![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Babich V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| | | | |
1. |
Baranskii P. I. Development of the physical insight into the nature of the factors that control electrophysical and other properties of semiconductors / P. I. Baranskii, V. M. Babich, Y. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 1-4. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Розглянуто еволюцію фізичних уявлень про природу головних чинників, під впливом яких формується енергетична структура напівпровідникових кристалів, і, відповідно, їх основні електрофізичні, оптичні, термоелектричні та навіть механічні властивості. До переліку цих чинників необхідно, в першу чергу, віднести: легувальні та залишкові домішки, власні точкові дефекти, протяжні дефекти (типу дислокацій), а також електрично активні термодонори та інші комплекси, які не є результатом прямої домішко-домішкової чи домішко-дефектної взаємодій. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Baranskii P. I. The features of magnetoresistance of in/i-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation / P. I. Baranskii, V. M. Babich, E. F. Venger, Yu. P. Dotsenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 449-452. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.273
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Asnis Yu. A. Mass-spectrometric investigations of gas evolution from silicon in electron beam melting / Yu. A. Asnis, P. I. Baranskii, V. M. Babich, S. P. Zabolotin, Yu. G. Ptushinskii, V. G. Sukretnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 4-7. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Babich V. M. Magnetic susceptibility of IBnD- and IBpD-Si single crystals containing thermodonors / V. M. Babich, M. M. Luchkevych, V. M. Tsmots // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 4. - С. 384-388. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|