Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Stronski A$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 25 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Stronski A. V. Image formation properties of Assub40/subSsub20/subSesub40/sub thin layers in application for gratings fabrication = Зображуючі властивості тонких шарів Assub40/subSsub20/subSesub40/sub в застосуванні при виготовленні решіток / A. V. Stronski, M. Vlcek, P. E. Shepeliavyi, A. Sklenar, S. A. Kostyukevich // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 111-114. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Stronski A. V. Optical elements for IR spectral region on the base of СhVS layers = Оптичні елементи для ІЧ-області спектра на основі шарів халькогенідних склоподібних напівпровідників / A. V. Stronski, M. Vlcek, P. F. Oleksenko // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 995-998. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Stronski A. V. Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films = Спектри комбінаційного розсіювання у халькогенідних плівках, фотолегованих сріблом та міддю / A. V. Stronski, M. Vlchek, A. I. Stetsun, A. Sklenar, P. E. Shepeliavyi // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 63-68. - Библиогр.: 37 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Blonsky I. Laser installation for the non-destructive control of devices on the 10 - 100 MHz surface acoustic waves = Лазерная установка для неразрушающего контроля устройств на поверхностных акустических волнах 10 - 100 МГц / I. Blonsky, Ya. I. Lepikh, V. V. Semenov, V. G. Gryts', A. V. Stronski // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2010. - 1, № 1. - С. 64-68. - Библиогр.: 10 назв. - англ. Впервые показана возможность разработки и создания устойчивой относительно дестабилизирующих факторов функциональной оптической схемы лазерной гетеродинной установки для исследования амплитудных и фазовых полей поверхностных акустических волн (ПАВ). Установка выполнена не отдельными оптическими элементами, а собрана из двух узлов - узла зонда и узла фотоприемника с минимальным количеством элементов. Это дало возможность уменьшить ошибку при проведении амплитудных и фазовых измерений, поскольку установка обеспечивает высокую чувствительность к малым амплитудам ПАВ и хорошую воспроизводимость результатов. Приводится оптическая схема, изложен принцип действия установки, представлены результаты некоторых исследований. Індекс рубрикатора НБУВ: В344.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Stronski A. V. Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers / A. V. Stronski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 111-117. - Бібліогр.: 37 назв. - англ. Розглянуто особливості механізму необоротних фотоструктурних перетворень у шарах As-S-Se. Необоротні фотоструктурні перетворення в шарах As-S-Se починаються з початкового стану, який є термодинамічно нестабільним, відрізняється від структури стекол або відпаленої плівки (кінцевого стану, до якого прямує структура шарів під дією зовнішніх чинників) і визначається умовами виготовлення шарів As-S-Se. Для досліджених складів As-S-Se показано кореляцію особливостей композиційних залежностей дисперсійної енергії, оптичної діелектричної сталої для відпалених або опромінених шарів і структурно-залежних параметрів стекол As-S-Se: температури склування Tg, релаксаційної ентальпії (H), питомої теплоємності Cp. Необоротні фотоструктурні перетворення характеризуються відсутністю суттєвого впливу дифузійних процесів. Це пов'язано з високою концентрацією (до десятків атомних процентів) і, відповідно, безпосередньою близкістю нестехіометричних молекулярних фрагментів, що містять гомополярні (As-As, S-S (Se-Se)) зв'язки. Переключення зв'язків зі зменшенням числа гомополярних зв'язків, різних дефектів енергетично вигідно. Розгляд еволюції числа таких фрагментів (числа гомополярних зв'язків) внаслідок полімеризаційних процесів під дією опромінення, що наближає локальну структуру аморфних шарів до відповідної структури скла, дає експоненційний спад їх кількості у разі збільшення експозиції. Це знаходить експериментальне підтвердження в експоненційному спаді інтенсивності смуг КР, що відповідають наявності нестехіометричних молекулярних фрагментів, які містять гомополярні зв'язки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Stronski A. V. Fourier Raman spectroscopy studies of the Assub40/subSsub60 - X/subSesubX/sub glasses / A. V. Stronski, M. Vl(ek, P. F. Oleksenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 210-213. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Stronski A. Photoinduced structural changes in Assub100 - х/subSsubх/sub layers / A. Stronski, M. Vlcek, A. Sklenar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 394-399. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Mateleshko N. Investigation of nanophase separation in IR optical glasses AsV40DSeV60D using resonant Raman scattering / N. Mateleshko, V. Mitsa, M. Veres, M. Koos, A. Stronski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 171-174. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Stronski A. V. Study of non-reversible photostructural transformations in $E bold {roman {As sub 40 S} sub 60-x {roman Se} sub x} layers applied for fabrication of holographic protective elements / A. V. Stronski, M. Vlcek, S. A. Kostyukevych, V. M. Tomchuk, E. V. Kostyukevych, S. V. Svechnikov, A. A. Kudryavtsev, N. L. Moskalenko, A. A. Koptyukh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 3. - С. 284-287. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Mateleshko N. Nano-sized phase inclusions in AsV2DSV3D glass, films and fibers based on this glass / N. Mateleshko, V. Mitsa, A. Stronski, M. Veres, M. Koos, A. M. Andriesh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 462-464. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Moskvin P. P. Polyassociative thermodynamical model of $E bold roman {A sup 2 B sup 6} semiconductor melt and phase equilibrium in Cd - Hg - Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-binary structural diagram of Cd - Hg - Te system / P. P. Moskvin, L. V. Rashkovetskiy, A. V. Stronski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 2. - С. 81-85. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
| |||
| 12. | Tolmachov I. D. Optical properties and structure of As - Ge - Se thin films / I. D. Tolmachov, A. V. Stronski, M. Vlcek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 3. - С. 276-279. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Tolmachov I. D. Raman scattering in sulphide glasses / I. D. Tolmachov, A. V. Stronski, H. Pribylova, M. Vlcek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 4. - С. 432-435. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Paiuk A. P. Mid-IR impurity absorption in AsVB2DSVB3D chalcogenide glasses doped with transition metals / A. P. Paiuk, A. V. Stronski, N. V. Vuichyk, A. A. Gubanova, Ts. A. Krys'kov, P. F. Oleksenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 2. - С. 152-155. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Mateleshko N. Raman spectra of As - S(Se) glasses and sulfide (selenide) clusters / N. Mateleshko, M. Vlcek, A. Stronski, V. Mitsa, F. Billes // Functional Materials. - 2003. - 10, № 2. - С. 270-272. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Представлено результати зіставлення спектрів комбінаційного розсіяння стекол і плівок As - S(Se), As - S - Se і кластерів типу As - S(Se). Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4 + В372.6 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Tolmachov I. D. Optical properties of Ge - As - S thin films / I. D. Tolmachov, A. V. Stronski // Functional Materials. - 2009. - 16, № 1. - С. 32-35. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Thin Ge - As - S films have been prepared by thermal vacuum evaporation. Optical parameters and thickness values of the films have been calculated basing on transmission spectra. The dispersion dependences of the refractive index have been shown to be described well by the single oscillator model. The optical band gap width has been determined using the Tauc dependence. The non-linear optical properties of the films have been estimated basing on the data obtained. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Kamuz A. M. Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification / A. M. Kamuz, P. F. Oleksenko, O. A. Kamuz, O. A. Ilin, A. V. Stronski // Functional Materials. - 2008. - 15, № 4. - С. 608-612. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Zayats M. S. Optical properties of AlN/IBnD-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering / M. S. Zayats, V. G. Boiko, P. O. Gentsar, M. V. Vuichyk, O. S. Lytvyn, A. V. Stronski // Functional Materials. - 2010. - 17, № 2. - С. 209-212. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Vlasenko O. I. Study of surface influence on the IBnD-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy / O. I. Vlasenko, P. O. Gentsar, A. V. Stronski // Functional Materials. - 2009. - 16, № 3. - С. 286-291. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Stronski A. V. Photoluminescence of AsV2DSV3D doped with Cr and Yb / A. V. Stronski, O. P. Paiuk, V. V. Strelchuk, Iu. M. Nasieka, M. Vlcek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 4. - С. 341-345. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського