Пошуковий запит: (<.>U=В345.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 80
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Купряшкін В. Т. Виліт електронів близьконульової енергії після випромінювання рентгенівських променів. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 2. |
Galeazzo E. The influence of chemical species on photoluminescence of porous silicon layers. — 2001 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 3. |
Benilov A. I. Impact of gas adsorption and pH of solutions on radiative lifetime of modified porous silicon layers. — 2007 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 4. |
Avdeenko A. A. Photoluminescence of ortho-bromobenzophenone. — 2006 // Физика низ. температур.
|
| 5. |
Дегода В. Я. Кінетика розподілу електронних збуджень при рентгенівському опроміненні : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.05. — К., 2001
|
| 6. |
Решетняк М. В. Розробка методики повнопрофільного аналізу спектрів рентгенівської флуоресценції : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01. — Суми, 2001
|
| 7. |
Дегода В. Я. Основи кінетики фотоелектричних явищ у кристалофосфорах : навч. посіб. — К., 2009
|
| 8. |
Пирятинський Ю. П. Вплив структурних дефектів на екситонну фотолюмінесценцію пентацену. — 2011 // Укр. фіз. журн.
|
| 9. |
Коротков П. А. Методика підвищення чутливості кількісного рентгенофлуоресцентного аналізу біологічних проб, що базується на методі максимальної правдоподібності. — 2009 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.
|
| 10. |
Родионов В. Н. Температурная зависимость экситонной люминесценции в кубическом карбиде кремния. — 2001 // Пр. Одес. політехн. ун-ту.
|
| 11. |
Ignatovych M. Photoluminescence study of Eu-species incorporated in lithium tetraborate and silica. — 2010 // Хімія, фізика та технологія поверхні.
|
| 12. |
Довбешко Г. И. Новые подложки, усиливающие сигналы фотолюминесценции, для формирования изображений биологических объектов. — 2012 // Укр. фіз. журн.
|
| 13. |
Vlaskina S. I. 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4.
|
| 14. |
Dan'ko V. A. Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si - SiOx structures by vapor treatment // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 4.
|
| 15. |
Пашковский А. А. Система регистрации спектров фотолюминесценции // Автоматика. Автоматизация. Электротехн. комплексы и системы. - 2003. - № 2.
|
| 16. |
Kuznetsov D. The excitation spectra of singlet oxygen and photoluminescence of methyl pheophorbide-a // Укр. фіз. журн.. - 2014. - 59, № 3.
|
| 17. |
Сергеенко С. А. Влияние оксидов Fe, Ti, V, In на ширину запрещенной зоны и интенсивность фотолюминесценции мезопористого оксида олова // Теорет. и эксперим. химия. - 2013. - 49, № 6.
|
| 18. |
Марчило О. Н. Влияние добавок <$E bold {roman Al sup 3+}> на микроструктуру и фотолюминесценцию люминофоров <$E bold roman {SrTiO sub 3 ~:~Pr sup 3+}>, полученных золь-гель методом // Теорет. и эксперим. химия. - 2013. - 49, № 3.
|
| 19. |
Savchuk A. I. Comparative studies of optical absorption, photoluminescence and EPR spectra of PbMnI2 bulk layers and nanocrystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1.
|
| 20. |
Konakova R. V. Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III - V single crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
