Вольт-фарадні дослідження проведено на діодах Шотткі з GaAs/InAs квантовими точками та квантовими ямами. Експериментально спостережено ефект негативної диференціальної ємності (НДЄ). Енергетична картина структур досліджувалася за допомогою релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів. Проведено числове моделювання вольт-фарадних залежностей, де параметрами були температура та концентрація квантових точок, що описує ефект НДЄ та добре збігається з експериментальними результатами.

Исследованы структуры полевых транзисторов со слоем квантовых точек (КТ), размещенным вблизи канала с высокой электронной подвижностью на гетерогранице GaAs/AlGaAs. Показано, что электрический заряд, который аккумулируется в слое КТ, может существенно изменять значение порогового напряжения, необходимое для открывания канала. Из-за кинетической природы процессов захвата и эмиссии в КТ дифференциальная емкость, измеренная между истоком и затвором, имеет специфический вид с несколькими максимумами на С - V кривой в зависимости от частоты тестового сигнала. Благодаря накоплению заряда в КТ коэффициент передачи транзистора со слоем КТ в подзатворной области демонстрирует эффект динамического изменения проводимости канала.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

An original iterative procedure has been developed to obtain the energy spectrum of neutral and charged excitons (positive and negative trions) in spherical semiconductor quantum dots (QD) imbedded into a dielectric material. Numerical calculations are made using the effective mass approximation and Hartree-Fock method. A combined effect of heterointerface polarization (image force potential) and finite band-off-sets on the energy spectrum of excitons and trions in QDs is considered for the first time. It is shown that binding energies of excitons and trions in such QDs can be substantially larger than those in bulk semiconductors due to spatial and "dielectric" confinement effects.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В315.7

Рубрики:

Квантова електродинаміка

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Nanoscale PbS, especially quantum dots (QDs) are of interest in applications, such as, solar cells and photodetectors because of tunability of band gap from 0,5 to 3 eV. ZnO/PbS solar cells with 8,55 % conversion efficiency have been reported with films made deposited from ligand exchanged PbS QDs. However, nanocrystalline PbS is easier to fabricate than QDs. This paper reports theoretical investigation into the use of nanocrystalline PbS in place of QDs as solar cell absorber. Solar cells with a structure of SLG/ITO/ZnO or CdS/PbS/Al was simulated using SCAPS software. We have used two n-tvpe materials one is ZnO and second is CdS. The comparative simulated device performance was studied by current-voltage (C-V) characteristics and quantum efficiency (QE). The final results reveal a power conversion efficiency of 18,5 % for solar cells with p-PhS as absorber and n-ZnO as buffer and 16,8 % for n-CdS buffer layer.

In the present paper, we have reported room temperature synthesis of CTAB capped CdTe quantum dots in an aqueous medium for free radical scavenging assay choosing BHA as the reference free radical. The formation of CdTe QDs required relatively shorter reaction time with quantum yield up to 10 %. Their optical properties, surface morphology and structural characterizations were employed through UV-Visible absorption spectroscopy, Photoluminescence, FE-SEM, Powder-XRD, Raman spectroscopy and DSC-TGA techniques. These QDs showed maximum absorption at 551 nm and their shape was spherical with average particle size of about 3 - 1 nm as noted by surface morphology. The results show ed that the synthesized CdTe QDs have an excellent antioxidant activity. Thus type of semiconductor quantum dot is a promising material for the upcoming generation in high speed optics and biomedical fields.

Here we report the effect of inter-wall distance of CNT on transmission probabilities of electrons and holes as well as their binding energies. The binding energies were calculated using the variational method within the effective mass approximation and confinement potential. The barrier transmission probabilities of electrons and holes were also calculated using varying potential barrier height and quantum mechanical tunnelling. The binding energy is found to be decreasing with mter-wall distance. We find the presence of outer wall causes a decrease in the transmission probability. For a given core radius, the transmission probability of hole increases linearly with increasing hole energy. CNT QDs of inter-wall distance 3 nm resembles to type II core-shell quantum dot (CSQD). The observed results were compared with the previous investigations. The inter-wall distance causes a decrease in the transmission probability.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В371.212

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В345

Рубрики:

Наноструктури

Люмінесценція

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Серед фотонних оптоелектронних матеріалів особливо можна виділити колоїдні нанокристали напівпровідникових квантових точок (QDs). Завдяки своїй високій ефективності та вузькій смузі випромінювання, спектральній чистоті та можливості точного налаштування вони широко використовуються у штучному освітленні та дисплеях. В результаті використання QDs в кольороперетворювальних світлодіодах у поєднанні з люмінофорами вдається одночасно досягти вдалої кольоропередачі об'єктів, що освітлюються. Спектральне перекриття пристрою з чутливістю людського ока є видатним, на відміну від інших традиційних джерел, таких як лампи розжарювання та люмінесцентні лампи, а також світлодіодів на основі люмінофора, які не можуть забезпечити всі зазначені характеристики одночасно. Колоьорознавство QDs для освітлення та дисплеїв підсумовується в даній роботі разом із останніми досягненнями у світлодіодах на основі інтегрованих QDs та дослідженнях дисплеїв. Колоьорознавство, фотометрію та радіометрію представлено в першому розділі. Спектральні конструкції білих світлодіодів на основі інтегрованих QDs призвели до ефективного як внутрішнього, так і зовнішнього освітлення. Кольороперетворювальні світлодіоди на основі QDs та дисплеї обговорено як докази концепції в наступному розділі. Представлено огляд дослідницьких можливостей і труднощів, а також прогноз на майбутнє.

Шифр НБУВ: Ж100178 Пошук видання у каталогах НБУВ