Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (41) | Книжкові видання та компакт-диски (186) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.222,022$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 69 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Давидюк Г. Є. Електричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію з дефектами радіаційного походження : Дис... д-ра фіз.- мат. наук: 01.04.10 / Г. Є. Давидюк; Волинський державний університет імені Лесі Українки. - Луцьк, 1995. - 360 c. - укp.
Шифр НБУВ: ДС49677 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Сайко С. В. Нестаціонарна акустоелектрична та акустооптична спектроскопія глибоких рівнів в GaAs : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / С. В. Сайко; Київський національний університет імені Тараса Шевченка. - К., 1996. - 186 c. - укp.
Шифр НБУВ: ДС50479 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Даулєтмуратов Б. К. Стимульоване лазерним випромінюванням дефектоутворення в CdTe та твердих розчинах Mgsubx/subCdsub1-x/subTe і Cdsubx/subHgsub1-x/subTe : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Б. К. Даулєтмуратов; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1998. - 16 c. - укp. - рус.
Шифр НБУВ: РА303209 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Міщенко Л. А. Вплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Л. А. Міщенко; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1998. - 16 c. - укp. - рус. Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe : V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами.  Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + З843.32 Рубрики: Шифр НБУВ: РА302578 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Борковська Л. В. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук Asub2/subBsub6/sub : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Л. В. Борковська; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 16 c. - укp. - рус. Показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації під дією імпульсного ультразвуку. Доводиться, що фотостимульоване утворення дрібних донорів в об'ємі кристалів CdS обумовлено розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов'язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА305748 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Клімов А. О. Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. О. Клімов; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 18 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА306130 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Юхимчук В. О. Оптичні властивості кремнієвих, германієвих і вуглецевих наноструктур, одержаних імплантацією : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. О. Юхимчук; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА306386 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Кислюк В. В. Електродифузія іонів як спосіб керування концентрацією мілких донорів у сульфіді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Кислюк; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 16 c. - укp. - рус. Дисертацію присвячено теоретичному та експериментальному вивченню розподілу мілких донорів міжвузлового кадмію у CdS під дією електричного поля різної природи. На основі розглянутих теоретичних моделей розроблено та експериментально реалізовано: а) методи очищення об'єму сульфіду кадмію від рухомих донорів; б) метод визначення коефіцієнта дифузії міжвузлових іонів кадмію у CdS. Досліджено особливості електродифузії іонів кадмію у низькоомних нелегованих монокристалах CdS, вивчено вплив електродифузії донорів на властивості гетеропереходів. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.256,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА305820 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Пузенко О. О. Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. О. Пузенко; НАН України. Ін-т фізики. - К., 1999. - 17 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25,022 + В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА306417 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Кнорозок Л. М. Деформаційні зміни кристалічної гратки і енергетичного спектра електронної підсистеми антимоніду індію при подвійному легуванні : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Л. М. Кнорозок; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 17 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА305716 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Лісовський І. П. Структурні перетворення в поверхневих шарах кремнієвої та кремній-кисневої фази : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / І. П. Лісовський; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 30 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА305085 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Штим В. С. Вплив дефектів структури на магнітні властивості кремнію та германію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В. С. Штим; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2000. - 16 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА307814 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Івасів З. Ф. Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / З. Ф. Івасів; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + З854.22-01 Рубрики: Шифр НБУВ: РА310217 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Верцімаха Г. В. Вплив магнітних іонів та неоднорідностей і флуктуацій їх просторового розподілу на екситонні спектри в напівпровідникових гетероструктурах : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. В. Верцімаха; НАН України. Ін-т фізики. - К., 2000. - 19 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА313597 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Наливайко Д. П. Напівпровідникові кристали Cdv1 - xDZnvxDTe для детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Д. П. Наливайко; НАН України. Наук.-техн. концерн "Ін-т монокристалів". - Х., 2001. - 19 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.251,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА316187 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Таланін В. І. Утворення, трансформація та властивості ростових мікродефектів у напівпровідниковому кремнію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / В. І. Таланін; Зап. держ. ун-т. - Запоріжжя, 2001. - 21 c. - укp. Розглянуто питання стосовно комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізмів утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених з використанням методів Чохральського та безтигельної зонної плавки. Проведено комплексні дослідження структурної досконалості кристалів і кремнієвих композицій залежно від умов їх формування, а також електрофізичні дослідження отриманих композицій. На підставі результатів експериментів розроблено узагальнений механізм утворення, росту і трансформації мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: рА317160 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Карпова Л. М. Термоактиваційна спектроскопія кристалів Biv12D SiOv20D, легованих іонами Cr і Mn : Автореф. дис... канд.фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Л. М. Карпова; Дніпропетр. нац. ун-т. - Д., 2001. - 18 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА317623 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Стрільчук О. М. Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Стрільчук; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 20 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА314059 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Пелещак Р. М. Електрон-деформаційні ефекти у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Р. М. Пелещак; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2001. - 36 c. - укp. Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.371,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА313978 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Богобоящий В. В. Формування акцепторної зони дефектами і домішками в кристалах вузькощілинного p-Hgv1 - xDCdvxDTe : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / В. В. Богобоящий; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2002. - 32 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА318056 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського