Установлено, що основними причинами деградації є: обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням у місці контакту інтерметалевих з'єднань, що призводить до охрупчування контактів; порушення цільності металевої розводки та контактних площин, що виникають внаслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію та виникнення силіцидних сполук.

На підставі досліджень за допомогою сучасних методів запропоновано фізико-математичну модель струмопереносу в структурах метал - кремній у межах термоелектронної, дрейфово-дифузійної та тунельно-резонансних теорій, яка базується на бар'єрних властивостях структурних дефектів.

На підставі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній - діоксид кремнію показано їх складну структуру, а також залежність розмірів цих шарів від параметрів окиснення та характеристик кремнію.

За допомогою сучасних методів дослідження визначено фактори, що впливають на величину порога пластичності в напівпровідниковому кремнію. Поряд з відомими факторами, на величину порога пластичності впливають пружні напруження, що локалізовані в області знаходження структурних дефектів.

Фрактальний аналіз застосовано для дослідження електронних зображень наноструктурованих поверхонь кремнію, визначення їх морфологічних особливостей. Одержано значення фрактальної розмірності для двох зразків із різною формою наноструктурування.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