Проведено теоретичне моделювання ефективності фотоперетворення та споріднених фотоефектів для випадків, якщо відповідні теорії відсутні або виконані у спрощеному варіанті, з акцентуванням на аналізі розмірних ефектів, які виникають у даному процесі. У науковому дослідженні враховано складну структуру об'ємного часу життя в базовій та емітерній областях і деталізовано розрахунок величин швидкостей поверхневої рекомбінації, яка відбувається на фронтальній і тиловій поверхнях сонячних елементів (СЕ). Зокрема, під час визначення об'ємного часу життя ураховано рекомбінацію Шоклі - Ріда - Хола, міжзонну випромінювальну рекомбінацію, екситонну випромінювальну та безвипромінювальну рекомбінацію та міжзонну Оже-рекомбінацію. Виявлено, що ефективні швидкості поверхневої рекомбінації на фронтальній і тиловій поверхнях СЕ розраховуються самоузгоджено з урахуванням рекомбінації за механізмом Шоклі - Ріда на поверхневих центрах, величин вигинів зон біля фронтальної та тилових поверхонь СЕ, а також таких параметрів емітерної та колекторної областей як час життя неосновних носіїв заряду, рівень легування та товщини цих областей. Ураховано тунельний механізм струмопроходження у ВАХ кремнієвих СЕ за низьких температур, що дозволило одержати узгодження з експериментом. Одержано значення коефіцієнту неідеальності для коротких у порівнянні з довжиною дифузії кремнієвих СЕ залежно від рівня ін'єкції за умов урахування окремих механізмів у базовій області.

  Скачати повний текст

Експериментально вивчено динамічний вплив ультразвуку на електрофізичні та фотоелектричні параметри кремнію та структур на його основі, використання ультразвукових методик для вимірювання параметрів епітаксійних напівпровідникових структур. Виявлено ефект збільшення довжини дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному кремнії під дією ультразвуку. Знайдено ефективний об'єм акусто-дефектної взаємодії. Запропоновано модель бістабільного акустоактивного рекомбінаційного центру. Визначено ряд параметрів електронних рівнів, пов'язаних з комплексами точкових дефектів у епітаксійних структурах арсеніду галію. Встановлено, що за допомогою ультразвуку можна збільшити струм короткого замикання сонячного елемента та впливати на інші його характеристики. Показано, що ультразвук може бути ефективним інструментом впливу на процеси фотоелектричного перетворення.

  Скачати повний текст

Одержано зонно-енергетичну діаграму бромиду індію та ефективні маси вільних носіїв заряду. Встановлено генезис валентних зон та нижніх зон провідності InBr. Розраховано розподіл густини станів, виміряно фотоелектронний спектр у широкому енергетичному діапазоні, проаналізовано структуру, досліджено генетичне та просторове походження основних смуг та вплив особливостей Ван Хова на формування функції густини станів. Проведено розрахунок повної енергії, визначено рівноважні параметри основного стану кристала та атомні характеристики InBr. Проаналізовано природу виміряних у широкій енергетичній області (до 30 еВ) поляризованих спектрів відбивання за температури рідкого гелію з використанням обчислених за співвідношенням Крамерса - Кроніга оптичних функцій монокристалів InBr. Розраховано міжзонні матричні елементи дипольного моменту та спектри уявної частини діелектричної проникності для різних поляризацій світла. Проведено ідентифікацію головних особливостей оптичних спектрів броміду індію.

В роботі проведено дослідження фононних та електронних спектрів короткоперіодних напівпровідникових надграток CdTe/HgTe та GaAs/AlAs. Отримано енергії та дисперсії інтерфейсних коливних мод та їхню локалізацію на границях розділу для даних надграток. Досліджено енергію і симетрію локальних коливань у залежності від положення домішкового атома відносно гетерограниці. Знайдено параметри надгратки, при яких відбувається перехід прямозонна-квазіпрямозонна-непрямозонна структура для надграток (GaAs)n/(AlAs)n та перехід напівметал-напівпровідник для надграток (CdxHg1-xTe)m/(CdTe)n. На основі аналізу розрахованих фононних і електронних спектрів та експериментальних даних по фотолюмінесценції короткоперіодних надграток (GaAs)n/(AlAs)n зроблено висновок, який полягає в тому, що процеси фотолюмінесценції в даних структурах відбуваються при участі саме інтерфейсних фононів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + В379.271.4,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: РА367050 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів паруватого кремнію (ПК) на ефективність об'ємного фотоперетворювача на базі мультикристалічної кремнієвої текстурованої підкладинки, встановлення механізмів струмопроходження в дисперсних фотоперетворювачах, знаходження оптимальних параметрів цих структур. Числово встановлено вплив квантових ям на параметри фотоперетворення в кремнієвих сонячних елементах з ПК. Розроблено метод керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Брегівським дзеркалом.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4,022

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: РА399390 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + В379.247,022 + В379.271.4,022

Рубрики:

Структура напівпровідників

Спектроскопія напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: РА384681 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226, 022 + В379.271.4,022

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: РА378759 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + В379.271.4,022

Рубрики:

Структура напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: РА394128 Пошук видання у каталогах НБУВ