Розроблені теоретична база та методи побудови засобів контролю на основі безконтактних перетворювачів кутових переміщень (ПКП), обгрунтовано вибір та розроблено методи розширення діапазону вимірювання, а також підвищення точності ПКП. Розроблені структурні методи розширення функціональних можливостей ПКП. Запропоновано багатообертові перетворювачі кутових переміщень (БПКП) на основі грубої і точної шкал. Розроблена методика повірки та проаналізовані похибки ПКП, дані рекомендації щодо їх усунення.

  Скачати повний текст

Розглянуто вплив злоякісної пухлини бронхів і проксимального відділу шлунка на зміну бактеріальної флори в екосистемах легень і шлунка. Висвітлено ефективність застосування периопераційної та післяопераційної антибіотикопрофілактики цефотаксимом. Здійснено оцінку швидкості темпів зниження рівня ендогенної інтоксикації залежно від антибіотикотерапії. Встановлено, що наявність і розвиток злоякісної пухлини легень і шлунка спричинює якісні та кількісні зміни у мікробних популяціях вищезгаданих органів, формування локальних запальних вогнищ. Застосування периопераційної схеми антибіотикопрофілактики цефотаксимом у режимі монотерапії зменшує частоту післяопераційних ускладнень, підвищує ефективність хірургічного лікування хворих на рак легень і рак проксимального відділу шлунка. Доведено, що застосування периопераційної схеми антибіотикопрофілактики сприяє більш швидкому зниженню рівня ендогенної інтоксикації у прооперованих хворих онкоторакального профілю у порівнянні з післяопераційною схемою антибіотикопрофілактики. Запропоновано удосконалену схему протибактеріальної терапії, ефективну фармакологічну дозу цефотаксиму, а також методику визначення коефіцієнта інтоксикації "К" як критерія для визначення темпів зниження рівня ендогенної інтоксикації.

  Скачати повний текст

Досліджено освітній потенціал культурної політики, спрямованої на реформування вітчизняної системи освіти та забезпечення її входження у світовий освітній простір як рівноправної дієвої сили, що передбачає у своїй сутності світові культурно-освітні тенденції, але не заперечує та не применшує національні чинники та цінності, які визначають своєрідність характеру саме української освіти. Запропоновано визначення поняття "культурна політика". Досліджено процес становлення парадигм освіти у різних типах культури (доглобалізаційний період). Визначено соціально-історичні параметри глобалізації. Висвітлено перспективи та тенденції розвитку освіти у ситуації глобалізації. Розкрито значення освітніх тенденцій культурної політики у розвитку глобальної цивілізації. Досліджено українські реалії культурної політики у контексті розвитку сучасної вітчизняної політики.

  Скачати повний текст

Проаналізовано фактори, що викликають необхідність тлумачення нормативних приписів. Сформульовано мету тлумачення закону та запропоновано логічний алгоритм її досягнення. Подано визначення поняття офіційного тлумачення закону, репрезентовано його основні ознаки, стадії та види. Охарактеризовано співвідношення офіційного та доктринального тлумачення. Висвітлено поняття, юридичну природу, загальні та специфічні ознаки, функції та види актів офіційного тлумачення, акцентовано увагу на особливостях їх дії у часі, просторі та щодо кола осіб.

  Скачати повний текст

На підставі аналізу наукових досліджень розглянуто теоретичні та практичні аспекти реабілітації підлітків із сімей груп ризику в центрах соціальних служб для сім'ї, дітей та молоді (ЦСССДМ), розкрито сутність понять "сім'я групи ризику", "реабілітація", "соціальна реабілітація", "соціально-педагогічна реабілітація", подано їх змістову характеристику. Уперше науково розроблено, обгрунтовано та впроваджено структурно-функціональну модель соціально-педагогічної реабілітації підлітків із сімей груп ризику в діяльність ЦСССДМ на основі комплексної реабілітаційної програми. Запропоновану модель експерментально перевірено на базі міських і районного ЦСССДМ й доведено її ефективність у розв'язанні проблем підлітків із сімей груп ризику.

  Скачати повний текст

Здійснено комплексний теоретичний аналіз правового регулювання договірних відносин щодо набуття громадянами права приватної власності. Уперше досліджено місце та роль цивільно-правового договору серед підстав виникнення зазначеного права. З'ясовано систему цивільно-правових договорів, за якими громадяни набувають право приватної власності, а також визначено особливості застосування загальних вимог щодо дійсності правочинів до договорів стосовно переходу даного права. Висвітлено питання визначення моменту виникнення права приватної власності у громадянина-набувача майна за договором. Розглянуто питання повернення майна у разі визнання договору недійсним або неускладненим, а також за умов розірвання договору. Розкрито особливості виникнення права приватної власності за окремими видами цивільно-правових договорів.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено розробці методів та процесорів розпізнавання багатомірних образів у Хеммінговому просторі. Розроблений метод оцінки Хеммінгової віддалі на основі Евклідової відстані та аналітики різних взаємокореляційних функцій. Розроблено метод опрацювання сигналів двовимірного Хеммінгового простору на основі перетворень модульної арифметики теоретико-числового базису Крестенсона. Метод визначення Хеммінгової віддалі між характеристиками образів представленого кодами унітарного ТЧБ та метод визначення Хеммінгової віддалі між аналоговими сигналами. Удосконалено метод визначення Хеммінгової віддалі образів з різною кількістю параметрів. Здійснений аналіз кодування та визначення Хеммінгової віддалі для реалізації розпізнавання дорожніх знаків різних категорій. Розроблені структури та алгоритми роботи удосконалених спецпроцесорів оцінки Хеммінгової віддалі між сигналами та здійснена мікроелектронна реалізація їх компонентів на ПЛІС. Розроблений швидкодіючий спецпроцесор визначення Хеммінгової віддалі між оцифрованими сигналами у теоретико-числовому базисі Хаара-Крестенсона, який у порівняні з відомими пристроями характеризується підвищеною на 2-3 порядки швидкодією.^UThe dissertation is devoted to the development of methods and processors for the recognition of multidimensional images in the Hemming space. The mathematical bases and prospects of development of theoretical foundations of image recognition methods in the Hemming space are described. Research of structural solutions of existing devices of correlation processing of signals as components of special processors for the recognition of multidimensional images. The method of estimating the Hemingway distance on the basis of the Euclidean distance and analyzes of various interrelation functions is developed. The method of processing signals of a two-dimensional Hemming space on the basis of transformations of the modular arithmetic of the Crescent's theoretic-numeric basis is developed. The method of determining the Hemming distance of images with different number of parameters is improved. The analysis of coding and definition of Hemingway distance for implementation of recognition of road signs of different categories is carried out. The developed structures and algorithms of the work of advanced special processors for estimating the Heming distance between the signals and implemented the microelectronic implementation of their components on the FPGA. The developed high-speed special processor for determining the Heming distance between the digitized signals in the theoretical-numerical basis of Haar-Krestenson, which, compared with known devices, is characterized by an increase of 2-3 orders of magnitude.

Дисертацію присвячено розробці методів та спецпроцесорів розпізнавання накидів та коротких замикань у високовольтних електромережах та підвищенню ефективності їх релейного захисту. Проведено дослідження характеристик ідентифікації збурень у високовольтних електромережах. Досліджені функції та інформаційні характеристики існуючих комп'ютеризованих систем моніторингу режимних параметрів та станів обладнання високовольтних електричних підстанцій. Вперше розроблені двополярна та однополярна моделі накиду та короткого замикання у вигляді решітчастих функцій цифрових відліків фазних струмів. Показано, що однополярна модульна дискретна модель накиду дозволяє у 2 рази підвищити швидкодію ідентифікації типу збурення на інтервалі одного періоду промислової частоти. Удосконалено метод рандомізованого опрацювання гармонічних сигналів шляхом застосування розширеної M-послідовності, що дозволило у 2 рази підвищити порогове значення центрального пелюстка функції автокореляції та покращити інформативність діагностування збурень у високовольтних електромережах. Удосконалена структура базаторозрядного регістра зсуву компонента цифрового корелятора шляхом застосування міжбазисних перетворень унітарного коду та коду базису Радемахера, що дозволило у 15 разів зменшити його апаратну складність без втрати швидкодії, вдосконалена структура інтегруючого квадратора пристрою релейного захисту. Розроблені мікроелектронні компоненти пристрою релейного захисту реалізовані на ПЛІС, які у порівнянні з відомими, дозволили зменшити у 18 разів апаратну складність та, при застосуванні k-розрядного АЦП для кодування фазних струмів, підвищити швидкодію.^UThe dissertation is devoted to the development of methods and special processors for the recognition of charges and short circuits in high voltage electric networks and to increase the efficiency of their relay protection. The research of characteristics of perturbation identification in high voltage electric networks is carried out. The functions and information characteristics of existing computerized monitoring systems of the regime parameters and equipment state of high-voltage electrical substations are investigated. For the first time, bipolar and unipolar models of overturning and short-circuit in the form of lattice functions of digital counts of phase currents have been developed. It isshown that the unipolar modular discrete model of the projection can increase the speed of identification of the type of perturbation in the interval of one period of industrial frequency in 2 times. The method of randomized processing of harmonic signals was improved by the use of an expanded M-sequence, which allowed to increase the threshold value of the central lobe autocorrelation function in 2 times and to improve the informativeness of the diagnostics of perturbations in high-voltage power grids. An improved structure of the base-digit shift register of the component of the digital correlator through the application of inter-baseline transformations of the unitary code and the code of the basis of Rademacher, which allowed to reduce its hardware complexity by 15 times without loss of speed, and the structure of the integrating quadrant of the relay protection device is improved. The developed microelectronic components of the relay protection devices are implemented on the FPGA, which, in comparison with the known ones, allowed to reduce the hardware complexity by 18 times and, with the use of a k-bit ADC for phase currents, increase the speed.

