В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрены: феноменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; многофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными. Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов.

Посвящена систематическому подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Книга будет полезна для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.