EUROBRIDGE-98: Abstracts of the Kiev (Vorsel') Workshop (Ukraine, 5-11 September 1998).

EUROBRIDGE-98: Abstracts of the Kiev (Vorsel') Workshop (Ukraine, 5-11 September 1998).

Ключ. слова: електронно-стимульованi реакцiї, сполуки А_2В_6, рухомi дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: whole-cell patch clamp, equivalent circuit, time domain method, filtering, parasite capacitance, integration, peak detection
Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*739.11

Рубрики:

Загальна зоологія

Шифр НБУВ: Ж61875 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано вплив домішок ультрадисперсних алмазів (УДА) в мішені для напилення на структурний стан нікелевих іонно-плазмових покриттів із домішками УДА, а також зроблено спробу створити механізм впливу домішок УДА на формування таких покриттів.

Досліджено структуру композитних матеріалів високої густини, які містять 50 - 100 % (об.) ультрадисперсного алмазу. Одержано матеріали змінної пористості з вмістом алмазу 20 - 50 %. Матеріали призначено для виготовлення інструментів, стійких проти зношування. Розглянуто особливості технології матеріалів. Формування виконано під тиском 3 - 5 ГПа за температур 500 - 700 °C. Одержаний матеріал змінної пористості, згідно з даними рентгеноструктурного аналізу, містить алмазну фазу, має високу густину та вільний від тріщин. Досліджено взаємодію різних неметалевих високоплавких сполук з алмазним компонентом розглядом явищ змочування та розтікання. Розроблено рекомендації щодо добору в'яжучих для алмазовмісних композитних матеріалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.275

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Фотомагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В365.561

Рубрики:

Дифузія в газах

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: defensins, expression, epidermal growth factor, tumor, vulvae, cervix
Індекс рубрикатора НБУВ: Р569.71-29

Рубрики:

Пухлини жіночої статевої системи (онкогінекологія)

Шифр НБУВ: Ж14160 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: defensin, epidermal growth factor receptor, tumor of cervix and vulvae, papillomavirus
Індекс рубрикатора НБУВ: Р569.71-2

Рубрики:

Пухлини жіночої статевої системи (онкогінекологія)

Шифр НБУВ: Ж14160 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л728-1

Рубрики:

Гума і гумові вироби

Шифр НБУВ: Ж29143 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Two reversible photo-enhanced defect reactions proceeding under visible light illumination have been found in CdS:Ag crystals. The first process leads to the increase of crystal photosensitivity, which has been shown to be caused by creation of "sensitizing" recombination centres. The second process results in photosensitivity degradation that has been proved to be due to disappearance of shallow donors. The initial state of the crystal restores under heating in dark. Both reactions have been shown to vanish after Ag extraction from the crystal. Metastable clusters including Ag and Cd atoms are supposed to be responsible for these reactions.

Исследовано содержание рецептора ЭФР (ЭФРР) в опухолевой ткани у больных раком молочной железы (РМЖ). По результатам трехлетних наблюдений пациенток с РМЖ выявлена корреляция между содержанием ЭФРР и исходом заболевания.

Знайдено "аномальний" дрейф дефектів у зовнішньому електричному полі (переміщення центрів акцепторного типу від аноду до катоду) за температур 400 - 700 K у кристалах CdS:Cu і CdS:Ag, а також у спеціально нелегованих кристалах CdSe. Ефект пояснюється перетворенням акцепторів у донори під час нагрівання. Донори являють собою метастабільні центри, що не проявляються в рівноважному стані та можуть бути виявлені тільки завдяки їх дрейфу в електричному полі. Показано, що акцептори являють собою домішки заміщення, в цьому разі перетворення акцептора в донор відбувається внаслідок переміщення атома домішки з вузла в міжвузловиння. Під час охолодження відбувається зворотній перехід і перетворення донора в акцептор.

С помощью метода ELISA с использованием рекомбинантного hBD-2 в качестве антигена исследован уровень аутоантител против бета-дефенсина-2 в сыворотке крови здоровых доноров, 4-х больных раком шейки матки и 13-ти больных раком вульвы. Установлено, что в сыворотке крови больных раком вульвы III - IV стадии достоверно повышен уровень антител против бета-дефенсина-2 в сравнении с таковым у здоровых доноров.

Ключ. слова: hBD-2, клонирование, экспрессия, химерный белок
Індекс рубрикатора НБУВ: Р569.714.2-29

Рубрики:

Пухлини шийки матки

Шифр НБУВ: Ж14160 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано новий підхід для розрахунку термодинамічного потенціалу, який полягає у зведенні відповідного негауссівського функціонального інтегралу до гауссівської форми із перенормованим корелятором густина - густина. Показано, що в цьому підході для розрахунку термодинамічного потенціалу достатньо знати ефективний потенціал міжелектронної взаємодії.

Наведено результати досліджень транспортування релятивістського електронного пучка з струмом, більшим за критичний, у циліндричній камері дрейфу за присутності іонного потоку. Теоретичний аналіз динаміки електрон-іонного утворення грунтується на методі великих частинок (РІС). Показано, що в разі спільної інжекції надкритичного електронного пучка та низько енергетичного слабострумового іонного пучка в камері дрейфу, поряд з електронним віртуальним катодом може утворитися віртуальний анод. Віртуальний анод періодично пульсує. Числові розрахунки, проведені для іонів водню й азоту, показали, що відношення частот пульсацій обернено пропорційне відношенню мас іонів. Коливання віртуального анода призводять до модуляції в часі з тією ж частотою електронного й іонного струмів на виході дрейфової камери.

Досліджено вплив імпульсного випромінювання рубінового лазера на спектри люмінесценції і пропускання нелегованих монокристалів ZnO. Як опромінення, так і вимірювання проводились за 300 К. Виявилось, що опромінення викликає зростання прозорості в області краю поглинання і підйом короткохвильового крила екситонної люмінесценції відносно її довгохвильового крила. Ці зміни супроводжуються зростанням електропровідності кристала. Аналіз одержаних результатів разом з відомими даними дозволяє зробити висновок, що під дією ультразвукової хвилі, яка збуджується лазерним імпульсом, відбувається відхід дрібних рухливих донорів від дислокацій в об'єм кристала. Зменшення концентрації дрібних донорів поблизу дислокацій призводить до звуження хвоста густини станів с-зони в цих областях, що обумовлює зсув краю оптичного поглинання в короткохвильовий бік.