Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8-01

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

This paper describes a mechanism for obtaining a regular porous structure InP, which is to use the method of photoelectrochemical etching. Through the use of simulation etching at the nanoscale, it is possible to get a regular uniform grid of nanopores on the surface of indium phosphide, which allows us to understand the mechanisms and the establishment of technological regimes anodic structures indium phosphide to produce a variety of devices.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Визначено кластерну складову повної ентропії розплаву кремнію у припущенні гамма-розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв'язками. Ентропію розраховано для температур, характерних для практики впрошування монокристалів з розплаву, а також осадження з парової фази індивідуальних кластерів кремнію. Результати оцінок узгоджуються з літературними даними для ентропії кластерів у простих рідинах. Ентропія двох- та трьохатомних мікрокластерів за температур, близьких до температури плавлення кремнію, змінюється не монотонно. Це свідчить про те, що у процесі вирощування монокристала в розплаві кремнію поблизу фронту кристалізації відбувається безперервна структурна перебудова. Мета роботи - поглиблення уявлень про структурні аспекти кристалізації елементарних напівпровідників з розплаву, що може бути корисним для удосконалення процесів впрошування їх монокристалів і аморфних плівок.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г125.132.1 + В375.1 + В317.241

Рубрики:

Вугільні кислоти

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Теорія фазових переходів 1 роду

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться у центрі економічних, соціальних та екологічних завдань сучасного розвитку. Запропоновано напрями поліпшення якості традиційних, а також освоєння нових напівпровідникових матеріалів і різних типів металізації. Особливо великі перспективи обіцяє застосування епітаксійних композицій для виготовлення фотоелектричних перетворювачів. Проявляються тенденції створення найскладніших електронних пристроїв на основі багатошарових епітаксійних структур. При цьому формуються дуже високі вимоги до електрофізичних властивостей і досконалості структури кожного шару, ставляться завдання створення якісних і різких p-n переходів і гетеромеж на великих площах епітаксійних композицій.