![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=Г523.1$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 50
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Строюк А. Л. Фотохимическое формирование полупроводниковых наноструктур / А. Л. Строюк, В. В. Швалагин, А. Е. Раевская, А. И. Крюков, С. Я. Кучмий // Теорет. и эксперим. химия. - 2008. - 44, № 4. - С. 199-220. - Библиогр.: 307 назв. - рус.Обобщены имеющиеся сведения о фотохимических и фотокаталитических подходах к формированию полупроводниковых наночастиц, а также бинарных полупроводниковых наноструктур и нанокомпозитов полупроводников с металлами и полимерами. Рассмотрены характер влияния облучения на протекание синтеза и свойства образующихся наноструктур, а также возможности фотохимического управления структурными и спектральными параметрами наноструктурированных полупроводниковых систем. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + Г595
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами $Eroman bold {HNO sub 3~-~HHal}-органічна кислота : Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / О. С. Чернюк; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2006. - 20 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.315-27 + Г523.11 + З843.332
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА347090 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Фочук П. М. Природа точкових дефектів легованого кадмій телуриду : Автореф. дис... д-ра хім. наук / П. М. Фочук; НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. - К., 2006. - 36 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-2 + Г523.11
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА343614 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Тріщук Л. І. Фізико-хімічна взаємодія в системах $Eroman bold {A sub 2 sup I B sup VI ~-~A sup II B sup VI } і вирощування монокристалів напівпровідників типу $Eroman bold {A sup II B sup VI } із розчину-розплаву : Автореф. дис... канд. хім. наук / Л. І. Тріщук; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2006. - 20 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.2-27 + Г523.11,0 + Г562.138,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА346629 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Борик В. В. Кристалохімія точкових дефектів та їх комплексів і термоелектричні властивості твердих розчинів на основі PbTe, SnTe, GeTe : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / В. В. Борик; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2010. - 24 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.11
Шифр НБУВ: РА370585 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Сняла Ю. Ю. Природа точкових дефектів кадмій телуриду, легованого елементами V групи : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Ю. Ю. Сняла; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2010. - 18 c. - укp.Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.11 + В379.222,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА371072 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Манілов А. І. Фізико-хімічні властивості гетероструктур Pd / пористий Si при взаємодії з воднем : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / А. І. Манілов; Київ. нац. ун- ім. Т. Шевченка. - К., 2011. - 16 c. - укp.Вперше зареєстровано ефект залишкового нагромадження молекулярного водню за сорбції з атмосфери, за кімнатної температури, у структурах на основі вільних шарів поруватого кремнію (ПК) і Pd, та відповідну тривалу зміну електрофізичних характеристик. Запропоновано нову модель адсорбції воднеподібних частинок у ПК, яка враховує покриття стінок пор силановими групами й описує кінетику адсорбції у початкові моменти. Проведено порівняння вмісту водню у ПК для різної кількості осадженого Pd у вільних шарах і різної технології виготовлення порошків. Оцінено швидкість виділення водню за рахунок реакції порошків ПК з водою, зв'язаною у твердому тілі. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + Г523.1,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА383753 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Прокопів В. В. Кристалохімія власних точкових дефектів та область гомогенності CdTe, SnTe, PbTe : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / В. В. Прокопів; МОНМС України, ДВНЗ "Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника". - Івано-Франківськ, 2011. - 20 c. - укp.На основі комплексного кристалохімічного аналізу (закону діючих мас, термодинамічних потенціалів, кристалоквазіхімічних формул) й експериментальних результатів досліджено дефектну структуру бездомішкових сполук CdTe, SnTe, PbTe: уточнено вид домінуючих точкових дефектів, зарядові стани та залежності їх концентрацій від відхилення від стехіометричного складу у межах областей гомогенності. Запропоновано моделі квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів, одержано аналітичні вирази для визначення залежностей концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих власних точкових дефектів від технологічних факторів за реалізації двотемпературного відпалу для кристалів і вирощуванні тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Використовуючи апроксимацію експериментальних значень меж областей гомогенності, уточнено константи рівноваги відповідних квазіхімічних реакцій. Модифіковано метод термодинамічних потенціалів для визначення концентрацій й уточнення енергетичних параметрів утворення точкових дефектів у досліджуваних матеріалах і побудови їх області гомогенності. Зроблено аналіз кристалоквазіхімічних формул, які визначають власні точкові дефекти й їх комплекси у нестехіометричних кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: Г126.235-1 + Г523.11,0 + В379.222,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА386974 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Неділько С. А. Вплив заміщення у ВТНП фазах $E bold roman {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 O sub {8+ delta}} кальцію на кадмій / С. А. Неділько, Д. Д. Наумова // Наук. пр. Донец. нац. техн. ун-ту. Сер. Хімія і хім. технологія. - 2011. - Вип. 17. - С. 42-46. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В368.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69802 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Матулка Д. В. Інтеркалатні наногібридизовані структури конфігурації неорганічний напівпровідник/родамін C / Д. В. Матулка, І. І. Григорчак // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2011. - № 718. - С. 134-139. - укp.