Михайлович В.В. Проектування нанорозмірних оксидних діелектричних матеріалів для електронних пристроїв. – Кваліфікаційна наукова праця на правах рукопису.Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора філософії за спеціальністю 104 «Фізика та астрономія». – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича МОН України, Чернівці, 2023.Сьогодні діелектричні матеріали відіграють ключову роль у передових електронних пристроях, таких як, конденсатори, суперконденсатори, сенсори, транзистори, тощо. В контексті нинішньої тенденції до мінімізації розмірів, підготовка та функціоналізація нанорозмірних діелектричних матеріалів є одним із пріоритетних напрямків дослідження. Серед широкого спектру діелектриків одним із найцікавіших є матеріали з високою діелектричною сталою, так звані матеріали з високою константою діелектричної проникності (high-k). Одними з найбільш яскравих представників висококонстантних матеріалів є оксидні діелектрики, до яких можна віднести перовскіти барію титанату та шпінелі на основі хромітів. Ці два типи сполук викликають зростаючий інтерес, оскільки вони володіють високою діелектричною сталою, фероелектричною, п'єзоелектричною, піроелектричною та іншими властивостями, що робить їх ідеальними кандидатами для застосування в мікро- та наноелектроніці.В цьому контексті, дана дисертація зосереджується на підготовці, функціоналізації та інтеграції нанорозмірних перовскітів типу BaTiO3 та шпінелей типу ZnCr2O4 у плоскі конденсатори з високим значенням константи діелектричної проникності. Дисертація організована наступним чином;У вступі обґрунтовано вибір теми та актуальність дисертаційного дослідження, вказано його зв’язок з науковими програмами та темами, сформульовано мету та завдання дисертації, вказане її наукове та практичне значення, наведено інформацію про публікації й особистий внесок здобувача, апробацію результатів роботи, її структуру й обсяг.Розділ 1 складається з чотирьох основних частин: (i) сучасний стан досліджень, (ii) властивості нанорозмірних діелектричних оксидних частинок, (iii) методи наноструктурування та організації діелектричних наночастинок у вигляді тонких плівок та (iv) інтеграція діелектричних наночастинок в електронні пристрої в якості активних компонентів. Розділ закінчується висновками. У розділі 2 описано основні методи, що використовувалися для характеристики діелектричних оксидних наноматеріалів. Розділ 3 присвячено синтезу та характеристиці діелектричних наночастинок типу перовскіту. Зокрема, експериментальним шляхом було отримано ряд систем наночастинок титанату барію з контрольованою морфологією та розміром: кубічні наночастинки (середній розмір близько 15 нм), усічені кубоїдальні наночастинки (середній розмір близько 100 нм) та усічених ромбододекаедричних наночастинок (середній розмір близько 110 нм). Слід зазначити, що наночастинки з усіченою ромбододекаедричною та усіченою кубоїдальною морфологією BaTiO3 були отримані та описані вперше. Досліджено вплив морфології частинок на діелектричні властивості наночастинок на основі титанату барію. У розділі 4 описано методику варіювання морфологією систем типу шпінелі та її вплив на діелектричні властивості. Результати експерименту свідчать, що на розмір, ширину забороненої зони та діелектричні властивості отриманих наночастинок шпінелі впливають декілька факторів, зокрема час горіння гелю, температура горіння та ентальпія горіння твердого хелатно-звязуючого агента. Розділ 5 ілюструє, інтеграцію наночастинок типу шпінелі та перовскіту в електронні пристрої. Першим кроком на цьому шляху була функціоналізація поверхні наночастинок з метою отримання стабільних суспензій, які будуть використовуватися для осадження тонких плівок. Для виготовлення тонких плівок були використані два методи, а саме: діелектрофорез та “drop casting”. Незважаючи на те, що метод діелектрофорезу дозволяють отримувати тонкі плівки з високим ступенем впорядкованості наночастинок, цей методи обмежений неперервністю тонких шарів на великих поверхнях. Цю проблему було подолано за допомогою методу “drop casting”. Для наноматеріалів перовскіту та шпінелі товщина отриманих тонких плівок варіюється від 400 нм до 4300 нм. Якість поверхні та елементний склад плівок було досліджено за допомогою скануючої електронної мікроскопії та енергодисперсійного X-проминевого аналізу. Наступним кроком після визначення характеристик тонких плівок було виготовлення конденсаторів. Ефективність виготовлених конденсаторів було досліджено методом імпеданс спектроскопії. Таким чином, ми отримали наступні значення електричної ємності: 1 нФ для конденсатора на основі ZnCr2O4, 200 нФ для конденсаторів на основі усічених кубоїдальних наночастинок BaTiO3 і 2 нФ для конденсаторів на основі усічених ромбододекаедричних наночастинок BaTiO3.