|
РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
|
|
|
Бази даних
|
Реферативна база даних - результати пошуку
|
|
 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб |
Пошуковий запит: (<.>A=Korotyeyev V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
|
| 1. |
Syngayivska G. I. Monte Carlo simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electric fields // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4.
| | 2. |
Korotyeyev V. V. Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4.
| | 3. |
Korotyeyev V. V. Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 1.
| | 4. |
Korotyeyev V. V. Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1.
| | 5. |
Syngayivska G. I. Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1.
| | 6. |
Korotyeyev V. V. Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and characterization // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3.
| | 7. |
Syngayivska G. I. Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 4.
| | 8. |
Korotyeyev V. V. Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 2.
| | 9. |
Lyaschuk Yu. M. Peculiarities of amplitude and phase spectra of semiconductor structures in THz frequency range // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2.
|
|
|
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
|
НОВІ
ПОШУК
