Скачати повний текст

Досліджено фізичні процеси, що відбуваються у багатофункціональних електрохемілюмінесцентних елементах (ЕХЛ), призначених для хімічного аналізу та генерації когерентного та некогерентного оптичного випромінювання, з робочими електродами, модифікованими штучно організованими молекулярними плівками, одержаними за методом Ленгмюра - Блоджетт (ЛБ), з вбудованими молекулами органічних люмінофорів. Проаналізовано фізичні процеси, що відбуваються в ЕХЛ з модифікованим робочим електродом. З використанням розроблених математичних моделей проведено розрахунки основних фізичних процесів, що впливають на роботу ЕХЛ-елемента з модифікованим робочим електродом, який може бути застосований як джерело некогерентного оптичного випромінювання або як сенсор на окремі хімічні сполуки. Розроблено багатошарову структуру робочого електрода ЕХЛ-елемента, що має хвилеводні властивості та може застосуватись для генерації когерентного оптичного випромінювання. Проведено теоретичне дослідження параметрів і умов генерації. Досліджено електрохімічні та ЕХЛ-властивості елементів з електродами, модифікованими мультишаровими впорядкованими плівками ЛБ органічних люмінофорів.

Досліджено спектри електронів, дірок, екситонів і фононів у простих і складних сферичних квантових точках, а також електрон- і екситон-фононній взаємодії у зазначених наносистемах. Розвинуто теорію та виконано розрахунки спектрів і хвильових функцій квазічастинок у багатошарових сферичних квантових точках і сферичних періодичних наноструктурах. Висвітлено особливості локалізації квазічастинок у них. На підставі прикладу циліндричної квантової точки зі скінченною висотою потенціального бар'єра на межі поділу середовищ запропоновано метод наближеного розрахунку спектрів електронів і дірок у квантових точках несферичної симетрії. Розраховано зонні характеристики для надгратки сферичних квантових точок. У рамках моделі діелектричного континуума розвинуто теорію та розраховано енергії обмежених та інтерфейсних фононів у складних сферичних квантових точках. На базі методу функцій Гріна розраховано перенормування енергій основних етапів електрона та дірки взаємодією з фононами з повним врахуванням конфігураційної взаємодії. Розвинуто теорію квазістаціонарних резонансних станів електронів і дірок у "відкритих" сферичних і циліндричних наносистемах. Розраховано залежності часів життя квазістаціонарних резонансних станів від розмірів квантових ям, ширини потенціальних бар'єрів і величини поздовжнього квазіімпульсу для "відкритих" квантових дротів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Роботу присвячено теоретичному опису енергетичного спектра колективних збуджень типу фонон-плазмових мод, які спостерігались у штучних надгратках на основі GaAs. Визначено, що у надгратках уздовж шарів поширюються одна оптична й одна акустична моди, або дві акустичні фонон-плазмові хвилі, якщо хвильовий вектор не паралельний шарам. Виявлено, що у шаруватих провідниках, які містять дефектні шари, існують фонон-плазмові хвилі, локалізовані поблизу цих шарів. Відповідно до знака зсуву величин концентрації та маси носіїв заряду, які визначаються параметром відхилення DELTA, можливим є поширення двох локальних мод акустичного типу, або однієї оптичної та однієї оптичної локальної мод. Отриманий на підставі розрахунків спектр узгоджується з експериментальними даними у шаруватих ВТНП купратах за умови неоднорідного розподілу кисню у шарах. Одержано систему рівнянь, яка дозволяє описувати власні моди у шаруватих провідниках без додаткових обмежень, що пов'язані з періодичністю розташування шарів, а також однорідністю діелектричного середовища впоперек шарів. Чисельно та аналітично розраховано закони дисперсії геліконів, гелікон-плазмонів, квантових хвиль у шаруватих надгратках, а також з'ясовано спектр магнітодомішкових хвиль у шаруватих провідниках і надгратках, які містять домішкові стани.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + В381.592,022

Рубрики:

Електричні властивості

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: РА333267 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Виявлено ефект обмеження струму в оксидно-індієвій кераміці - після ділянки надлінійного росту струму з напругою струм зростає повільніше, ніж лінійно, спостерігається його насичення і навіть зменшення. Розроблено модель сублінійної залежності струму від напруги в оксидній кераміці, здійснено числове моделювання такого неомічного ефекту. На відміну від відомої моделі, враховано ріст концентрації акцепторних станів на межі зерен за рахунок додаткової адсорбції кисню в результаті прикладення напруги. На температурній залежності електропровідності одержаної оксидно-індієвої кераміки в повітрі в діапазоні 570 - 670 К виявлено ділянку росту опору матеріалу з нагрівом. Запропоновано механізм обмеження струму в оксидній кераміці з нанорозмірними зернами. Насичення струму в такому матеріалі пов'язується з фіксацією висоти потенціального бар'єру на межі зерен в результаті досягнення напруги, за якої шар, збіднений носіями заряду, розширюється на все зерно.

