Пошуковий запит: (<.>U=з843.412$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 41
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Морозовская А. Н. Наноразмерные сегнетоэлектрики: (обзор). — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 2. |
Воронов С. О. Дослідження тонких плівок сегнетоелектриків на кремнієвій підкладці // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Приладобудування. - 2015. - Вип. 50.
|
| 3. |
Клето Г. І. Властивості тонких сегнетоелектричних плівок цирконат-титанату свинцю, отриманих методом ВЧ-розпилення. — 2008 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
| 4. |
Дегтярёв А. В. Микроконтроллерная система сбора и обработки данных электрических испытаний позисторов. — 2008 // Систем. технології.
|
| 5. |
Божко А. П. Аналіз моделей переключення поляризованості сегнетоелектричних ЗП. — 2007 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 6. |
Морозовская А. Н. Полярно-активные свойства сегнетоэлектрических нанокомпозитов: (обзор). — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 7. |
Гомоннай О. О. Барична поведінка діелектричної проникності в кристалах <$E bold roman TlGaSe sub 2>. — 2008 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 8. |
Гомоннай О. О. Оптичні властивості сегнетоелектриків TlInS2 в околі фазових переходів. — 2010 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 9. |
Morozovska A. N. Photo-microdomains in ferroelectrics: formation and light scattering caused by them // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3.
|
| 10. |
Morozovska A. N. Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 3.
|
| 11. |
Найдич Ю. В. Пайка сегнетоэлектрической керамики в атмосфере чистого кислорода // Доп. НАН України. - 2009. - № 5.
|
| 12. |
Lepikh Ya. I. Selective polarization of ferroelectrics in functional microelectronics // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 13. |
Yevdokimov S. V. Photoionization peculiarities of <$E bold roman Fe sup 2+ > impurity centers in doped <$E bold roman LiNbO sub 3 > crystals // Functional Materials. - 2002. - 9, № 1.
|
| 14. |
Кузенко Д. В. Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2011. - № 6.
|
| 15. |
Sosnin A. Image infrared converters based on ferroelectric-semiconductor thin-layer systems // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4.
|
| 16. |
Григорчак І. І. Властивості і можливості практичного застосування нанопористих силікатних матриць, заповнених сумішшю сегнетоелектриків NaNO2 і BaTiO3. Вплив коінкапсуляції // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 4.
|
| 17. |
Богорош А. Т. Влияние механических микродефектов на локальную поляризацию в приборах на основе сегнетоэлектриков // East Europ. J. of Physics. - 2016. - 3, № 2.
|
| 18. |
Муравов С. А. Сравнительная эффективность пироэлектрических материалов. — 2003 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 19. |
Бокринская А. А. Нелинейные колебания в последовательной колебательной цепи с сегнетоэлектрической емкостью. — 2001 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 20. |
Яхневич У. В. Моделювання актюатора точного позиціювання на основі бідоменного кристала ніобату літію // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Сер. Радіоелектроніка та телекомунікації. - 2019. - № 914.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
