Пошуковий запит: (<.>U=З854$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 25
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Остапов Багатокомпонентні напівпровідникові тверді розчини АІІВVI та фотоприймачі на їхній основі : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 2007. — 36 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
2. |
Соколовський І.О. Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — К., 2008. — 18 с. — укp.
Рубрики:
|
3. |
Сидорець Р.Г. Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.20. — О., 2004. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
4. |
Асмолова О.В. Детектування оптичних сигналів з використанням мікрохвильової модуляції : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.13. — К., 2007. — 24 с. — укp.
Рубрики:
|
5. |
Івасів З.Ф. Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 2000. — 16 с. — укp.
Рубрики:
|
6. |
Лукомський Д.В. Методика керування параметрами твердотільних фотоелектричних перетворювачів для енергозабезпечення радіоелектронних засобів озброєння, що необслуговуються : Автореф. дис... канд. техн. наук: 20.02.14. — К., 2006. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
7. |
Герман Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 2007. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
8. |
Семікіна Т.В. Отримання та дослідження кремнієвих структур з алмазними та алмазоподібними плівками : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — К., 2001. — 21 с. — укp.
Рубрики:
|
9. |
Фролов А.В. Прогнозування, діагностика, ідентифікація і надійність монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів із структурою n+-p-p+ : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — Х., 2009. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
10. |
Черненко В.В. Процеси фотогенерації і збирання носіїв заряду в кремнійових структурах з дифузійно-польовими бар'єрами : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — К., 2005. — 21 с. — укp.
Рубрики:
|
11. |
Костильов В.П. Процеси фотоелектричного перетворення енергії в кремнієвих багатошарових структурах з дифузійно-польовими бар'єрами : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.01. — К., 2009. — 33 с. — укp.
Рубрики:
|
12. |
Горбулик В.І. Розробка високоефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — Чернівці, 2001. — 18 с. — укp.
Рубрики:
|
13. |
Добровольський Ю.Г. Розробка кремнієвих фотодіодів підвищеної надійності : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — Чернівці, 2000. — 17 с. — укp.
Рубрики:
|
14. |
Сидор О.А. Розробка радіаційно-стійких фотодіодів на основі шаруватих структур селенідів індію та галію : автореф. дис... канд. техн. наук.: 05.27.01. — Чернівці, 2009. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
15. |
Лисюк І. О. Температурні, опромінювальні і акустичні ефекти у вузькощілинному кадмій-ртуть-телурі та фотодіодах на його основі : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2011. — 19 с.: рис., табл. — укp.
Рубрики:
|
16. |
Волинюк Д.Ю. Технологія напівпровідникових гетероструктур на основі органічних та неорганічних матеріалів для електрооптичних елементів мікроелектроніки : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — Л., 2008. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
17. |
Коваль В. М. Тонкі плівки нанокристалічного кремнію, леговані європієм та ітрієм, для оптоелектроніки : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01. — К., 2010. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
18. |
Мариненко О. А. Фізико-хімічні процеси при виготовленні великогабаритних фотоелектричних перетворювачів в умовах серійного виробництва : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01. — К., 2010. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
19. |
Козинець О.В. Фізичні властивості кремнієвих фотоперетворювачів з вбудованими дельта- та псі- шарами : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — К., 2007. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
20. |
Голенков Фізичні властивості напівпровідників кадмій - ртуть - телур та фотодіодних структур на їх основі для багатоелементних фотоприймалних пристроїв ІЧ діапазону : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — К., 2008. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
| |