Методом компьютерного моделирования исследована равномерность распределения модуля температурного градиента G(r) вдоль радиуса кристалла алюмоиттриевого граната вблизи фронта кристаллизации в момент перехода от ускоренной к медленной стадии выращивания в зависимости от теплопроводности конусной части. Расчеты проведены при различных диаметрах кристалла и тигля. Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение зависимости G(r) на фронте кристаллизации при малых значениях модуля G.

The uniformity of distribution of temperature gradient G(r) along radius of yttrium-aluminum garnet crystal near the crystallization front was studied in moment of transition from rapid to slow crystal growth stage depending on heat conductivity of cone part by means of computer simulation method. Calculations are performed at different diameters of crystal and crucible. The existence of optimal value of heat conductivity at which the dependence G(r) has a most uniform distribution and little value of modulus G was determined.

Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (ДН) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности ДН, его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения).

The task of realization of the high-speed nonrecursive digital filter on FPGA is considered. Ways of construction of high-speed elements of the filter are investigated: the multidigit shift register, the vector binary multiplier, the vector binary adder. In work examples of the description of these elements in language of description VHDL are resulted.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + В379.26 + Г522.1

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Кристалічні структури неорганічних сполук

Шифр НБУВ: ВА636572 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147 + Г522.1

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Кристалічні структури неорганічних сполук

Шифр НБУВ: ВА636571 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: вольфрамат кадмия, сцинтилляционный детектор, рост кристаллов, метод Чохральского.
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.603.4 + В375.147

Рубрики:

Вирощування монокристалів кадмію та його сплавів

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены вопросы разработки технологии выращивания нелинейных и электрооптических водорастворимых монокристаллов KDP/DKDP, использующихся в качестве широкоаппаратурных умножителей частоты и ячеек Поккельса в мегаджоульных установках по осуществлению лазерного термоядерного синтеза. Приведены физико-технические характеристики монокристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированного аналога дидейтерийфосфата калия. Дано описание способов выращивания кристаллов большого размера из водных растворов, проанализированы факторы, влияющие на процессы роста и свойства кристаллов. Особое внимание уделено связи струкутурного совершенства, оптических и лазерных характеристик кристаллов типа KDP с технологией получения, химическим составом сырья, тонкой дефектной структурой выращенных кристаллов. Исследованы воздействия термообработки на микродефекты, образовавшиеся в процессе роста кристаллов или при их эксплуатации в реальных условиях лазерных элементов.

Ключ. слова: борати, метод Чохральського, фотолюмінесценція
Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розкрито технологічні засади глибокої очистки речовин, одержання матеріалів для електронних пристроїв. Наведено основні методи вирощування монокристалів, очистки напівпровідникових матеріалів. Розглянуто місце та роль технології у створенні виробів електронної техніки. Запропоновано класифікацію матеріалів напівпровідникового виробництва, способів очистки матеріалів від домішок. Проаналізовано вплив різних факторів на швидкість процесів сублімації та дистиляції. З'ясовано суть поняття про коефіцієнт розподілу та розділу. Визначено рівноважний й ефективний коефіцієнт розподілу.

Раскрыты технологические основы глубокой очистки веществ, основы технологии получения материалов для электронных устройств. Приведены основные методы выращивания монокристаллов, очистки полупроводниковых материалов. Рассмотрены место и роль технологии в создании изделий электронной техники. Предложена классификация материалов полупроводникового производства, способов очистки материалов от добавок. Проанализировано влияние разных факторов на скорость процессов сублимации и дистилляции. Согласована сущность понятия о коэффициенте распределения и разделения. Определен равновесный и эффективный коэффициент распределения.

За допомогою просвічуючої електронної мікроскопії та оптичної мікроскопії проведено дослідження бездислокаційних монокристалів кремнію, одержаних за допомогою методу Чохральського. У кристалах, вирощених із підвищеними швидкостями росту, виявлено спільне існування мікродефектів міжвузловинного і вакансійного типів.

