Викладено матеріал для навчання за розділами: основи кристалографії, мінералогія, петрографія. Розглянуто кристалічні зв'язки елементів, головні особливості кристалічних тіл (анізотропію, самоогранування, дифракцію рентгенівського випромінювання, поліморфізм, ізоморфізм), головні напрями використання мінералів, діагностику мінералів (морфологію мінеральних індивидів та агрегатів, спайність мінералів, їх твердість, щільність, магнітність), генезис мінералів. Надано вибірковий опис мінералів - класів самородних елементів, сульфідів, оксидів, гідрооксидів, галогенідів, карбонатів, сульфатів, фосфатів, фольфраматів, силікатів. Наведено загальні положення про мінеральний і хімічний склад, структури та текстури порід. Викладено матеріал про магматичні породи (загальні особливості, ультраосновні породи та основні, середні, кислі породи, їх механічні властивості), осадові породи (уламкові, глинисті, карбонатні, кременисті), метаморфічні породи (регіонально-метаморфічні, контактово-метаморфічні, метасоматичні).

Изложены атомная и электронная структуры металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также их тепловые, электрические, магнитные, оптические, гальвано- и термомагнитные свойства. Рассматривается физика новейших материалов, таких как магнитные полупроводники, сложные соединения, пластмассы и керамические материалы, композиты, стекла и др. Обращается внимание на нерешенные проблемы науки о материалах, указываются перспективы для практических приложений материалов.

Рассмотрено строение электронных оболочек атомов и химических связей. Значительное внимание уделено молекулярным и межатомным связям, динамике решетки металлических порошков, структуре поверхности металлических монокристаллов, адгезии, а также топографии поверхности твердого тела. Проанализировано влияние неравновесных дефектов на скорость и механизм твердофазного взаимодействия.

Розглянуто теоретичні основи хімії та фізики твердого тіла, теорію дефектів кристалічної гратки та їх вплив на властивості твердих речовин. Висвітлено принципи класифікації матеріалів за функціональними ознаками. Описано кінетику та механізм твердофазних реакцій.

Висвітлено основи фізики явищ, які відбуваються в діелектриках, напівпровідниках, провідниках, магнітних та інших матеріалах, а також фізичні аспекти кінетики процесів, що призводять до руйнування матеріалів. Наведено класифікацію матеріалів та описано їх електричні, фізико-хімічні й механічні властивості, а також основні закономірності кінетики дефектів структури та механічного руйнування. Розглянуто технології вивчення структури матеріалів, їх виробництва й обробки.

Освещены основы физики явлений, которые происходят в диэлектриках, полупроводниках, проводниках, магнитных и других материалах, а также физические аспекты кинетики процессов, которые приводят к разрушению материалов. Приведена классификация материалов и описаны их электрические, физико-химические и механические свойства, а также основные закономерности кинетики дефектов структуры и механического разрушения. Рассмотрены технологии изучения структуры материалов, их производства и обработки.

Розглянуто особливості внутрішньої будови кристалів, питання з'ясування причин набуття природними кристалами певної зовнішньої форми.

Рассмотрены особенности внутреннего строения кристаллов, вопросы выяснения причин приобретения природными кристаллами определённой внешней формы.

Наведено методи опису кристалів, а також класифікацію хімічних зв'язів, зокрема, ковалентного, металічного, молекулярного. Розкрито суть понять про електронегативність атомів. Проаналізовано структуру алмазів і алмазоподібних напівпровідників. Визначено елементи симетрії кристалічних багатогранників.

Приведены методы описания кристаллов, а также классификация химических связей, в частности, ковалетной, металлической, молекулярной. Раскрыта сущность понятий о электронегативности атомов. Проанализированы структура алмазов и алмазоподобных полупроводников. Определены элементы симметрии кристаллических многогранников.

Изложены физические основы электронного материаловедения - важнейшей составной части твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены особенности строения твердых тел, а также физические процессы в проводниках, полупроводниках, диэлектриках, магнитных материалах. Охарактеризованы некристаллические (поликристаллические и аморфные) материалы, многослойные композиции, а также новые материалы для межсоединений.

На підставі математичного апарату квантової механіки та статистичної фізики наведено методи для опису фізичних явищ у твердих тілах (ТТ). Висвітлено явища, зумовлені трансляційною симетрією ТТ. Увагу приділено одноелектронним станам і коливанням кристалічної решітки (КР) ідеальних кристалів і кристалів з невеликою кількістю домішок, оптичній провідності кристалу, функції Гріна системи електронів і фононів невпорядкованого кристала. Розглянуто метод Хартрі - Фока, теореми Блоха та Ван'є, ряди Фур'є. Охарактеризовано взаємодію електронів з коливаннями КР.