Досліджено енергетичний спектр низькорозмірних (поруватих і нанокристалічних) кремнієвих структур та електронних властивостей межі поділу кристалічного кремнію - поруватого шару за допомогою методу модуляційної спектроскопії електровідбивання. Встановлено, що позитивно заряджені дефекти в окисній плівці спричиняють збагачення електронами приповерхневих шарів кристалічного кремнію під поруватою шубою, а на межі поділу кристалічного кремнію - поруватого шару виникає внутрішнє вбудоване поле. Розроблено зонну діаграму зміни типу поверхневої провідності кристалічного кремнію залежно від площі ефективної поверхні поруватого шару та товщини окисної плівки на ній. Показано, що в енергетичному спектрі поруватого та нанокристалічного кремнію є прямі переходи у спектральних областях поблизу 1,7 еВ, 2 еВ, 2,35 еВ, 2,6 еВ і 2,9 еВ, які пов'язані з переходами зони поверхневих станів - зони провідності.

Розроблено фізічні основи застосування поляризаційних явищ для вивчення та контролю особливостей керамічних матеріалів з міжкристалітними потенціальними бар'єрами. Експериментально досліджено ізотермічну та термостимульовану деполяризації, нелінійну електропровідність та ємнісний ефект залежно від структурної невпорядкованості оксидно-цинкової варисторної кераміки різних складів. Наведено моделі для аналізу температурної залежності струмів термостимульованої деполяризації, що враховують перезарядження об'ємних і поверхневих електронних станів на протилежних сторонах напівпроводникового кристаліту неоднорідної системи з міжкристалітними потенціальними бар'єрами. Запропоновано методи прогнозування вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик, що враховують поляризаційні явища в широкому діапазоні електронних напруг. Розвинуто фізичні основи застосування явищ ізотермічної та термостимульованої деполяризації та вольт-фарадних характеристик у діапазоні малих напруг для визначення фізичних параметрів оксидної варисторної кераміки.

На прикладі матрично-дисперсної системи (МДС) пентапласт - AgI за результатами проведених досліджень питомої теплоємності вперше проведено кількісне оцінювання фізичної взаємодії компонентів. Виявлено та досліджено явище термічно стимульованих коливань лінійних розмірів полімерного композиційного матеріалу (ПКМ) у температурному інтервалі фазового переходу наповнювача на ефект значного підвищення поглинальної здатності композитів МДС ультразвуку й електромагнітних хвиль у надвисокочастотному діапазоні. Запропоновано чотирикомпонентну структурну модель МДС, надано кількісну оцінку ефективної теплопровідності пентапласту у стані пристінного шару.

Досліджено електричні, фотоелектричні та рентгеноелектричні процеси у анізотипних гетеропереходах сульфід - телурид кадмію, виготовлених методом реакцій твердофазного заміщення. Розглянуто технологічні режими які дозволяють отримувати гетеропереходи з незначною концентрацією дефектів на межі поділу. Проаналізовано зв'язок основних електричних та фотоелектричних характеристик і параметрів гетероструктур за умов їх виготовлення. Виявлено спектральну залежність коефіцієнтів помноження носіїв заряду, що дало змогу встановити домінуючу роль дірок у процесах ударної іонізації. Наведено спектральні та дозиметричні характеристики гетероструктур під час їх опромінення рентгенівськими квантами. Виготовлено лабораторні зразки сонячних елементів, детекторів лазерного випромінювання, оптопар, детекторів рентгенівського випромінювання прямого перетворення та типу "сцинтилятор-фотодіод". Чутливість останніх до рентгенівських квантів у діапазоні 8 - 33 кеВ більш, ніж на два порядки перевищує чутливість існуючих аналогів.