Показано можливість створення за допомогою інтеркаляційних технологій складних супрамолекулярних комплексів - неорганічний напівпровідник/органічний рецептор. Об'єктами для досліджень слугували шаруваті напівпровідники галій селенід та індій селенід, які використано як тіло "господаря". Як "гостьовий" компонент використано молекули органічного рецептора - родамін C. Наведено результати досліджень одержаних зразків із використанням методу імпедансної спектроскопії, відповідно до яких побудовано еквівалентні електричні схеми. Побудовано та розраховано математичну модель, що відображає процеси струмопротікання в цих зразках. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Зенькевич Э. И. Температурные зависимости и временная динамика спектральных свойств нанокомпозитов квантовая точка CdSe/ZnS - органический краситель в растворах и одиночных наноструктурах / Э. И. Зенькевич, А. П. Ступак, Д. Коверко, К. фон Борцисковски // Теорет. и эксперим. химия. - 2012. - 48, № 1. - С. 18-28. - Библиогр.: 40 назв. - рус.На основании спектрально-кинетических исследований в интервале температур 295 - 77 K для полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS обнаружена перестройка поверхностного слоя стабилизатора (триоктилфосфин оксида или длинноцепочечных аминов), которая усиливается в нанокомпозитах с участием молекул красителей (порфиринов и перилен-диимидов) и влияет на безызлучательную релаксацию экситонного возбуждения и экситон-фононные взаимодействия. Методами пространственно-разрешенной спектроскопии обосновано, что в одиночных нанокомпозитах присоединение одной или нескольких молекул красителя вызывает перераспределение и/или возникновение поверхностных ловушечных состояний, что проявляется во временной динамике их спектрально-кинетических параметров. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Шелюк І. О. Хімічна взаємодія монокристалів GaAs, GaSb, InAs та InSb з водними розчинами HVB2DOVB2D - HBr / І. О. Шелюк, З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, І. Б. Стратійчук, Р. О. Денисюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 2. - С. 411-415. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Гургула Г. Я. Кристалохімія точкових дефектів та фізико-хімічні властивості цинк халькогенідів : автореф. дис. ... канд. хім. наук : 02.00.21 / Г. Я. Гургула; МОНМС України, ДВНЗ "Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника". - Івано-Франківськ, 2011. - 24 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.415-1 + Г523.11,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА387542 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Кравченко А. В. Проводящие катион-радикальные соли фульваленов с гексавольфрамат-анионом / А. В. Кравченко, В. А. Стародуб, В. В. Медведев, А. В. Хоткевич, О. Н. Кажева // Укр. хим. журн. - 2012. - 78, № 1/2. - С. 72-74. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Дмитрів А. М. Кристалоквазіхімічна модель точкових дефектів у меркурій телуриді / А. М. Дмитрів // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2012. - № 5/10. - С. 14-16. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Описано особливості використання методу кристалоквазіхімії щодо дослідження дефектної підсистеми кристалів меркурій телуриду з двостороннім відхиленням від стехіометрії. Розраховано концентрацію точкових дефектів і носіїв струму, враховуючи відхилення від стехіометрії та частку іонності зв'язку атомів у кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Григорчак И. И. Интеркалатные наноструктуры конфигурации неорганический полупроводник/липофильный анионный рецептор / И. И. Григорчак, Б. К. Остафийчук, Ф. О. Иващишин, В. И. Кушпир, И. И. Будзуляк, О. В. Морушко, Л. С. Яблонь // Металлофизика и новейшие технологии. - 2012. - 34, № 8. - С. 1067-1079. - Библиогр.: 26 назв. - рус.С использованием интеркаляционных технологий получены супрамолекулярные комплексы неорганический полупроводник (GaSe, InSe)/органический анионный рецептор (метиловый оранжевый). Использование освещения и постоянного электрического поля при их формировании приводит к колоссальному росту диэлектрической проницаемости при значении тангенса угла электрических потерь меньше единицы и появлению эффекта отрицательной квантовой емкости. Показана возможность оптического управления значением их величины. Модификация полученных структур анионами хлора практически не меняет кинетику переноса заряда, но при этом сильно влияет на поляризационные свойства, в результате чего диэлектрическая проницаемость принимает значения меньше единицы. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В379.271.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Гургула Г. Я. Кристалохімія точкових дефектів і механізми утворення твердих розчинів у системі ZnS - ZnTe / Г. Я. Гургула, Л. Й. Межиловська, Н. Д. Фреїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 1. - С. 146-150. - Бібліогр.: 13 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В379.223
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Чухненко П. С. Формування полірованої поверхні нелегованого та легованого елементами IV групи СdTe травильними розчинами (NHVB4D)VB2DCrVB2DOVB7D - HCl - цитратна кислота / П. С. Чухненко, В. Г. Іваніцька, З. Ф. Томашик, В. М. Томашик, І. Б. Стратійчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 1. - С. 171-175. - Бібліогр.: 7 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Гребенюк А. Г. IBAb initioD розрахунок термодинамічних параметрів фазових перетворень цинк телуриду / А. Г. Гребенюк, Т. О. Паращук, В. М. Чобанюк, Д. М. Фреїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 2. - С. 346-350. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Побудовано молекулярні моделі поліморфних модифікацій цинк телуриду. На підставі результатів квантово-хімічних розрахунків просторової будови та властивостей наноструктур визначено ентальпії утворення сфалеритної та вюрцитної модифікацій напівпровідника та зроблено оцінку температури їх фазового переходу. Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Pavlovich I. I. Chemical-dynamic polishing of semiconductor materials based on Bi and Sb chalcogenides by using HNOVB3D - HCl solutions / I. I. Pavlovich, Z. F. Tomashik, I. B. Stratiychuk, V. M. Tomashik, O. A. Savchuk, A. S. Kravtsova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 200-202. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.256 + Г523.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|