Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: sol - gel materials, organic-inorganic nanocomposites, silicaphosphate, X-ray diffraction (wide- and small angles), fractal structure, dielectric relaxation spectroscopy, proton conductivity
Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91

Рубрики:

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + К230.3

Рубрики:

Структура напівпровідників

Кристалізація кольорових металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано семейство интегральных универсальных преобразователей частота-код и микросхем универсальных сенсорных интерфейсов, предназначенных для различных датчиков и преобразователей с частотными выходами. Все ИМС базируются на четырех новых запатентованных методах измерения частоты (периода), коэффициента заполнения (скважности), отношений двух частот (периодов) и фазового сдвига. Микросхемы обладают высокой точностью, безызбыточным временем преобразования, масштабируемой разрешающей способностью, программируемой относительной погрешностью преобразования, широким диапазоном преобразуемых частот и функциональными возможностями. ИМС обладают также интеллектуальными возможностями, включающими самоидентификацию и самоадаптацию, а также возможностью хранения во флеш-памяти таблицы электронной спецификации TEDS (Transducer Electronic Data Sheet) в соответствии со стандартом IEEE 1451.4. Такие ИМС существенно упрощают разработку (и сокращают ее время) цифровых и интеллектуальных датчиков и систем, уменьшают себестоимость различных сенсорных приложений при улучшении их метрологических характеристик.

The problem of the distribution of tasks in the computer system when the number of computers exceeds the number of tasks is distributed. The various sorting algorithms are applied for this purpose. Auto select of sorting algorithm which depending on the properties of data that represented by input arrays are proposed, in order to speed up work before the distribution of tasks based on the use of sorting algorithms. We show that the chosen solution to the problem is effective, because selection time of algorithm insignificant effect on the total time sorting. It is proved that the algorithm reduces the sorting time of input data, and so the time of the distribution of tasks in the computer system.

A low cost, automatic, transmissive paper thickness sensor system with increased reliability and a short detection time (~ 15 ms) is described in the paper. The sensor system is based on a cheap light-to-frequency converter and universal sensors and transducers interfacing IC. The designed automotive paper thickness sensor system has a wide dynamic range of 5 000 000 : 1, immunity against high noises, high resolution and minimum component interface. Due to low price, minimum possible conditioning and interfacing hardware such sensor system can be used not only in photo- but also in office laser and ink printers.

Метод багатокутової еліпсометрії використано для вимірювань характеристик тонких шарів на підкладках. Цей метод дає змогу знайти фундаментальні оптичні постійні та товщину тонких шарів. Визначено діелектричні функції для поверхневих шарів на підкладці з гадоліній-галієвого гранату - загальновживаного матеріалу для виготовлення плівок рідкоземельних ферогранатів. З'ясовано походження та виміряно товщину поверхневого шару на підкладці з гадоліній-галієвого гранату. Показано, що діелектричні властивості мікроскопічно шорстких шарів товщиною 20-35 нм можуть бути точно змодельовані у наближенні тонкого однорідного шару, але не в наближенні ефективного середовища. Точність отриманих даних було підтверджено співставленням різних способів моделювання. Показано наявність узгодження до третього знаку для показника заломлення. Похибки вимірювання товщини не перевищували 3%.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602.5 + К232.607

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12

Рубрики:

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено особливості іонної агрегації, теплофізичних і динамічно-механічних характеристик поліуретанових іономерів нового типу, в яких, на відміну від традиційних іоновмістних поліуретанів, іонна функція притаманна гнучкому блоку. Показано, що дані системи характеризуються співіснуванням мікрофазової сегрегації гнучких і жорстких сегментів з характерною морфологією, що обумовлена сегрегацією іонних груп. Встановлено, що іонні агрегати розміщуються в міждоменних гнучколанцюгових прошарках. Така комбінована морфологія знаходить відображення у виникненні високотемпературного переходу склування, зумовленого наявністю ожорствлених під впливом іонних агрегатів гнучколанцюгових сегментів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.325

Рубрики:

Поверхневі явища в діелектриках

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Синтезовано поліуретани нового типу з кислотними (або йонними) групами в їх гнучких (поліефірних) сегментах. Вивчено морфологію і частотні залежності їх провідності та діелектричної релаксації. Поліуретани з кислотними групами в ланцюгу характеризуються гомогенною морфологією при високому рівні протонної провідності. Відповідний йонвмісний полімер, йонні групи котрого агреговані в мультиплети, характеризується меншою кількістю носіїв зарядів і нижчим рівнем провідності. Для поліуретанів кислотної та йонної форми характерна наявність двох релаксаційних процесів (релаксація провідності й сегментальна релаксація), що характеризуються суттєвою різницею їх енергій активації.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г246.151 + В377.12

Рубрики:

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2

Рубрики:

Природа сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Мета роботи - одержати трансгенні рослини моркви та селери, що експресують рекомбінантний тауматин II, з метою підвищення стресостійкості цих культур. Для одержання трансгенних рослин проводили Agrobacterium-опосередковану трансформацію. Присутність та транскрипцію трансгенів підтверджували за допомогою ПЛР та ЗТ-ПЛР аналізів. Визначали стійкість одержаних рослин до біотичних стрес-факторів (аналіз антибактеріальної/антифунгальної активності in vitro) та до дії сольового/осмотичного стресу (тест на виживання рослин за присутності NaCl/ПЕГ у різних концентраціях). Трансгенні рослини моркви та селери, що експресують ген тауматину II (транскрипцію підтверджено для 60 - 100 %) було одержано шляхом агробактеріальної трансформації. Екстракти трансгенних рослин моркви інгібували ріст досліджуваних штамів фітопатогенних бактерій, але не виявляли антифунгальної активності. Рівень виживання трансгенних рослин у разі абіотичного стресу був значно вищим у порівнянні з нетрансгенними рослинами. Аналіз вмісту фотосинтетичних пігментів не показав достовірної різниці показників для трансгенних рослин під час сольового стресу, що може вказувати на можливу захисну активність рекомбінантного білка. Висновки: одержані у дослідженнях трансгенні рослини селери та моркви, що експресують рекомбінантний тауматин II, характеризувались антибактеріальною активністю та підвищеною стійкістю до сольового та осмотичного стресу.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е521.5*725.123.112

Рубрики:

Mycota Гриби. Мікологія

Шифр НБУВ: Ж100178 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено події, заходи та засоби зі створення і встановлення пам'ятної дошки на честь 125-ї річниці з дня народження Ф. Кізлера у його рідному м. Чернівці.