Пошуковий запит: (<.>U=З843.412$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 41
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Aceves M. Application of silicon rich oxide films in new optoelectronic devices. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 2. |
Sosnin A. Image infrared converters based on ferroelectric-semiconductor thin-layer systems // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4.
|
| 3. |
Morozovska A. N. Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 3.
|
| 4. |
Morozovska A. N. Photo-microdomains in ferroelectrics: formation and light scattering caused by them // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3.
|
| 5. |
Yevdokimov S. V. Photoionization peculiarities of <$E bold roman Fe sup 2+ > impurity centers in doped <$E bold roman LiNbO sub 3 > crystals // Functional Materials. - 2002. - 9, № 1.
|
| 6. |
Butenko А. F. Processes of electrical relaxation in PVDF-BaTiO3 composites. — 2006 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
|
| 7. |
Glinchuk M. D. Properties of thin ferroelectric film allowing for electrodes. — 2006 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 8. |
Lepikh Ya. I. Selective polarization of ferroelectrics in functional microelectronics // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 9. |
Божко А. П. Аналіз моделей переключення поляризованості сегнетоелектричних ЗП. — 2007 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 10. |
Непочатенко В. А. Аналіз орієнтаційної відповідності двох фаз при формуванні тонких фазових меж у сегнетоеластику Pb3(PO4)2. — 2007 // Укр. фіз. журн.
|
| 11. |
Гомоннай О. О. Барична поведінка діелектричної проникності в кристалах <$E bold roman TlGaSe sub 2>. — 2008 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 12. |
Григорчак І. І. Властивості і можливості практичного застосування нанопористих силікатних матриць, заповнених сумішшю сегнетоелектриків NaNO2 і BaTiO3. Вплив коінкапсуляції // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 4.
|
| 13. |
Соснін О. В. Властивості структури сегнетоелектрик - напівпровідник для використання в електронній техніці. — К., 2002
|
| 14. |
Клето Г. І. Властивості тонких сегнетоелектричних плівок цирконат-титанату свинцю, отриманих методом ВЧ-розпилення. — 2008 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
| 15. |
Мазур О. Ю. Влияние гидростатического давления на кинетику упорядочения сегнетоэлектриков при фазовых переходах первого рода // Физика и техника высоких давлений. - 2016. - 26, № 3/4.
|
| 16. |
Богорош А. Т. Влияние механических микродефектов на локальную поляризацию в приборах на основе сегнетоэлектриков // East Europ. J. of Physics. - 2016. - 3, № 2.
|
| 17. |
Глинчук М. Д. Влияние электродов на свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. — 2005 // Наноструктур. материаловедение.
|
| 18. |
Сливка О. Г. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність кристалів сегнетової солі. — Л., 2005 - (Препр.; ICMP-05-08U).
|
| 19. |
Стріха М. В. Графен на сегнетоелектричній підкладці: елементи пам'яті і модулятори випромінювання : (огляд). — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 20. |
Левицький Р. Р. Дослідження кристалів <$Eroman bold {NaKC sub 4 H sub 4 O sub 6 ~ cdot ~ 4 H sub 2 O }>, <$Eroman bold {RbHSO sub 4 ,~NH sub 4 HSO sub 4 }> у межах моделі Міцуї із врахуванням тунелювання. — Л., 2005 - (Препр.; ICMP-05-13U).
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
