей експериментально визначених термоелектричних параметрів розраховано енергетичні характеристики наноструктур на основі халькогенідів свинцю та телуриду олова.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51 + В378.715.1

Рубрики:

Термоелектричні явища

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано стан конструкторсько-технологічної підготовки виробництва на машинобудівних підприємствах України. Показано, що одним із методів істотного підвищення точності та продуктивності роботи інженерних підрозділів є використання спеціалізованих програмних комплексів автоматизованого проектування, документообігу та архіву.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.2 + В371.236 + В379.271.51

Рубрики:

Наноматеріали

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено залежності кінетичних параметрів полікристалічних плівок PbTe різних товщин (0,16 - 0,54 мкм) від часу їх витримки на повітрі. Встановлено механізми дифузійних процесів, які призводять до зміни електричних властивостей тонких плівок з часом.

Зроблено огляд робіт, присвячених квантовим розмірним ефектам у матеріалах пониженої розмірності, зокрема металах, напівметалах та напівпровідниках. Особливу увагу приділено здатності матеріалу досягати одночасного збільшення коефіцієнта потужності і зменшення теплопровідності в одному напрямку. Досліджено перспективні напівпровідникові сполуки для побудови надграток квантових точок, дротів, ям та наноструктурних композитів.

Проведено огляд робіт щодо квантових розмірних ефектів у матеріалах пониженої розмірності, зокрема: металах, напівметалах та напівпровідниках.

Проведено огляд робіт щодо квантових розмірних ефектів у матеріалах пониженої розмірності, зокрема: металах, напівметалах і напівпровідниках. Розглянуто здатність матеріалу досягати одночасного збільшення коефіцієнта потужності та зменшення теплопровідності в одному напрямку. Досліджено перспективні напівпровідникові сполуки для побудови надграток квантових точок, дротів, ям і наноструктурних композитів.

Розроблено модель комплексної автоматизації інженерної підготовки виробництва ДП "Завод "Полімер-Електрон" (м. Львів) на базі інтегрованого програмного комплексу АСКОН (Російська Федерація). Модель визначає основні принципи автоматизації інженерних бізнес-процесів підприємства, організації єдиного електронного архіву даних в інженерних підрозділах з врахуванням умов щодо подальшої інтеграції в Єдиний інформаційний простір підприємства.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено методологію побудови електронного енергетичного спектра квантової ями з нескінченно високими стінками, безмежно довгого циліндричного квантового дроту, надгратки з квантових ям і стеку квантових точок. Наведено конкретні приклади спектра для наноструктур на основі PbSe і PbS. Показано можливість використання результатів розрахунку енергетичного спектра простіших квантово-розмірних структур для аналогічних обрахунків у наноструктурах вищої складності. Виявлено спосіб керування властивостями стеку квантових точок за рахунок зміни його характерних геометричних розмірів.

Запропоновано методологію комплексного розроблення модульного переналогоджувального технологічного оснащення з використанням сучасних програмних комплексів автоматизованого проектування.

На основі теоретичної моделі квантової ями з нескінченно високими стінками досліджено термоелектричні параметри залежно від товщини шару наноструктур IV - VI (PbS, PbSe, PbTe) в наближенні змінної енергії Фермі. Показано, що залежності коефіцієнта Зеєбека, електропровідності і термоелектричного коефіцієнта потужності від ширини ями для наноплівок халькогенідів свинцю добре узгоджуються з експериментальними даними, що доводить коректність використаної моделі.

Доведено правомірність використання моделі квантової ями з високими стінками для опису поведінки термоелектричних параметрів у двовимірних структурах на основі сполук IV-VI. Враховуючи залежності енергії Фермі та ефективної маси від ширини ями, розраховано та побудовано залежності коефіцієнта Зеєбека, електропровідності та коефіцієнта термоелектричної потужності для наноплівок сполук IV-VI від їх товщини. Показано, що одержаний осциляційний характер їх профілів добре узгоджується з експериментальним. Для квантових ям на основі SnTe встановлено наявність перехідної ширини ями від квантового до класичного розмірного ефекту, яка розділяє осциляційний та монотонний характер d-залежностей термоелектричних параметрів. Показано, що легування плюмбум телуриду стибієм та бісмутом призводить до різкої зміни кінетичних властивостей наноструктур РЬТе:Sb(Ві), що веде до підвищення коефіцієнта термоелектричної потужності. Показано, що зовнішній насичений киснем приповерхневий шар витриманих на повітрі наноструктур РЬТе і SnTe виступає у ролі бар'єра для основних носіїв, що призводить до прояву ефектів квантування й осциляційних товщинних залежностей термоелектричних коефіцієнтів. Встановлено, що основними механізмами, які визначають співвідношення між концентраціями носіїв p- і n-типу в конденсатах IV-VI, є дифузія вакансій свинцю до поверхні та кисню вглиб структури.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + Ж364.206

Рубрики:

Властивості наноматеріалів

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