Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Karimov A$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
||||
| 1. | Karimov A. V. Research of structures corrugated photoreceiving surface / A. V. Karimov, D. M. Yodgorova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 372-376. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Гофрована поверхня в активних областях фотоприймача, що є перспективною для створення світлочутливих структур, може бути сформована за допомогою хімічного травлення та епітаксійної технології. Мікрорельєф створено на вихідній поверхні напівпровідникового матеріалу хімічним травленням. Епітаксійна технологія дозволяє отримувати в процесі вирощування з рідкої фази гофровані плівки як на травленій, так і на гладкій поверхні. Вибрані параметри розплаву розчину, що використовується для вирощування плівки в випадку гладкої поверхні. Структури зі сформованою гофрованою поверхнею мають високу світлочутливість і широкий спектральний діапазон. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Karimov A. V. Photoconvertors with microrelief Ip-nD junction on a basis of IpD-AlVIxDGaV1-IxDAs - IpD-GaAs - InD-GaAs - $E bold n sup +-GaAs heterojunction / A. V. Karimov, D. M. Yodgorova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 79-82. - Бібліогр.: 5 назв. - англ. Given in this work are the results of studying the process of creation of diffusion and epitaxial layers in microrelief structures. It has been shown that photoconverting structures with a microrelief interface were different from efficiency by advanced level of illumination. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З854-01 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Dmitruk N. L. Investigation of the effect of external factors (heating, exposition to radiation) on the electrophysical parameters of barrier heterostructures IpD-AlGaAs-IpD-GaAs-InD-GaAs / N. L. Dmitruk, D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 46-52. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Yodgorova D. M. Features of growing epitaxial layers of firm solutions based on indium and aluminium arsenides / D. M. Yodgorova, A. V. Karimov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 377-379. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Yodgorova D. M. Determination of potential distribution in a three-barrier structure / D. M. Yodgorova, L. X. Zoirova, A. V. Karimov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3. - С. 35-39. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Yodgorova D. M. Research of the photo-voltaic effect in the two-base $E bold roman {Ag-N sup 0 AlGaAs-n sup + GaAs-n sup 0 GaInAs-Au} structure with various thicknesses of a base / D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, F. A. Giyasova, D. A. Karimova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1. - С. 75-78. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Yodgorova D. M. Spectral photosensitivity of the $E bold roman {m-n sup 0 -n} structure on the basis of epitaxial layers / D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, F. A. Giyasova, R. A. Saidova, A. A. Yakubov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1. - С. 26-28. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського