Наведено результати прикладного клініко-параклінічного дослідження особливостей фізико-хімічноі стадії холелітіазу в дітей з біліарною патологією. Огрунтовано систему критеріїв (клініко-симптоматичних, морфо-кінетичних і метаболічних) для діагностики фізико-хімічної стадії холелітіазу. Визначено провідну роль порушень фізико-хімічних властивостей жовчі у ранній діагностиці холелітіазу, розроблено систему критеріїв для оцінки ефективності лікування захворювання. Запропоновано методики визначення типу кристалізації жовчі та ранньої діагностики холелітіазу.

  Скачати повний текст

Виявлено нормалізуючий вплив хронічного введення німодипіну на больові поведінкові реакції діабетичних щурів: зменшення больової чутливості на гострий біль під час формалінового тесту та часткову компенсацію термічної гіпоалгезії. Доведено нормалізуючий вплив хронічного введення німодипіну на діабет-індуковані порушення кальцієвого гомеостазу у нейронах дорсального рогу. Показано, що виявлені ефекти від хронічного введення німодипіну мають місце тільки за умов експериментального діабету. Шляхом порівняння ефектів від хронічного введення німодипіну та еналаприлу показано, що позитивна дія німодипіну опосередкована процесами, пов'язаними з прямим впливом на нейрони та з його вазодилаторним ефектом.

  Скачати повний текст

Обгрунтовано необхідність реформування системи охорони здоров'я регіону у зв'язку з переходом до ринкових відносин. Аргументовано нові підходи до планування і управління ресурсами медичної допомоги. Рекомендовано методики розрахунку і визначення ефективності лікувального процесу. Визначено необхідність підготовки кваліфікованих керівників нової формації. Оцінено роль і можливості фінансового менеджменту з урахуванням тіньової економіки. Подані рекомендації по формуванню вартості платних медичних послуг.

  Скачати повний текст

Розглянуто вплив злоякісної пухлини бронхів і проксимального відділу шлунка на зміну бактеріальної флори в екосистемах легень і шлунка. Висвітлено ефективність застосування периопераційної та післяопераційної антибіотикопрофілактики цефотаксимом. Здійснено оцінку швидкості темпів зниження рівня ендогенної інтоксикації залежно від антибіотикотерапії. Встановлено, що наявність і розвиток злоякісної пухлини легень і шлунка спричинює якісні та кількісні зміни у мікробних популяціях вищезгаданих органів, формування локальних запальних вогнищ. Застосування периопераційної схеми антибіотикопрофілактики цефотаксимом у режимі монотерапії зменшує частоту післяопераційних ускладнень, підвищує ефективність хірургічного лікування хворих на рак легень і рак проксимального відділу шлунка. Доведено, що застосування периопераційної схеми антибіотикопрофілактики сприяє більш швидкому зниженню рівня ендогенної інтоксикації у прооперованих хворих онкоторакального профілю у порівнянні з післяопераційною схемою антибіотикопрофілактики. Запропоновано удосконалену схему протибактеріальної терапії, ефективну фармакологічну дозу цефотаксиму, а також методику визначення коефіцієнта інтоксикації "К" як критерія для визначення темпів зниження рівня ендогенної інтоксикації.

  Скачати повний текст

Наведено теоретичне узагальнення й обгрунтовано нове практичне рішення наукової задачі удосконалення реконструктивної тактики в системі комплексного лікування хворих на рак грудної залози шляхом розробки модифікованого способу реконструктивної хірургії з урахуванням променевого патоморфозу шкіри після проведення передопераційної променевої терапії. Вперше досліджено ультраструктурні закономірності променевого патоморфозу шкіри грудної залози, зроблено кількісну оцінку її морфологічної перебудови на тканинному та клітинному рівнях у межах різних координатних зон. За даними клініко-морфологічного аналізу науково обгрунтовано спосіб визначення меж ексцизії шкіри після застосування локальної променевої терапії в передопераційному режимі. Запропоновано адаптовану методику оцінювання якості життя хворих, що дозволяє визначити ефективність реконструктивної тактики. На підставі вивчення результатів наукового дослідження встановлено достовірний вплив реконструкції грудної залози на всі базові компоненти якості життя даної категорії пацієнтів.

  Скачати повний текст

Досліджено освітній потенціал культурної політики, спрямованої на реформування вітчизняної системи освіти та забезпечення її входження у світовий освітній простір як рівноправної дієвої сили, що передбачає у своїй сутності світові культурно-освітні тенденції, але не заперечує та не применшує національні чинники та цінності, які визначають своєрідність характеру саме української освіти. Запропоновано визначення поняття "культурна політика". Досліджено процес становлення парадигм освіти у різних типах культури (доглобалізаційний період). Визначено соціально-історичні параметри глобалізації. Висвітлено перспективи та тенденції розвитку освіти у ситуації глобалізації. Розкрито значення освітніх тенденцій культурної політики у розвитку глобальної цивілізації. Досліджено українські реалії культурної політики у контексті розвитку сучасної вітчизняної політики.

  Скачати повний текст

Проаналізовано фактори, що викликають необхідність тлумачення нормативних приписів. Сформульовано мету тлумачення закону та запропоновано логічний алгоритм її досягнення. Подано визначення поняття офіційного тлумачення закону, репрезентовано його основні ознаки, стадії та види. Охарактеризовано співвідношення офіційного та доктринального тлумачення. Висвітлено поняття, юридичну природу, загальні та специфічні ознаки, функції та види актів офіційного тлумачення, акцентовано увагу на особливостях їх дії у часі, просторі та щодо кола осіб.

  Скачати повний текст

Визначено, що філософсько-методологічною засадою розвитку загальної середньої освіти в США є концепція реформаторської педагогіки, яка полягає в практичній спрямованості навчання та виховання. З'ясовано, що еволюція становлення загальної середньої освіти в Америці відбувалася за двома хронологічними періодами: передінформаційного (кінець XIX - 1980 рр.) та інформаційного (1990 рр. - початок XXI ст.) суспільства. Охарактеризовано суперечності розвитку загальної середньої освіти в США, що зумовили необхідність реформ. Визначено стратегічні завдання стандартизації, диференціації й гуманізації шкільної освіти США. Проаналізовано концептуальні засади її модернізації, а також здійснено порівняльно-педагогічну характеристику основних тенденцій розвитку американської та української шкільної освіти в контексті входження у світовий освітній простір. Висвітлено досвід творчого застосування позитивного американського досвіду реформування шкільної освіти в Україні.

  Скачати повний текст

Висвітлено питання щодо психологічних факторів, які забезпечують ефективність змагальної діяльності баскетболістів різних кваліфікацій, зокрема, баскетболістів високої кваліфікації. Виявлено важливі психологічні фактори та динаміку їх впливу на ефективність становлення та вдосконалення спортивної майстерності баскетболістів кожної з досліджених кваліфікаційних груп. Кожному рівню кваліфікації баскетболістів відповідає визначений комплекс психологічних якостей та властивостей, які забезпечують ефективність змагальної діяльності. Наведено інтегральну періодизацію вдосконалення даного комплексу у процесі становлення та вдосконалення спортивної майстерності.

  Скачати повний текст

З використанням патофізіологічних, гематологічних, цитоморфологічних, цитохімічних, імуноферментних і статистичних методів вивчено роль еозинофілів та їх взаємодію з тучними клітинами у патогенезі запалення. За результатами дослідження з використанням моделі карагіненового гострого асептичного запалення показано фазні зміни кількості еозинофілів в ексудаті, кістковому мозку та периферичній крові, які свідчать про їх еміграцію у вогнище запалення, посилення еозинопоезу, розвиток еозинофілії, а також установлено зміни функціональної активності еозинофілів вогнища та крові. Досліджено роль еозинофілів у реакціях системи крові за умов запалення. Установлено їх суттєву значущість у розвитку та перебігу гострого неімунного запалення. З'ясовано, що еозинофіли відіграють активну, самостійну роль стосовно нейтрофілів. Виявлено, що еозинофіли та тучні клітини під час запалення взаємно активують і водночас контролюють реакції один одного. Еозинофіли за умов запалення виконують регуляторну й ефекторну функції.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено розробці нового методу вирощування з рідинної фази. Для цього, проведено аналіз методів вирощування з рідинної фази, на основі якого сформульовані основні вимоги для нового методу. Розроблений новий метод вирощування з рідинної фази, який отримав назву скануюча рідиннофазна епітаксія. В дисертаційній роботі запропоновано і описано методику вирощування епітаксійних шарів новим методом. Побудовано математичну модель та розроблена комп'ютерна програма розрахунку технологічних режимів отримання епітаксійних шарів новим методом з урахуванням: напружень, нерівномірного розтікання струму в ростовому капілярі, ефекту Пельтьє, Джоулева нагрівання, електроміграції, кута змочування розчином-розплавом підкладки, а також різних умов тепловідведення від тильної і фронтальної сторони підкладки. Розроблено та виготовлено установку для скануючої рідиннофазної епітаксії. За результатами моделювання визначені оптимальні параметри і режими експеримеентів. Для підтвердження працездатності нового методу, розробленої і виготовленої експериментальної установки до нього та запропонованої математичної моделі було проведено експерименти з вирощування гетероепітаксійних шарів і нанесення контактної сітки. А саме. Вирощений епітаксійний шар Ge на підкладці GaAs з Ga-Ge розчину-розплаву, товщиною 12.6 мкм в умовах градієнта температури. Вирощені суцільні по поверхні гетероепітаксійні шари Ge на підкладках GaP та GaAs в умовах надшвидкісного вирощування, на початковому етапі росту, при часі кристалізації 1 с та 20 с. Нанесено контактний шар Al/SnAl на поверхні Si пластини з Al-Sn розчину-розплаву, крізь маску із вузькими щілинами, що має питомий контактний опір 7.2∙10 4 Ом·см2. За допомогою епітаксії шару Ge на підкладках GaP та GaAs шляхом порівнянням розрахункової і експериментальної товщини гетероепітаксійного шару підтверджена коректність запропонованих моделей тепло- та масопередачі для методу скануючої рідиннофазної епітаксії.^UThe thesis is devoted to development of a new method of liquid phase growth. For this purpose the analysis of liquid phase growth methods was carried out to ground basic requirements for the new method. The method developed was named "scanning liquid phase epitaxy". The technique of epitaxial layers growing by new method was proposed and described in the thesis manuscript. The mathematical modeling was carried out as well as the computer program was developed for calculation of technological modes of epitaxial layer obtaining by the new method taking into account: stress, inhomogeneous current spreading in the growth capillary, Peltier effect, Joule heating, electromigration, wetting angle between a solution-melt and a substrate, different conditions of the heat removal from the front and rear sides of the substrate. The apparatus for scanning liquid phase epitaxy was designed and built. According to the modelling results the optimal parameters and regimes of experiments were determined. To confirm the efficiency of the new method, as well as the experimental apparatus for it and the mathematical modelling results, the experiments on heteroepitaxial layers growing and contact grid deposition were carried out. Ge epitaxial layer with thickness 12.6 um was grown on GaAs substrate from Ga-Ge solution-melt in the temperature gradient. Ge continuous heteroepitaxial layers were grown on GaP and GaAs substrates in conditions of ultrafast deposition at the initial growth stage and crystallization times 1 s and 20 s. Al/SnAl contact layer was deposited on Si wafer from Al-Sn solution-melt through the mask with narrow slits. Its contact resistivity made 7.2•10-4 Om•cm2. The validity of heat and mass transfer modelling in the method of scanning liquid phase epitaxy was confirmed by the comparison between the calculated heteroepitaxial layer thickness and the one obtained experimentally in the process of Ga epitaxy on GaP and GaAs substrates.

У дисертацiї дослiджено вплив ефектiв розпаровування та немагнiтних домiшок на форму залежностi густини струму вiд рiзницi фаз у тунельних надпровiдних контактах типу SIS для температур, близьких до критичної, внаслiдок чого в основi дослiдження використовувалась теорiя Гiнзбурга-Ландау, яка є асимптотичною формою мiкроскопiчної теорiї надпровiдностi поблизу критичної температури. Одержану нову формулу для струм-фазової залежностi, яка виявиласьнесинусоїдною, використано з метою дослiдження динамiки флюксонiв у чистому та довгому джозефсонiвському контактi. Запропоновано модифiковане рiвняння синус-Ґордона з несинусоїдною залежнiстю струму вiд рiзницi фаз iз метою аналiзу впливу прозоростi дiелектричного прошарку на просторову поведiнку флюксона. Показано, що при збiльшеннi прозоростi дiелектричного прошарку критичне магнiтне поле буде зменшуватися. Для температур, неблизьких до критичної, рiвноважнi струмовi стани у просторово неоднорiдних надпровiдних композицiях дослiджуються методом квазiкласичних рiвнянь, якi розв’язуються в рамках моделi з кусково сталими параметрами впорядкування. Як наслiдок, отримано такi новi аналiтичнi результати: струм-фазову залежнiсть у шаруватих надпровiдних структурах типу SIS′IS, з якої можна вiдтворити низку ранiше вiдомих результатiв для рiзних надпровiдних контактiв; струм-фазову залежнiсть для тунельних надпровiдних контактiв типу SIS у теорiї двозонної надпровiдностi, метод функцiй Грiна якої побудовано за допомогою теорiї середнього поля, яку сформульовано на основi побудованого представлення статистичної суми двозонного надпровiдника у формi функцiонального iнтеграла. З’ясувалося, що за допомогою одержаної аналiтичної формули для струм-фазової залежностi можна дослiджувати симетрiї параметрiв впорядкування.^UThe thesis is devoted to study the influence of depairing effects and nonmagnetic impurities on the shape of a current density dependence on the phase difference in an SIS tunnel junction for the temperatures close to the critical temperature. As a result, the theoretical investigation is based on the Ginzburg-Landau that is an asymptotical form of microscopic theory of superconductivity at the temperatures close to the critical temperature. The obtained result for the nonsinusoidal current-phase relation is used with the aim to study the fluxon dynamics in pure and long Josephson junctions. The presented modified sine-Gordon equation with nosinusoidal current-phase relation is used with the aim to analyze the influence of the dielectric layer transparency on the spatial behavior of a fluxon. If the dielectric layer transparency increases, it is shown that the critical magnetic field decreases. If the temperatures are not close to the critical temperature, the equilibrium current states in the spatially inhomogeneous superconducting structures are investigated by the method of the quasiclassical equations that can be solved in the framework of the model with the piecewise constant order parameters. Such a sircumstance enabled one to obtain the following analytical results: the current-phase relation in the layered superconducting structures of an SIS′IS type that can be used with the aim to obtain a number of previous known results for the different superconducting junctions; the current phase relation in the superconducting tunnel junctions of an SIS type in the theory of two-band superconductivity. The Green’s function method in the theory of two-band superconductivity is constructed using the formulated mean field theory that is based on the derived representation for a partition function of a two-band superconductor. It was found that the obtained analytical formula for the current-phase relation can be used with the aim to study the pairing symmetries of the orsder parameters.

Михайлович В.В. Проектування нанорозмірних оксидних діелектричних матеріалів для електронних пристроїв. – Кваліфікаційна наукова праця на правах рукопису.Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора філософії за спеціальністю 104 «Фізика та астрономія». – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича МОН України, Чернівці, 2023.Сьогодні діелектричні матеріали відіграють ключову роль у передових електронних пристроях, таких як, конденсатори, суперконденсатори, сенсори, транзистори, тощо. В контексті нинішньої тенденції до мінімізації розмірів, підготовка та функціоналізація нанорозмірних діелектричних матеріалів є одним із пріоритетних напрямків дослідження. Серед широкого спектру діелектриків одним із найцікавіших є матеріали з високою діелектричною сталою, так звані матеріали з високою константою діелектричної проникності (high-k). Одними з найбільш яскравих представників висококонстантних матеріалів є оксидні діелектрики, до яких можна віднести перовскіти барію титанату та шпінелі на основі хромітів. Ці два типи сполук викликають зростаючий інтерес, оскільки вони володіють високою діелектричною сталою, фероелектричною, п'єзоелектричною, піроелектричною та іншими властивостями, що робить їх ідеальними кандидатами для застосування в мікро- та наноелектроніці.В цьому контексті, дана дисертація зосереджується на підготовці, функціоналізації та інтеграції нанорозмірних перовскітів типу BaTiO3 та шпінелей типу ZnCr2O4 у плоскі конденсатори з високим значенням константи діелектричної проникності. Дисертація організована наступним чином;У вступі обґрунтовано вибір теми та актуальність дисертаційного дослідження, вказано його зв’язок з науковими програмами та темами, сформульовано мету та завдання дисертації, вказане її наукове та практичне значення, наведено інформацію про публікації й особистий внесок здобувача, апробацію результатів роботи, її структуру й обсяг.Розділ 1 складається з чотирьох основних частин: (i) сучасний стан досліджень, (ii) властивості нанорозмірних діелектричних оксидних частинок, (iii) методи наноструктурування та організації діелектричних наночастинок у вигляді тонких плівок та (iv) інтеграція діелектричних наночастинок в електронні пристрої в якості активних компонентів. Розділ закінчується висновками. У розділі 2 описано основні методи, що використовувалися для характеристики діелектричних оксидних наноматеріалів. Розділ 3 присвячено синтезу та характеристиці діелектричних наночастинок типу перовскіту. Зокрема, експериментальним шляхом було отримано ряд систем наночастинок титанату барію з контрольованою морфологією та розміром: кубічні наночастинки (середній розмір близько 15 нм), усічені кубоїдальні наночастинки (середній розмір близько 100 нм) та усічених ромбододекаедричних наночастинок (середній розмір близько 110 нм). Слід зазначити, що наночастинки з усіченою ромбододекаедричною та усіченою кубоїдальною морфологією BaTiO3 були отримані та описані вперше. Досліджено вплив морфології частинок на діелектричні властивості наночастинок на основі титанату барію. У розділі 4 описано методику варіювання морфологією систем типу шпінелі та її вплив на діелектричні властивості. Результати експерименту свідчать, що на розмір, ширину забороненої зони та діелектричні властивості отриманих наночастинок шпінелі впливають декілька факторів, зокрема час горіння гелю, температура горіння та ентальпія горіння твердого хелатно-звязуючого агента. Розділ 5 ілюструє, інтеграцію наночастинок типу шпінелі та перовскіту в електронні пристрої. Першим кроком на цьому шляху була функціоналізація поверхні наночастинок з метою отримання стабільних суспензій, які будуть використовуватися для осадження тонких плівок. Для виготовлення тонких плівок були використані два методи, а саме: діелектрофорез та “drop casting”. Незважаючи на те, що метод діелектрофорезу дозволяють отримувати тонкі плівки з високим ступенем впорядкованості наночастинок, цей методи обмежений неперервністю тонких шарів на великих поверхнях. Цю проблему було подолано за допомогою методу “drop casting”. Для наноматеріалів перовскіту та шпінелі товщина отриманих тонких плівок варіюється від 400 нм до 4300 нм. Якість поверхні та елементний склад плівок було досліджено за допомогою скануючої електронної мікроскопії та енергодисперсійного X-проминевого аналізу. Наступним кроком після визначення характеристик тонких плівок було виготовлення конденсаторів. Ефективність виготовлених конденсаторів було досліджено методом імпеданс спектроскопії. Таким чином, ми отримали наступні значення електричної ємності: 1 нФ для конденсатора на основі ZnCr2O4, 200 нФ для конденсаторів на основі усічених кубоїдальних наночастинок BaTiO3 і 2 нФ для конденсаторів на основі усічених ромбододекаедричних наночастинок BaTiO3.