Індекс рубрикатора НБУВ: З852-03

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено фотолюминесцію (ФЛ) нанокристалів CdS, вирощених у різних полімерних матрицях. Показано, що природа центрів ФЛ нанокристалів є аналогічною центрам світіння в об'ємних кристалах CdS і пов'язана з їх власними дефектами. Виявлено, що желатинова матриця може виконувати активну роль у процесах збудження люмінесценції.

Пояснено процеси, що проходять у полімерній матриці композитних структур (провідний полімер)/(напівпровідникові нанокристали CdS) у разі введення різноманітних домішок. Основну роль у процесі перенесення носіїв у досліджуваних структурах грають, породжувані струмом, що проходить по молекулах поліпептиду, радикал-іони. Наявність ділянки негативного диференціального опору на вольт-амперних характеристиках можна пояснити збільшенням опору полімеру внаслідок зміни просторової конфігурації молекул желатини. Збільшення провідності полімеру (ПП) у випадку введення добавки ацетону пояснюється зменшенням опору полімеру за рахунок збільшення концентрації зв'язаної води та кількості можливих іонних каналів. У разі додавання хлориду натрію підвищення ПП пояснюється збільшенням кількості носіїв заряду.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Вивчено механізми переносу заряду у тонкоплівкових Au - CdTe діодах Шотткі на металевій підкладинці та CdS/CdTe гетероструктур на скляній підкладинці. Доведено, що вольт-амперні характеристики даних структур добре узгоджуються з теорією генерації-рекомбінації Саа - Нойса - Шоклі з урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. Відзначено, що розходження експериментальної та теоретичної кривих за значних напруг зумовлене впливом надбар'єрного струму у межах дифузійного наближення. Проаналізовано значущість втрат, спричинених рекомбінацією в області просторового заряду та поверхневою рекомбінацією, на ефективність збирання заряду у фотовольтаїчній структурі, сформульовано вимоги до електропровідності матеріалу фотоперетворювача. Досліджено спектри чутливості фотовольтаїчних структур на основі CdTe. Проведено їх розрахунок на базі моделі, що враховує дрейфову та дифузійні складові струму, а також поверхневу рекомбінацію. Варіюванням параметрів матеріалу (концентрації некомпенсованих домішок і часу життя носіїв) пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодних структур різного типу.

Розроблено сумісні технології формування локальних планарних "кремній-на-ізоляторі" (КНІ) структур методами мікрозони лазерної рекристалізації й оригінальні технологічні підходи формування локальних тривимірних КНІ-структур. Розроблено архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою КНІ для мікросистемних використань. Досліджено можливості використання приладних КНІ-структур для екстремальних умов експлуатації. Розроблено нові тривимірні КНІ елементи для побудови мікросистем, зокрема, контакти та міжз'єднання, ключові елементи на діодах Шоткі, КНІ МОН-транзистори, елементи матриць автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування з покращаними характеристиками на основі об'ємного кремнію.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-03 + В375.147,0

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Напівпровідникові прилади

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: ВС49650 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Наведено результати дослідження структурно-фазового стану та магніторезистивних властивостей (анізотропний магнітоопір, гігантський магнітоопір) тришарових нанокристалічних плівкових систем CoNi/Ag(Cu)/FeNi за умов надвисокого безмасляного вакууму.

Вивчено структурні та електричні властивості гетеропереходів ZnTe/CdTe, одержаних за допомогою методу термічного випаровування в квазізамкненому об'ємі. Проведені дослідження дозволили визначити структурні параметри плівок, такі як текстура, період кристалічної гратки, розміри кристалітів та областей когерентного розсіювання, рівень мікродеформацій, а також їх залежність від умов одержання плівок. Електрофізичні дослідження дозволили визначити механізми струмоперенесення в гетеропереході.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З852-03

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

С использованием технологии Tape Casting получены керамические наноструктурные пленки микронной толщины 8 - 23 мкм. Изучены структура, морфология и оптические свойства пленок. Показано, что полученные пленки являются прозрачными в среднем инфракрасном диапазоне. Изучена зависимость вида интерференционной картины от толщины синтезированных пленок.

Одержано компактні зразки з порошків легованого сурмою діоксиду олова у камері високого тиску за гідростатичного стиснення 4 ГПа й температури 873 К. Використання баротермічної обробки дозволило одержати матеріал, що характеризується високою щільністю та твердістю. Досліджено електричні й фізичні властивості матеріалу. На підставі температурної залежності електроопору встановлено, що об'єкт дослідження є виродженим напівпровідником з низькою (1,5 меВ) енергією активації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-03

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние условий осаждения на состав пленок поликристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (ПКЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношений их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК.

Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану та закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат і температур осадження, за яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК.

The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined.

Предложен новый метод определения функциональной пригодности кристаллов CdZnTe для применения в радиоэлектронной аппаратуре на основе метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Критериями для определения функциональной пригодности кристалла выбраны времена жизни носителей заряда, которые рассчитываются на основе информации о дефектно-примесной структуре кристалла. Эта информация получена применением метода сканирующей фотодиэлектрической спектроскопии. Приведены результаты в виде графических зависимостей и таблиц. Выполнен анализ полученных данных. Показано, что эти данные согласуются с данными, полученными ранее с помощью других методов.

Експериментально показано, що час досягнення стаціонарних значень контактної різниці потенціалів і роботи виходу електрона після обробки поверхні Si-пластин у кислотно-пероксидних розчинах є меншими, ніж в амоніачно-пероксидних. Одержані результати трактуються утворенням на поверхні Si відповідно оксидної плівки та гідроксидного шару, що під час анодування призводить до формування макро-, мікро- чи мезопоруватого шару кремнію.