На основе математического аппарата квантовой механики и статистической физики приведены методы описания физических явлений в твердых телах (ТТ). Освещены явления, обусловленные трансляционной симметрией ТТ. Внимание уделено одноэлектронным состояниям и колебаниям кристаллической решетки (КР) идеальных кристаллов и кристаллов с небольшим количеством добавок, оптической проводимости кристалла, функции Грина системы электронов и фононов неупорядоченного кристалла. Рассмотрены метод Хартри - Фока, теоремы Блоха и Ванье, ряды Фурье. Охарактеризовано взаимодействие электронов с колебаниями КР.

Висвітлено теоретичні засади сучасних методів діагностики поверхні твердого тіла. Розглянуто метричні та фрактальні параметри мікрогеометрії поверхні, питання фізики поверхневих явищ і процесів. Проведено класифікацію методів дослідження поверхні, розкрито їх фізичні основи, можливості та способи реалізації. Увагу приділено методам сканувальної зондової мікроскопії, зокрема атомно-силовій і тунельній мікроскопії, а також методам повного зовнішнього відбиття та дифракції X-променів.

Освещены теоретические основы современных методов диагностики поверхности твердого тела. Рассмотрены метрические и фрактальные параметры микрогеометрии поверхности, вопросы физики поверхностных явлений и процессов. Проведена классификация методов исследования поверхности, раскрыты их физические основы, возможности и способы реализации. Уделено внимание методам сканирующей зондовой микроскопии, в частности атомно-силовой и туннельной микроскопии, а также методам полного внешнего отражения и дифракции X-лучей.

Наведено основні закони кристалографії. Висвітлено особливості будови кристалічних граток (КГ) різноманітних елементів і сполук. Визначено взаємозв'язок кристалічної будови з фізико-хімічними властивостями. Наведено приклади практичного застосування кристалографічних методів для розв'язання просторових задач, пов'язаних з особливостями будови КГ матеріалів. Надано відомості про мінералогію, описано властивості мінералів. Запропоновано методи одержання штучних кристалів.

Приведены основные законы кристаллографии. Освещены особенности строения кристаллических решеток (КР) разнообразных элементов и соединений. Определена взаимосвязь кристаллического строения с физико-химическими свойствами. Приведены примеры практического применения кристаллографических методов для решения пространственных задач, связанных с особенностями строения КР материалов. Даны сведения о минералогии, описаны свойства минералов. Предложены методы получения искусственных кристаллов.

Висвітлено основні питання кристалохімії та кристалографії, розглянуто механічні, теплові, електронні властивості твердих тіл, а також оптичні та магнітні властивості речовин. Описано електронну будову атомів і типи хімічного зв'язку, визначено особливості формування кристалічних структур. Розглянуто періодичну гратку, близький і далекий порядок, атомний радіус, координаційне число, упакування атомів, явища полі- й ізоморфізму. Охарактеризовано різні види твердих тіл (аморфні тіла, стекла, полімери, композиційні матеріали, рідкі кристали, скритокристалічні та кристалічні тверді тіла) й основні елементи кристалографії. Розглянуто дефекти кристалічної структури й експериментальні методи її дослідження. Наведено класифікацію твердих тіл з урахуванням основних положень зонної теорії. Висвітлено теоретичні засади фізики металів, запропоновано методи вивчення твердих тіл.

Освещены основные вопросы кристаллохимии и кристаллографии, рассмотрены механические, тепловые, электронные свойства твердых тел, а также оптические и магнитные свойства веществ. Описано электронное строение атомов и типы химической связи, определены особенности формирования кристаллических структур. Рассмотрены периодическая решетка, ближний и дальний порядок, атомный радиус, координационное число, упаковывание атомов, явления поли- и изоморфизма. Охарактеризованы различные виды твердых тел (аморфные тела, стекла, полимеры, композиционные материалы, редкие кристаллы, скрытокристаллические и кристаллические твердые тела) и основные элементы кристаллографии. Рассмотрены дефекты кристаллической структуры и экспериментальные методы ее исследования. Приведена классификация твердых тел с учетом основных положений зонной теории. Освещены теоретические основы физики металлов, приведены методы изучения твердых тел.

Наведено теоретичні відомості, які дозволяють сформувати знання про походження, кристалічну структуру та властивості металів і мінералів. Подано основні розділи сучасної кристалографії. Описано внутрішню будову кристалів, процеси їх утворення та росту. Сформульовано закон сталості кутів кристалів і закон раціональних відношень параметрів, символів граней і напрямків. Увагу приділено кристалохімії, яка вивчає зв'язок структури кристалів з їх фізико-хімічними властивостями. Наведено відомості про атомні й іонні радіуси, типи зв'язку у структурах, поляризацію іонів, політипію, ізоморфізм, поліморфізм, точкові дифекти й атомні порушення структури кристалів. Розглянуто фізичні властивості кристалів, які обумовлюються природою й розподілом хімічних елементів, що входять до їх складу, типом хімічних зв'язків і наявністю недосконалостей структури. Описано механічні, теплові, електричні, магнітні й оптичні властивості кристалів. Розглянуто структуру та завдання мінералогії, її сучасний стан. Описано фізичні властивості мінералів, форми їх існування в природі та процеси утворення. Надано характеристику найпоширеніших мінералів - сульфідів, оксидів, гідроксидів, солей кисневмісних кислот, галоїдів.

Розглянуто поняття "кристал" і "кристалічна речовина", застосування кристалів і методи одержання монокристалів. Описано будову кристалів, явища, що супроводжують кристалізацію. Наведено класифікацію многогранників за елементами симетрії та її види. Розглянуто форму кристалів і способи їх зображення. Наведено основні відомості з кристалохімії, поняття про мінерали, їх походження та морфологічні особливості, властивості мінералів, основні принципи систематики.

Висвітлено структурні аспекти кристалографії. Наведено відомості з макро- та мікроскопічної кристалографії. Розглянуто питання структурної кристалохімії та будова поширених кристалів.

Изложены структурные аспекты кристаллографии. Приведены сведения из макро- и микроскопической кристаллографии. Рассмотрен вопрос структурной кристалохимии и строение распространенных кристаллов.

Розглянуто фізику взаємодії атомів (іонів) або молекул у твердих тілах, динаміку кристалічної гратки, зонну теорію кристалів, застосовану до вивчення фізичних властивостей металів, напівпровідників, діелектриків. На основі простих теоретичних моделей вивчено магнітні властивості речовини (діа-, пара- та феромагнетизм), описано явище надпровідності (низько- та високотемпературної). Наведено відомості про основні властивості речовини, просторову симетрію ідеальних кристалів, електронні стани та динаміку атомів кристалу.

Рассмотрена физика взаимодействия атомов (ионов) или молекул в твердых телах, динамика кристаллической решетки, зонная теория кристаллов, с использованием которой изучены физические свойства металлов, полупроводников, диэлектриков. На основе простых теоретических моделей определены магнитные свойства вещества (диа-, пара- и феромагнетизм), описано явления полупроводимости (низко- и высокотемпературной). Даны сведения об основных свойствах вещества, пространственной симметрии идеальных кристаллов, электронных состояниях и динамике атомов кристалла.

Докладно розглянуто кристалографічні закони, класифікацію кристалів у наближенні континуума та дисконтинуума, кристалічні гратки, аналітичний опис геометричних елементів симетрії. Значну увагу приділено питанням проективного зображення кристала, практичного використання законів кристалографії в процесі дослідження закономірностей пластичної деформації та вивчення структури меж зерен.

Докладно рассмотрены кристаллографические законы, классификация кристаллов в приближении континуума и дисконтинуума, кристаллические решетки, аналитическое описание геометрических элементов симметрии. Значительное внимание уделено вопросам проективного изображения кристалла, практического использования законов кристаллографии в процессе исследования закономерностей пластической деформации и изучения структуры границ зерен.

Изложены основы физики кристаллической решетки, рассмотрены простые и сложные кристаллические решетки, различные аспекты их динамики. Акцентировано на колебаниях решетки, рассмотрен закон дисперсии простой решетки в орбщем виде. Освещены термодинамические свойства твердых тел, приведена информация о механизме плавления Березинского - Костерлица - Таулесса, критерии плавления Линдемана. Внимание уделено ангармонизму колебаний кристалла и взаимодействию фононов, проанализированы частоты столкновений фононов при низких температурах. Подробно исследованы возможные механизмы теплопроводности кристаллов.

Розкрито предмет фізики твердого тіла. Надано відомості про періодичні структури, дефекти в кристалах і механічні властивості твердих тіл. Увагу приділено динаміці кристалічної гратки, теплоємності кристалів. Висвітлено зонну теорію кристалів, класичну електронну теорію металів, застосування квантової статистики до електронів у металі. Охарактеризовано власні та домішкові напівпровідники, надано інформацію про їх фотопровідність. Показано особливості люмінесценції.

Розглянуто основні відомості про матеріали електронної техніки: провідникові, напівпровідникові й електродні матеріали. Досліджено хімічні матеріали для обробки напівпровідників. Увагу приділено пасивним та активним діелектрикам. Наведено матеріали фотолітографії та герметизації напівпровідників. Проаналізовано магнітні та допоміжні матеріали.