Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39

Рубрики:

Інші типи напівпровідникових тріодів

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,021 + З852.5

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ВА594687 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:

Приймально-підсилювальні лампи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374 + В377

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработаны и исследованы сплавленные омические контакты к гетероструктуре GaAs - AlGaAs, применяемой при изготовлении нового класса полевых приборов - транзисторов с высокой подвижностью электронов. Показано, что режим термообработки, обеспечивающий только минимальное контактное сопротивление, не является оптимальным. Предложена простая методика для оценки глубины проникновения фронта сплавления. Методика не требует изготовления специальных тестовых структур, применяется на протяжении относительно небольшого промежутка времени и ее можно использовать непосредственно на полупроводниковой пластине в технологическом процессе. Исследована радиационная стойкость получаемых омических контактов. Показано, что использование эффекта малых доз ионизирующего облучения может приводить к улучшению параметров омических контактов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.273

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3

Рубрики:

Карбід кремнію (карборунд)

Шифр НБУВ: ВА745156 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022-18 + В379.226

Рубрики:

Металізація металів у вакуумі

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Выполнена оценка автоэмиссионных свойств катода, представляющего собой структуру, изготовленную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой пленкой графена. Рассчитаны вольтамперные характеристики для катодного острия, изготовленного из графена и карбида кремния. Показано, что при одинаковой разности потенциалов ток автоэмиссии больше для катода, сделанного из графена. Оценка показывает, что автоэмиссионные острия на основе графена обладают лучшими эмиссионными характеристиками и их можно использовать в современных приборах наноэлектроники.

кспериментально встановлено, що вплив імпульсних магнітних полів на епітаксійні структури на основі GaAs та InP призводить до зміни їх оптичних характеристик. Зроблено припущення, що ці зміни зумовлені структурними неоднорідностями поверхонь і меж поділу епішарів, які виникають після магнітопольової обробки.

Досліджено вплив мікрохвильових обробок (МХО) на оптичні властивості епітаксійних плівок GaN гексагональної модифікації. Для діагностики рівня внутрішніх механічних напружень і структурної досконалості тонкого приповерхневого шару плівки використано метод електровідбивання (ЕВ). Спектри ЕВ виміряно в області локалізації перших прямих зона-зонних переходів. Показано, що внаслідок МХО в опромінених плівках спостерігається релаксація внутрішніх механічних напружень і поліпшення структурної досконалості приповерхневого шару. Запропоновано механізм виявлених ефектів, що враховує резонансні ефекти та локальний розігрів дефектних областей плівки.

Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd-СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга-Рис) от времени облучения.

Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd-СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга-Рис) в залежності від часу опромінення.

High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uniformity of chlorine impurity distribution over crystal. It is known that low-dose microwave irradiation can homogenize impurity distribution in a specimen. In the present work, we made an attempt to improve the detector material quality by using such post-technological treatment, as well as to study state variation for impurity-defect complexes. To this end, the effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of ClTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VCd–ClTe) defect centers at which excitons are bound. Detailed investigations of the band form for donor-acceptor pairs (DAPs) in CdTe:Cl single crystals made it possible to determine the Huang-Rhys factor (that characterizes electron-phonon interaction in CdTe:Cl DAPs) as a function of microwave treatment duration. It is shown for single crystals with NCl = 5?1017 cm–3 and 5?1019 cm–3 that the Huang-Rhys factor grows with microwave irradiation dose. This is related to both homogenization of donor and acceptor centers distribution and increase of donor-acceptor spacing. Itis shown that microwave irradiation of CdTe:Cl single crystals results in concentration reduction for separate cadmium vacancies VCd because of formation of (VCd-ClTe) defect centers at which excitons are bound.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Систематизированы и обобщены результаты анализа особенностей технологии объемных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, а также физико-технологических, модельных и теоретических исследований омических контактов к нитриду галлия. Впервые подробно рассмотрены температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области нитрида галлия.