^UMykhailovych V. V. Design and production of oxide dielectric materials at the nanometric scale for electronic devices.Thesis on search for the Doctor of Philosophy degree in specialty 104 «Physics and Astronomy». - Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Ministry of Education and Science of Ukraine, Chernivtsi, 2023.Nowadays, dielectric materials play a key role in main electronic devices, like for example capacitors, supercapacitors, sensors, field effect transistors, etc. Towards the minimalization trend, the preparation and functionalization of nanoscale dielectric materials are of primary interest. Among a wide range of dielectrics, one of the most interesting are the materials with high dielectric constant (high-k). One of the brightest representatives of high-k materials are oxide-based dielectrics, from which barium titanate perovskites and metal chromite spinels can be figured out. These two types of compounds show a growing interest as they possess high dielectric, ferroelectric, piezoelectric, pyroelectric and other properties, which makes them a perfect candidate for application in micro- and nano-electronics. In this context, the present thesis focusses on preparation, functionalization and integration of nanoscale perovskite-type BaTiO3 and spinel-type ZnCr2O4 in planar high-k capacitors. The thesis is organized as following;The Іntroduction justifies the relevance of the topic of the dissertation research, indicates its connection with scientific programs, plans and topics, formulates the purpose and tasks of the dissertation, emphasizes its scientific and practical significance, presents information about the publications and personal contribution of the recipient, approves the project results, their structure and amount.Chapter 1 is structured in four main sections which consist of (i) state of the art, (ii) properties of nanosized dielectric oxide particles; (iii) nanostructuration and organization methods of dielectric nanoparticles as thin films and (iv) integration of dielectric nanoparticles in electronic devices as active elements. The chapter ends with partial conclusions. Chapter 2 describes the main techniques used for dielectric oxide nanomaterials characterization. Chapter 3 is devoted to synthesis and characterization of perovskite-type dielectric nanoparticle systems. Thus, a series of barium titanate nanoparticles systems have been obtained, with controlled morphology and size: cubic nanoparticles (with the mean size of about 15 nm), edge-truncated cuboidal nanoparticles (with a size about 100 nm) and truncated rhombic dodecahedron (with a size about 110 nm). It has to be mentioned here that the truncated rhombic dodecahedron and cuboidal edge-truncated morphologies for BaTiO3 has been obtained and described for the first time. Chapter 4 describes the methodology of morphology tailoring in spinel type systems and its impact on the dielectric properties. The experimental results strongly suggest that several factors, including the burning time of gel, the combustion temperature, and the enthalpy of combustion of the solid chelating/fuel agents, influence the size, band gap and dielectric properties of the obtained spinel nanoparticles. Chapter 5 is dedicated to the integration of the spinel and perovskites nanoparticles in electronic devices. First step on this road was the surface functionalization of the nanoparticles in order to obtain a stable ink suspensions which will be used for the thin films deposition. Various methods were used for the thin film fabrication, namely drop casting, dielectrophoresis and spin coating. Despite the dielectrophoresis and spin coating methods allowed as to obtain thin films with a high order degree of the nanoparticles, these techniques are limited by the continuity of the thin layers on large surfaces. This issue has been overcome by using drop casting method. For both, perovskite and spinel nanomaterials the thickness of the prepared thin films vary from 400 nm to 4300 nm. The surface quality and elemental composition of the films has been investigated by Field-emission Scanning Electron Microscopy, and EDX analyses. As a next step, after elaboration of characterization of thin films the planar capacitors have been fabricated by deposition of silver electrodes onto the both sides of the dielectric films. The performance of the fabricated planar capacitors was studied by Broadband Dielectric Spectroscopy. Thus, we obtained the following values for the electrical capacitance: 1 nF for ZnCr2O4 based capacitor, 200 nF for cuboidal BaTiO3 based capacitors and 2 nF for the truncated rhombic dodecahedron BaTiO3 based capacitors.