Дослідження процесів фототермостимульованої деполяризації (ФТСД) гетерокомпозицій на основі поруватого кремнію (ПК) засвідчили наявність термоелектретних властивостей ПК. Аналіз спектрів термостимульованої деполяризації (ТСД) на базі рівняння Фредгольма дозволив розрахувати за допомогою числового методу розподіл густини станів у забороненій зоні ПК. Спектри ТСД і фотолюмінесценції (ФЛ) указують на появу додаткових заряджених дефектів, спричинених біополімером на поверхні ПК. Зміна спектрів ФЛ і ФТСД ПК у разі нанесення біополімерів підтверджує можливість застосування ПК як компоненти біосенсорики.

  Скачати повний текст

Вивчено вплив адсорбції водню та метану на високочастотну (1 МГц) провідність і ємність сенсорних структур на основі поруватого кремнію. Зареєстровано суттєву зміну електричних параметрів залежно від парціального тиску газів. Розраховано адсорбційну чутливість структур на основі поруватого кремнію та багатошарових структур з плівкою каталітичного матеріалу. Показано, що селективність сенсорів до водню або метану можна покращити шляхом нанесення на поверхню поруватого кремнію каталітичної плівки паладію або поліепоксипропілкарбазолу. Виявлено помітну чутливість спектрів фотолюмінесценції поруватого кремнію до адсорбції молекул аміаку та етанолу. Одержані результати дозволяють оптимізувати процеси формування селективних сенсорів газу на основі поруватого кремнію.

Вивчено вплив адсорбційно-десорбційних процесів водяної пари на електричну провідність і високочастотну ємність сенсорних структур на основі поруватого кремнію в температурному діапазоні 15 - 40 за Цельсієм. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності залежно від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей розраховано адсорбційну чутливість структур на основі поруватого кремнію та багатошарових структур з плівкою каталітичного матеріалу. Досліджено кінетику відклику структур на зміну концентрації водяної пари. Одержані результати дозволяють оптимізувати процеси формування сенсорів вологості на основі поруватого кремнію.

Створено багатошарові сенсорні структури спряжений полімер - поруватий кремній (ПК). Вивчено вплив адсорбції молекул води на високочастотну (1 МГц) провідність і ємність гібридних структур на основі ПК. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності залежно від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей розраховано адсорбційну чутливість одержаних структур. Виявлено утворення фоточутливих електричних бар'єрів у гібридній структурі поліетилендіокситіофен - ПК, параметри яких значною мірою залежали від оточуючої газової атмосфери. Одержано результати, які дозволяють оптимізувати процеси формування високочутливих та селективних сенсорів газу на основі ПК.

Розглянуто можливість застосування поруватого кремнію (ПК) для створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об'єктів. Зокрема, ПК може бути перспективним під час формування самознищувальних кремнієвих чіпів для захисту криптографічних ключів, створених на основані флеш-пристроїв. Фоточутливість ПК у широкому спектральному діапазоні є придатною для створення систем фотоелектричного захисту периметра інформаційних об'єктів. Велика розвиненість поверхні нанокристалічного ПК є визначальною для створення дешевих газоадсорбційних сенсорів на його основі, зокрема пристроїв, чутливих до вибухонебезпечних, токсичних газів, таких як метан, водень тощо.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Створено плівкові сенсорні елементи на основі гібридних систем полі-3,4-етилендиоксітіофен - нанокристали поруватого кремнію. Методом інфрачервоної спектроскопії вивчено молекулярний склад одержаних матеріалів. Досліджено вплив адсорбції молекул води на електропровідність і ємність гібридних композитів. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності в залежності від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість одержаних гібридних систем та досліджені їх динамічні характеристики.

Досліджено електрофізичні характеристики фотодіодних структур поруватий кремній - кремнієва підкладка, модифікованих молекулами йоду. Виявлено зміну характеру вольтамперних залежностей одержаних структур з симетричного на випрямляючий внаслідок адсорбції йоду. Вивчено спектральні характеристики фотовідгуку в діапазоні довжин хвиль 450 - 1100 нм, його температурну залежність в діапазоні 125 - 325 К й енергетичні характеристики фотовольтаїчних структур на основі поруватого кремнію. Запропоновано можливий механізм впливу адсорбції йоду на електричні та фотоелектричні властивості структур поруватий кремній/кремнієва підкладка. Одержані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію у фотоелектроніці.