^UMykhailovych V. V. Design and production of oxide dielectric materials at the nanometric scale for electronic devices.Thesis on search for the Doctor of Philosophy degree in specialty 104 «Physics and Astronomy». - Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Ministry of Education and Science of Ukraine, Chernivtsi, 2023.Nowadays, dielectric materials play a key role in main electronic devices, like for example capacitors, supercapacitors, sensors, field effect transistors, etc. Towards the minimalization trend, the preparation and functionalization of nanoscale dielectric materials are of primary interest. Among a wide range of dielectrics, one of the most interesting are the materials with high dielectric constant (high-k). One of the brightest representatives of high-k materials are oxide-based dielectrics, from which barium titanate perovskites and metal chromite spinels can be figured out. These two types of compounds show a growing interest as they possess high dielectric, ferroelectric, piezoelectric, pyroelectric and other properties, which makes them a perfect candidate for application in micro- and nano-electronics. In this context, the present thesis focusses on preparation, functionalization and integration of nanoscale perovskite-type BaTiO3 and spinel-type ZnCr2O4 in planar high-k capacitors. The thesis is organized as following;The Іntroduction justifies the relevance of the topic of the dissertation research, indicates its connection with scientific programs, plans and topics, formulates the purpose and tasks of the dissertation, emphasizes its scientific and practical significance, presents information about the publications and personal contribution of the recipient, approves the project results, their structure and amount.Chapter 1 is structured in four main sections which consist of (i) state of the art, (ii) properties of nanosized dielectric oxide particles; (iii) nanostructuration and organization methods of dielectric nanoparticles as thin films and (iv) integration of dielectric nanoparticles in electronic devices as active elements. The chapter ends with partial conclusions. Chapter 2 describes the main techniques used for dielectric oxide nanomaterials characterization. Chapter 3 is devoted to synthesis and characterization of perovskite-type dielectric nanoparticle systems. Thus, a series of barium titanate nanoparticles systems have been obtained, with controlled morphology and size: cubic nanoparticles (with the mean size of about 15 nm), edge-truncated cuboidal nanoparticles (with a size about 100 nm) and truncated rhombic dodecahedron (with a size about 110 nm). It has to be mentioned here that the truncated rhombic dodecahedron and cuboidal edge-truncated morphologies for BaTiO3 has been obtained and described for the first time. Chapter 4 describes the methodology of morphology tailoring in spinel type systems and its impact on the dielectric properties. The experimental results strongly suggest that several factors, including the burning time of gel, the combustion temperature, and the enthalpy of combustion of the solid chelating/fuel agents, influence the size, band gap and dielectric properties of the obtained spinel nanoparticles. Chapter 5 is dedicated to the integration of the spinel and perovskites nanoparticles in electronic devices. First step on this road was the surface functionalization of the nanoparticles in order to obtain a stable ink suspensions which will be used for the thin films deposition. Various methods were used for the thin film fabrication, namely drop casting, dielectrophoresis and spin coating. Despite the dielectrophoresis and spin coating methods allowed as to obtain thin films with a high order degree of the nanoparticles, these techniques are limited by the continuity of the thin layers on large surfaces. This issue has been overcome by using drop casting method. For both, perovskite and spinel nanomaterials the thickness of the prepared thin films vary from 400 nm to 4300 nm. The surface quality and elemental composition of the films has been investigated by Field-emission Scanning Electron Microscopy, and EDX analyses. As a next step, after elaboration of characterization of thin films the planar capacitors have been fabricated by deposition of silver electrodes onto the both sides of the dielectric films. The performance of the fabricated planar capacitors was studied by Broadband Dielectric Spectroscopy. Thus, we obtained the following values for the electrical capacitance: 1 nF for ZnCr2O4 based capacitor, 200 nF for cuboidal BaTiO3 based capacitors and 2 nF for the truncated rhombic dodecahedron BaTiO3 based capacitors.