Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33-01

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен сравнительный анализ химических свойств лузги риса, выращиваемого в Украине и в некоторых других странах. Предложена схема получения кремния "солнечного" класса из рисовой лузги для производства фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), включающая следующие этапы: отмывка лузги, пиролитическое разложение органических соединений, выщелачивание, пиролиз для получения диоксида кремния, изготовление электродов состава SiO2-C (или металл), электродуговое восстановление кремния, очистка кристаллизацией.

The comparative analysis of chemical properties of rice peel, growing in Ukraine and in some foreign countries is carried out. The circuit of reception of silicon of a "solar class" from rice peel for manufacture of photo-electric converters (PEC), including the following stages is offered: washing, burning of organic compounds, using alkali, burning for SiO2 reception, manufacturing of "SiO2-C (or metal)" electrodes, restoration in electric arc, clearing of silicon by crystallization. Precomputations of manufacture volume of silicon from rice peel in Ukraine show that it can make up to 700-1000 tons per year. This volume can supply manufacturing of photo-electric modules with capacity up to 100 МWatt per year.

В дослідах на 70-ти щурах з експериментальним карієсом зубів вивчено вплив щоденної чистки зубів протягом 30-ти днів різними зубними пастами імпортного виробництва ("Аквафреш", "Лакалут актив", "Колгейт тотал" і "Бленд-а-мед"). Для порівняння була використана зубна паста "Бактулін", яка містить пробіотичні бактерії (біфідобактерії та лактобацили), а також пребіотик інулін із цикорію (розробка Інституту стоматології). Гістологічні дослідження слизових оболонок щоки і язика виявили у щурів після чистки зубів імпортними пастами явища набряку і зернистої дистрофії, зменшення зон рогового шару і незроговілих клітин, а також зниження числа мітозів і збільшення кількості двоядерних клітин в епітелії слизової оболонки щоки і язика. Чистка зубів зубною пастою "Бактулін" не призвела до появи будь-яких патологічних симптомів з боку слизової оболонки порожнини рота.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р661.220.111

Рубрики:

Гінгівіти. Стоматити

Шифр НБУВ: Ж14683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

По аналогии с перекисной моделью пародонтита была разработана модель воспроизведения у крыс стоматита путем аппликаций или использования корма, содержащего переокисленное подсолнечное или соевое масло. Наличие стоматита подтверждено данными гистологического и биохимического исследования. Модель можно использовать для скрининга лечебно-профилактических препаратов.

Рассмотрены основные нормативные документы, принятые на Дипломатической конференции по охране человеческой жизни на море в декабре 2002 г. (СОЛАС - 74) и отраженные в Международном Кодексе по охране судов и портовых средств (кодекс ОСПС) с целью усиления мер по охране судов и портовых средств. Уделено внимание применению и эксплуатации электронных средств и систем, повышающих безопасность мореплавания. Приведены основные сведения о датчиках охранных и противопожарных систем, систем охранного видеонаблюдения, приборов ночного видения, металлодетекторов, электронных регистраторов данных рейса. Изложены основные сведения о принципах работы таких устройств, особенностях их работы и эксплуатации. Приведены принципы применения электронных охранных систем на судах.

Исследована адсорбция бактерий слюны человека на дисках, изготовленных из акриловой и полипропиленовой пластмассы, сплавов кобальт - хром, никель - хром, нержавеющей стали (НЖС) и НЖС, покрытой нитридом титана либо хромом, золота, керамики и фотополимерной пластмассы. Установлена самая высокая адсорбция бактерий слюны на акриловую пластмассу ("Фторакс"), а самую низкую - на золото и керамику. НЖС, полипропилен, сплав никель - хром занимают промежуточное положение.

Инкубация акриловой пластмассы "Фторакс" со слюной приводит к адсорбции оральных бактерий на пластмассе. В присутствии биологически активных веществ ("Лизомукоид", "Экстравин", зубные эликсиры "Биодент-4" и "Экстравин-Дента") адсорбция микробов снижается, причем в такой последовательности: "Экстравин" >> "Экстравин-Дента" >> "Биодент-4" >> "Лизомукоид".

Рассмотрена кинетика роста эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений в условиях резкого изменения скорости охлаждения раствора-расплава, в результате чего первая часть слоя растет при диффузионно-конвективном массопереносе, а вторая - при диффузионном. Это дает возможность получать толстые эпитаксиальные слои.

Предложен простой метод прямой бактериоскопии и подсчета с помощью слайд-планшетов числа бактерий в слюне. Установлено, что у больных гингивитом общая численность бактерий увеличивается почти в 10 раз, особенно за счет Граммотрицательных бактерий.

Исследованы радиационные эффекты, возникающие в эпитаксиальных слоях арсенида галлия при облучении быстрыми электронами и нейтронами. Проведен сравнительный анализ их влияния на электрофизические параметры соединения GaAs.

Рассмотрены проблемы решения теоретических и практических задач ориентированного наращивания - эпитаксии - слоев элементарных полупроводников и соединений, которые использует твердотельная оптоэлектроника. Подчеркнуто, что развитие теории позволило разработать технологию и способы эпитаксии, позволяющие управлять структурными и электрическими свойствами слоев. Впервые разработаны методы эпитаксии многослойных систем из многокомпонентных растворов и селективной эпитаксии. Включены справочные данные, а также не известные ранее микрофотографии начальных стадий наращивания слоев полупроводников. Исследована общая теория ориентированной кристализации (эпитаксии) веществ. Рассмотрены основные положения современной теории жидкофазной эпитаксии. Описаны методы ориентированного наращивания монокристаллических слоев - эпитаксии. Изложены особенности классификации этих методов по сочетанию используемых материалов слоев, их фазовому составу, физическим процессам и механизмам роста, конструкции технологической аппаратуры. Подчеркнуто, что особый интерес может представлять разработанный метод эпитаксии с применением ионизирующих излучений. На основании предложенных моделей и их практического применения развивается существующее представление о влиянии быстрых электронов и протонов, гамма - квантов на процессы кристаллизации растворов и свойства полупроводниковых эпитаксиальных слоев.

Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет чего продолжается и рост слоя. Этот эффект связан с предполагаемой инерционностью процесса диффузии. Показано практическое применение обнаруженного явления.

Розроблено дифузійну модель рідиннофазної епітаксії двошарової системи за умов зміни швидкості охолодження розчину-розплаву. Виявлено, що після припинення охолодження перехідний процес продовжується, за рахунок чого продовжується і зростання шару. Цей ефект пов'язаний з припущеною інерційністю процесу дифузії. Показано практичне застосування цього явища.

A liquid phase epitaxy diffusion model of a two-layer system at instable cooling speed of the solution-melt has been developed. It was discovered that the transition process continues even after the termination of cooling, due to which the layer growth continues as well. This effect is connected with to the hypothetical inertia of the diffusion process. The practical application of this phenomenon is shown.

На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет контролировать толщину подплавления подложек и толщину слоев, полученных на верхней и нижней подложках, с учетом различия механизмов переноса кристаллизуемого вещества.

На основі розробленої авторами моделі масопереносу запропоновано новий метод епітаксії товстих шарів. Метод передбачає вирощування різних частин шарів в двошарових системах, одержуваних з розчину-розплаву, і дозволяє контролювати товщину підплавлення підкладок і товщину шарів, одержаних на верхній та нижній підкладках з урахуванням відмінностей механізмів перенесення речовини, що кристалізується.

On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and the thickness of layers obtained at the upper and lower substrates, in consideration of different crystallized substance transport mechanisms.

При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.

Під час опромінення напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій одержано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.

During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".

При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. Описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.

При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. Наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.

There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. Semiconductors are typically irradiated by low voltage electron accelerators with a continuous flow, the current density in such accelerators is 10{\up\fs8 –5} - 10{\up\fs8 –6} A/cm{\up\fs8 2}, the energy - 0,3 - 1 MeV. All changes in the properties after such irradiation are resistant at room temperature, and marked properties recovery to baseline values is observed only after prolonged heating of the crystals to a high temperature. In contrast, the authors in their studies observe an improvement of the structural properties of semiconductor crystals (annealing of defects) under irradiation with powerful (high current) pulsed electron beams of high energy (E{\dn\fs8 0} = 0,3{\up\fs8 -1} MeV, t = 0,1 - 10 ns, Ω = 1 - 10 Hz, j = 20 - 300 A/cm{\up\fs8 2}). In their previous paper, the authors presented theoretical basis of this effect. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.