За допомогою аналізу спектральних залежностей коефіцієнта квантової ефективності вперше досліджено особливості фотоелектричних процесів у плівкових гетеросистемах CdS/CdTe/ITO з двобічною фоточутливістю. Запропоновано фізичні механізми, що описують спостережувані експериментальні закономірності.

Розроблено фізичний підхід до оптимізації фотоелектричних процесів у плівкових багатошарових системах. За допомогою моделювання впливу світлових діодних характеристик на коефіцієнт корисної дії визначено, що оптимізація фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах ITO/CdS/CdTe/Cu/Au значною мірою визначається двома конкуруючими фізичними механізмами: підвищенням ефективності процесу розподілу нерівноважних носіїв заряду та зниженням ефективності процесу їх генерації в разі збільшення товщини шару сульфіду кадмію.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The structural and optical properties CdS films, which received by the liquid-phase chemical deposition method, are investigated. The analysis of surface film has conducted by scanning electron microscopy method. The structural parameters are determined by the X-Ray difractogram method, which the definition of dispersion cogerent areas and microdeformations were defined by analytical processing X-Ray difractogram. The X-ray electron-probe microanalysis has fulfilled. The mathematical processing of CdS layers transmittion specters are carried out. The structural and optical properties investigated CdS films are defined by the thickness and annealing modes CdS layer.

We present an innovative back contact for CdTe solar cell by the application of a transparent conducting oxide, typically ITO, as a back electrical contact on CdTe/CdS photovoltaic devices that acts as a free-Cu stable back contact and at the same time allows to realize bifacial CdTe solar cells, which can be illuminated from either or both sides. The controlled insertion of a very limited amount of copper into the ITO back contact permits to have reproducible devices with high efficiencies still keeping the bifacial configuration. Thin CdTe layer solar cells with ITO back contact have been realized with efficiencies exceeding 10 %, the reduced thickness of CdTe allows to have a better performance on the back-side illumination and reduces the amount of CdTe material.

Shown in this work is the possibility to create industrial technology for production of solar cells FTO/CdS/CdTe. The technology includes annealing in freon processing step for activation of cadmium telluride base layers deposited by thermal vacuum evaporation. Solar cells with efficiency of 7 % have been obtained. Structural and morphological researches allowed to identify interrelation between photovoltaic characteristics and features of the recrystalization process in base layers after annealing in freon as compared with the standard chloride treatment.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 + З252.8-0

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В377.14 + К232.102

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фотоелектричні явища

Кристалічна будова важких кольорових металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26

Рубрики:

Тонкі шари металів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ідентифіковано режими високочастотного нереактивного магнетронного розпилення шарів ІТО, які забезпечують необхідне поєднання оптичних та електричних параметрів цих шарів у складі високоефективних сонячних елементів ITO/CdS/CdTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г582

Рубрики:

Поверхневі шари та їх властивості

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З848.43

Рубрики:

Магнетронні радіопередавачі

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено склад, морфологію поверхні, оптичні та структурні властивості шарів кадмій сульфіду (CdS), виготовлених за допомогою методу рідинно-фазного хімічного осадження. Завдяки механізму осадження іон-за-іоном плівки, одержані у режимі вібрації підкладки в безпечному для деградації сонячного елемента на основі CdS/CdTe сульфатному розчині (співвідношення у розчині тіосечовини та солі кадмію S/Cd = 2,7), були рівними і добре зчепленими з підкладками. У хлоридному розчині (S/Cd = 1,3) шари CdS осаджувалися за кластерним механізмом і тому відзначалися розвиненим мікрорельєфом і поганою адгезією до підкладки. Плівки мали притаманні кадмій-сульфіду оптичні властивості, складалися переважно з CdS модифікації вюрцит, середній розмір кристалітів становив близько 50 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.05-18 + В372.6

Рубрики:

Електричне покриття металів

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