Досліджено електричні та фотоелектричні характеристики сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлено збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму у випадку впровадження кобальту в матрицю поруватого кремнію. Вивчені спектральні характеристики фотовідгуку бар'єрних структур в діапазоні довжин хвиль 450 - 1100 нм. Досліджено температурні залежності фотоерс та енергетичні характеристики структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Одержані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію у фотоелектроніці та сенсориці.

Досліджено температурну залежність електропровідності поруватого кремнію та термічно окисненого поруватого кремнію в режимах постійного та змінного струму в інтервалі 80 - 370 К. Одержані результати проаналізовано в межах моделі невпорядкованих напівпровідників та визначено механізми перенесення носіїв заряду. На основі спектрів термостимульованої деполяризації виявлено локалізовані електронні стани, які впливають на електротранспортні властивості поруватого кремнію. Показано, що термічне окиснення зумовлює зміну густини заповнення станів в різних енергетичних діапазонах та розширення температурного діапазону, в якому реалізується стрибкоподібний механізм провідності поруватого кремнію.

Викладено основи сучасних нанотехнологій. Висвітлено фундаментальні електронні явища у низьковимірних об'єктах, на яких базуються пристрої наноелектроніки. Наведено базові принципи, основні підходи та засоби одержання наноматеріалів. Приділено увагу прикладам наноструктур, зокрема, квантових шарів, квантових ниток, системам квантових точок, фулеренів, нанотрубок, графену. На підставі сучасних досягнень нанотехнологій розглянуто їх фізичні характеристики, специфіку властивостей, зумовлених вимірністю систем, їх природу і можливі пояснення. Розглянуто також перспективи використання наноструктур з огляду на їх фізичні властивості.

Створено фоточутливі сандвіч-структури на основі поруватого кремнію. Вивчено вплив легування поруватого шару іонами паладію на електричні та фотоелектричні властивості одержаних структур. Виявлено збільшення електропровідності та фотоерс експериментальних структур внаслідок інкорпорації паладію в матрицю поруватого кремнію. Досліджено температурні, енергетичні та часові залежності фотовідгуку бар'єрних структур та їх спектральні характеристики в діапазоні довжин хвиль 450 - 1100 нм. Одержані результати розширюють перспективу застосування структур на основі поруватого кремнію у фотоелектроніці.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211 + В379.227

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Створено сенсорні елементи на основі композитних плівок полі-3,4-етилендіокситіофену у поєднанні з нанокристалами поруватого кремнію та оксиду цинку. Зареєстровано збільшення електричного опору нанокомпозиту внаслідок адсорбції молекул аміаку, етанолу та ацетону. Для оцінки сенсорних властивостей розраховано адсорбційну чутливість одержаних композитних плівок і досліджено їх динамічні характеристики. Встановлено, що максимальна чутливість сенсорних елементів знаходиться в діапазоні концентрацій аналізованих газів 1 - 2 %, а час відклику становить 60 - 80 с. Керувати функціональними параметрами плівкових сенсорів можна змінюючи співвідношення між вмістом напівпровідникових наночастинок у гібридному композиті.

Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3

Рубрики:

Фотолюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Створено матрицю газочутливих елементів на основі наноструктур поруватого кремнію. Вивчено вплив адсорбції молекул води, аміаку, метану та етанолу на імпеданс сенсорних структур. Встановлено, що електрохімічне осадження нанокластерів паладію та оксиду цинку на поверхню поруватого кремнію забезпечує підвищення чутливості та селективності сенсорів. На основі одержаних сенсорних елементів та використанні інформаційних технологій створено систему ідентифікації газу та визначення його концентрації у повітряній атмосфері. Для ідентифікації газу використано перехресні залежності характеристик сенсорів. Одержані результати розширюють перспективу застосування наноструктур поруватого кремнію у сенсорних пристроях.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.206 + В371.212

Рубрики:

Властивості наноматеріалів

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + В374

Рубрики:

Кремній

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Теоретично досліджено особливості ефекту поля у поруватому кремнії з циліндричною формою пор. Просторовий розподіл потенціалу одержано шляхом аналітичного розв'язання Пуассонового рівняння у лінійному наближенні. Координатні залежності електростатичного потенціалу проаналізовано для різних значень радіуса пор і віддалі між порами. На основі одержаних залежностей встановлено, що Дебайова екранівна довжина зменшується зі збільшенням кривини поверхні. Показано, що ефект поля у поруватому кремнії зумовлює зміну електропровідності поруватого шару. Найбільша за модулем відносна зміна провідності відповідає значній кривині поверхні та невеликій віддалі між порами.