Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)
Пошуковий запит: (<.>A=Бобренко Ю$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13
      
Категорія:    
1.

Павелец С. Ю. 
Структура CdS сенсора ультрафиолетовой радиации с предельно уменьшенными туннельными токами / С. Ю. Павелец, Ю. Н. Бобренко, М. Н. Кретулис, А. М. Павелец, Т. Е. Шенгелия, Г. И. Шереметова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 48-53. - Библиогр.: 10 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В347.3

Рубрики:
 Оптичні явища < Ультрафіолетові промені > 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Колежук К. В. 
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А2В6 / К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, Ю. Н. Бобренко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 2. - С. 49-50. - Библиогр.: 4 назв. - рус.

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А2В6 и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Установлено, что наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.

We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
3.

Бобренко Ю. Н. 
Измеритель мощности излучения в диапазонах УФ-А, УФ-В, УФ-С и их комбинаций / Ю. Н. Бобренко, К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, Н. В. Ярошенко, А. С. Майстренко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2006. - № 6. - С. 34-35. - Библиогр.: 4 назв. - рус.


Ключ. слова: ультрафиолетовое излучение, тонкопленочный гетеропереход, селективный сенсор, соединения A2B6
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:
 Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі) 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Бобренко Ю. Н. 
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени / Ю. Н. Бобренко, Г. И. Шереметова, Т. В. Семикина, Н. В. Ярошенко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5. - С. 33-34. - Библиогр.: 3 назв. - рус.


Ключ. слова: поверхностно-барьерные структуры, соединения A2B6, сенсор пламени, ультрафиолетовый фотоприемник
Індекс рубрикатора НБУВ: З997

Рубрики:
 Ультрафіолетова техніка 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Павелець С. Ю. 
Високоефективні багатошарові сенсори на основі сполук $E bold roman {A sub 2 B sub 6} / С. Ю. Павелець, Ю. М. Бобренко, А. М. Павелець, М. М. Кретуліс // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 112-119. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Павелец С. Ю. 
Высокоэффективные поверхностно-барьерные сенсоры с низкоомными поверхностными слоями / С. Ю. Павелец, Ю. Н. Бобренко, А. М. Павелец, М. Н. Кретулис // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 106-111. - Библиогр.: 10 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Колежук К. В. 
Фотопреобразователи с дополнительным потенциальным барьером в валентной зоне на основе тонкопленочных поликристаллических In - nD-гетероструктур соединений AV2DBV6D / К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, А. В. Комащенко, Ю. Н. Бобренко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 212-217. - Библиогр.: 9 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:
 Фотоелектричні прилади.Фотоелементи 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Бобренко Ю. Н. 
Квантовая эффективность фотодетекторов при пороговых освещенностях / Ю. Н. Бобренко, А. В. Саченко, Н. В. Ярошенко, В. Н. Комащенко // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2008. - № 1. - С. 26-31. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Рассчитано распределение потенциала вдоль прозрачной составляющей гетероперехода при пороговой освещенности. Определена эффективная длина собирания в поверхностно-барьерной структуре при низких уровнях облучения. Получены теоретические выражения для зависимостей тока фотодетектора от расстояния между токособирающими электродами, толщины верхнего сильно легированного слоя и коэффициента поглощения света. Проведено сравнение теории и эксперимента, из которого определены ключевые параметры фотодетектора.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
9.

Бобренко Ю. Н. 
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю. Н. Бобренко, Н. В. Ярошенко, Г. И. Шереметова, Т. В. Семикина, Б. С. Атдаев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 5. - С. 29-31. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Получены высокоэффективные фотодиоды на основе гетероперехода р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo с варьируемой толщиной внутреннего переходного слоя. Показано, что эффективным методом снижения чувствительности за границей УФ-области является предельное уменьшение толщины варизонного слоя.

Одержано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з варійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є межове зменшення товщини варизонного шару.

High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.


Ключ. слова: поверхностно-барьерные структуры, ультрафиолетовое излучение, фотоприемник, фоточувствительность, тонкие пленки
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:
 Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи) 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
10.

Бобренко Ю. Н. 
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю. Н. Бобренко, В. Н. Комащенко, Н. В. Ярошенко, Г. И. Шереметова, Б. С. Атдаев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2012. - № 5. - С. 35-38. - Библиогр.: 3 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Бобренко Ю. Н. 
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdBVxDZnBV1-xDS / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, Т. В. Семикина, Г. И. Шереметова, Н. В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2014. - Вып. 49. - С. 69-74. - Библиогр.: 16 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:
 Фотоелектричні прилади.Фотоелементи 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Павелець С. Ю. 
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnVBxDCdVB1-xDS / С. Ю. Павелець, Ю. М. Бобренко, Т. В. Семікіна, Б. С. Атдаев, Г. Г. Шереметова, М. В. Ярошенко // Укр. фіз. журн.. - 2019. - 64, № 4. - С. 306-312. - Бібліогр.: 42 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В349.1 + В379.223

Рубрики:
 Оптичні виміри і вимірювальні прилади < Інфрачервоні промені > 
 Тверді розчини напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
13.

Павелець С. Ю. 
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnVBxDCdVB1-xDS / С. Ю. Павелець, Ю. М. Бобренко, Т. В. Семікіна, Б. С. Атдаев, Г. Г. Шереметова, М. В. Ярошенко // Укр. фіз. журн.. - 2019. - 64, № 4. - С. 306-312. - Бібліогр.: 42 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В349.1 + В379.223

Рубрики:
 Оптичні виміри і вимірювальні прилади < Інфрачервоні промені > 
 Тверді розчини напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського