Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) |
Пошуковий запит: (<.>A=Konakova R$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 58 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Venger Ye. F. Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide = Термічна стійкість контактів, утворених боридами та нітридами титану на арсеніді галію / Ye. F. Venger, V. V. Milenin, I. B. Ermolovich, R. V. Konakova, D.I. Voitsikhovskiy, I. Hotovy, V. N. Ivanov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 124-132. - Библиогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Vitusevich S. A. Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped ip-n/i junction = Оптично кероване тунелювання 2D носіїв в дельта легованих GaAs ip-n/i переходах / S. A. Vitusevich, A. Forster, A. E. Belyaev, B. A. Glavin, K. M. Indlekofer, H. Luth, R. V. Konakova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 7-10. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Belyaev A. A. Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes = Радіаційна стійкість резонансно-тунельних діодiв на основі гетероструктур AlAs/GaAs / A. A. Belyaev, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, V.V. Milenin, E. A. Soloviev, L. N. Kravchenko, T. Figielski, T. Wosinski, A. Makosa // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 98-101. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Atanassova E. D. Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures = Вплив активних дій на властивості напівпровідникових матеріалів і структур : monogr. / E. D. Atanassova, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, P. M.Milenin Lytvyn, V. F. Mitin, V. V. Shynkarenko; V.Lashkaryov Inst. of Semiconductor Phys. of the NAS of Ukraine, Bulg. Acad. of Sciences, Inst. of Solid State Phys. - Kharkiv, 2007. - 215 p. c. - (State and Prosp. of Development for Functional Materials for Science and Technology). - англ.
Шифр НБУВ: ІВ209499 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Boltovets N. S. Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals / N. S. Boltovets, V. V. Basanets, V. N. Ivanov, V. A. Krivutsa, A. V. Тsvir, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 359-370. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Досліджено параметри кремнієвих і арсенід-галієвих НВЧ діодів різного функціонального призначення, термостійкі контакти яких виготовлено на базі фаз проникнення. Запропоновано уніфіковану технологічну схему виготовлення мікродіодів із об'ємними контактами. Випробуваннями даних діодів у форсованих режимах доведено їх високу термостійкість. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-03 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Boltovets N. S. Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, A. M. Kurakin, V. V. Milenin, E. A. Soloviev, G. M. Verimeychenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 93-105. - Бібліогр.: 23 назв. - англ. Розглянуто технологічні аспекти отримання плівок нітридів і боридів тугоплавких металів для бар'єрних і омічних контактів, а також контактів з антидифузійними шарами для арсенідгалієвих і кремнієвих епітаксійних структур, які використовуються для створення НВЧ діодів. Досліджено властивості напилених плівок і меж поділу метал - напівпровідник, а також електрофізичні параметри контактних структур і лавинно-пролітних діодів. Показано високу термічну стійкість контактних структур на базі боридів і нітридів титану та боридів цирконію. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Boltovets N. S. Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes / N. S. Boltovets, N. M. Goncharuk, V. A Krivutsa, V. E Chaika, R. V. Konakova, V. V. Milenin, E. A Soloviev, M. B. Tagaev, D. I Voitsikhovskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 352-358. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Venger Ye. F. Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au - Mo - TiBsubx/sub - GaAs / Ye. F. Venger, A. A. Beliaev, N. S. Boltovets, I. B. Ermolovich, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovski, T. Figielski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 57-61. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Konakova R. V. A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures / R. V. Konakova, O. E. Rengevych, A. M. Kurakin, Ya. Ya. Kudryk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 449-452. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Boltovets N. S. Comprehensive studies of defect production and strained states in the silicon epitaxial layers and device structures based on them / N. S. Boltovets, D. I. Voitsikhovskyi, R. V. Konakova, V. V. Milenin, V. A. Makara, O. V. Rudenko, M. M. Mel'nichenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 318-322. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Kaganovich E. B. Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate / E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, S. I. Kirillova, R. V. Konakova, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 471-478. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Bacherikov Yu. Yu. Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiOV2D/SiC structures / Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, E. Yu. Kolyadina, A. N. Kocherov, O. B. Okhrimenko, A. M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 391-394. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Litvinov V. L. Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing / V. L. Litvinov, K. D. Demakov, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, R. V. Konakova, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 457-464. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Ivanov V. N. Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices / V. N. Ivanov, R. V. Konakova, V. V. Milenin, M. A. Stovpovoi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 311-315. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Konakova R. V. Optimization of the technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs - AlGaAs-based transistor structures / R. V. Konakova, V. V. Milenin, M. A. Stovpovoi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 180-182. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. Досліджено й оптимізовано технологічні параметри омічних контактів для польових транзисторів з високою рухливістю електронів. Показано, що головним фактором, який визначає омічні властивості контактних переходів, є глибина проникнення фронту сплавлення в напівпровідник. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.5 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Konakova R. V. Ordering of lateral nonuniformity of TiBIvxD film and transition layer in the TiBIvxD - GaAs system / R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovskyi, A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, L. A. Matveeva, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 298-300. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Boltovets N. S. Properties of SiOV2D - GaAs and Au - Ti - SiOV2D - GaAs structures used in production of transmission lines / N. S. Boltovets, G. N. Kashin, R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin, E. A. Soloviev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 183-187. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Boltovets N. S. SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBVIxD and ZrBVIxD amorphous layers / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V Milenin, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, S. I. Vlaskina, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 60-62. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Dmitruk N. L. Investigation of the effect of external factors (heating, exposition to radiation) on the electrophysical parameters of barrier heterostructures IpD-AlGaAs-IpD-GaAs-InD-GaAs / N. L. Dmitruk, D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 46-52. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Avdeev S. P. Effect of pulse thermal treatments on Ni(Ti) - InD-21R(6H)-SiC contact parameters / S. P. Avdeev, O. A. Agueev, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, V. V. Milenin, D. A. Sechenov, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 3. - С. 272-278. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського