Скачати повний текст

Розроблено методики виявлення та функціональної ідентифікації макроскопічних ростових дефектів кристалів ZnSe і CZT, що широко використовуються як матеріали для лазерної техніки та детекторів радіаційного випромінювання. Показано, що фунціональна ідентифікація макроскопічних ростових дефектів можлива в межах розгляду їх як джерел внутрішніх механічних і електричних полів. Проведено експериментальні дослідження низькочастотних діелектричних відгуків кристалів ZnSe і CZT на тестові впливи електричних полів, фотозбудження та термічного впливу. Представлено діелектричні відгуки у вигляді графічних образів (діаграм на фазовій площині), що дозволило визначити характеристичні ознаки макроскопічних ростових дефектів та функціонально ідентифікувати їх як витоки чи стоки внутрішнього електричного поля. Показано можливість використання методики функціональної ідентифікації макроскопічних ростових дефектів для контролю технологічної обробки кристалів, а також розроблено новий спосіб акустичної обробки кристалів ZnSe і CZT.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено квантові розмірні ефекти у тонких плівках телуриду свинцю та вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, одержаних за методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди. Вивчено електрофізичні, гальваномагнітні та термоелектричні властивості залежно від товщини тонких шарів (d = 1 - 600 нм), температури (80 - 300 К) і різних чинників (концентрації носіїв заряду, температури підкладки, складу шихти, наявності або відсутності захисного покриття), які впливають на характер прояву розмірного квантування енергетичного спектра носіїв заряду. За результатами досліджень установлено, що залежності кінетичних коефіцієнтів від товщини тонких плівок PbTe та Bi і тонких шарів Bi у гетероструктурах PbTe/Bi мають коливний характер, що доводить наявність дискретної структури енергетичного спектра. Установлено добру відповідність результатів теоретичного розрахунку періоду осциляцій експериментальним даним.

  Скачати повний текст