За відсутності конвективних течій у розплаві одержано аналітичні вирази щодо температурних полів й у разі направленої кристалізації за методом Бріджмена. Досліджено вплив неоднорідності градієнта температур і руху ампули на форму фронту кристалізації, знайдено умови, за яких фронт кристалізації є плоским.

Изучена кинетика образования поликристаллического алмаза карбонадо. Установлено, что первичной стадией его образования является стадия полиморфного перехода графит - алмаз. Проникновение сплава-катализатора в зону реакции определяется снижением давления на границе образования алмаза из-за объемного эффекта превращения графит - алмаз.

Рассмотрены методы улучшения качества видеоизображения при определении диаметра монокристалла кремния телевизионным способом в процессе роста. Применение этих методов позволяет повысить точность измерения диаметра слитка в процессе роста, что приводит к рациональному использованию сырья.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Відзначено доцільність використання в синтезі систем управління процесом вирощування монокристалів кремнію статистичних моделей передатних функцій. Запропоновано для моделювання залежності відхилень діаметра кристалу від відхилень швидкості витягування та температури розплаву використовувати двохвходову об'єднану модель "передатна функція - шум". Описано процедуру ідентифікації параметрів розглянутої моделі на основі використання вибіркових оцінок відповідних автоковаріаційних і взаємних коваріаційних функцій. Модель шуму запропоновано ідентифікувати за відновленою послідовністю. Відзначено можливість узагальнення запропонованого підходу на випадок, коли кількість входів більше двох.

Розглянуто питання побудови статистичної моделі залежності діаметра кристала від швидкості витягування та температури розплаву в зоні кристалізації для процесу вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральского. Відзначено важливість задачі побудови узагальненої математичної моделі методу Чохральского й істотні, на сьогодні практично не переборні, труднощі її розв'язання. У зв'язку з цим для розв'язання окремих задач керування процесом доцільне використання статистичних моделей. Як базовий клас моделей запропоновано використовувати клас ARMAX-моделей. Для відшукання оцінок максимальної правдоподібності параметрів моделі використано рекурсивну RHYP-процедуру тестування гіпотез. Описано алгоритми формування множини тестованих гіпотез і визначення оцінок параметрів моделі. Перевагою використаного підходу є можливість послідовного обчислення цільової функції та оцінок параметрів за рахунок застосування стандартного послідовного методу найменших квадратів.

Досліджено профілі інтенсивності ліній Косселя від площин (111)-форми монокристалів, природного діаманта, монокристалів вирощених у системі росту Ni - Mn - C, Ni - Mn - C + бор, діамантів, отриманих методом температурного градієнта. Показано, що півширина ліній {111}-форми найчистіших монокристалів природного діаманта 1а-типу є мінімальною та дорівнює 0,02 градусів. Для діамантів, одержаних у системі росту Ni - Mn - C, півширина ліній зростає до 0,05 градусів. Збільшення півширини ліній пов'язується зі зміною визначених структурних характеристик діамантів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто автоматизацію керування процесом вирощування монокристалів кремнію за допомогою методу Чохральського, а також розв'язок поставленої задачі та обгрунтування вибраного рішення. Наведено структурну схему системи керування швидкістю обертання та піднімання затравки і тигля. Представлено стислий опис роботи фізичної моделі ростової установки для дослідження систем керування процесом вирощування кристалів. Представлена фізична модель ростової установки дає можливість проводити дослідження з вирощування кристалів із низькотемпературних розплавів і дозволить досліджувати системи керування ростовими установками. Модель може знайти застосування в ході проведення науково-дослідницької роботи, спрямованої на розробку систем керування ростовими установками та в учбовому процессі для засвоєння студентами принципів побудови систем керування.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив умов вирощування кристалів CdSb на величину анізотропії термоерс в області власної провідності.