Розглянуто методи підготовки, аналізу, а також структурно-кристалографічні, морфологічні, оптичні, механічні, хімічні властивості підкладок, що використовуються для епітаксійного росту плівок GaN. Наведено матеріали експериментального дослідження та грунтовного аналізу підкладок на основі поруватих сполук GaAs. Описано основні властивості шарів GaN, одержаних такими технологічними методами, як гідридно-хлоридна газотранспортна епітаксія (HVPE), молекулярно-променева епітаксія (MBE), газотропна епітаксія з металево-органічних сполук (MOCVD). Розглянуто новий метод одержання тонких плівок GaN - радикально-променеву гетерувальну епітаксію (RBGE).

Рассмотрены методы подготовки, анализа, а также структурно-кристаллографические, морфологические, оптические, механические, химические свойства подкладок, использующихся для эпитаксионного роста пленок GaN. Приведены материалы экспериментального исследования и подробного анализа подкладок на основе пористых соединений GaAs. Описаны свойства слоев GaN, полученных такими технологическими методами, как гидридно-хлоридная газотранспортная эпитаксия (HVPE), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), газотропная эпитаксия из металло-органических соединений (MOCVD). Рассмотрен новый метод получения тонких пленок GaN - радикально-лучевая гетерирующая эпитаксия (RBGE).

Розглянуто стан розвитку одного з найперспективніших напрямів опто- та наноелектроніки, а саме: технологічні та конструкторські аспекти нітридів третьої (Ga, In, Al) групи. Значну увагу приділено аналізу відомих технологічних методів одержання об'ємних монокристалів, епітаксійних шарів, гетеро- та квантово-розмірних структур на основі нітридів третьої групи, а також розгляду нових технологічних методів покращання характеристик тонких епітаксійних шарів. Наведено результати сучасних розробок комерційних приладів оптоелектроніки та високочастотної електроніки на основі матеріалів типу GaN: світлодіодів, лазерів і фотоприймачів, а також транзисторів, що експлуатуються за екстремальних умов. Описано переваги таких приладів нового покоління в порівнянні з відомими. Надано оцінку сьогоднішнього рівня та перспектив технологічних аспектів виробництва матеріалів типу GaN і конструкторських розробок приладів опто- та мікроелектроніки на основі нітридів третьої групи.

Наведено експериментальні дослідження тонких плівок GaN, одержаних шляхом обробки монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту. Виконано вимірювання профілограм розподілу миш'яку та азоту за товщиною гетероструктури GaN/GaAs. Проведено аналітико-числове моделювання процесів росту тонких плівок GaN на підкладках GaAs та профілів розподілу атомів основних хімічних елементів, що входять до складу епітаксійної плівки GaN та монокристалічної підкладки GaAs. На основі аналітичних і числових розрахунків проаналізовано та уточнено фізико-математичні моделі росту тонких плівок GaN при обробці монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту.

Ключ. слова: пористий GaAs, комбінаційне розсіювання, растровий електронний мікроскоп, пори й нитки
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.393 + В379.226

Рубрики:

Рідкі метали

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльний аналіз впливу фізико-хімічних властивостей матеріалів підкладок, які використовують для епітаксійного вирощування тонких плівок GaN, на структурно-морфологічні, кристалографічні, електрофізичні, оптичні й інші параметри та характеристики таких плівок. Крім широко використовуваних підкладок, таких, як сапфір, 6Н-SiC, Si, GaAs та AlN, особливо увагу приділено поруватим підкладкам на основі Si та GaA, які за останні роки стали перспективним матеріалом для одержання тонких шарів GaN підвищеної структурної досконалості як гексагональної, так і кубічної модифікацій.

  Скачати повний текст

Висвітлено результати сучасних методів дослідження морфології та дефектної структури поруватих шарів фосфіду індію. Проаналізовано особливості впливу дефектів на процес пороутворення InP. Вдосконалено фізико-технологічні основи одержання поруватого фосфіду індію, доведено вплив дефектів на процес пороутворення. Показано, що процес електрохімічного травлення призводить до порушення стехіометрії кристалів і змінює хімічний склад поверхні. Зазначено, що дана проблема є актуальною, так як може суттєво впливати на оптичні й електричні властивості напівпровідників.

Викладено технологічні основи сучасної електроніки. Значну увагу приділено аналізу основних етапів технологічних процесів виготовлення виробів електронної техніки - від матеріалів до готових інтегральних схем (ІС). Проведено поблочний аналіз базової технології формування монолітних напівпровідникових ІС планарної технології з її груповою технологічною обробкою та багатократним повторенням мікролітографії в комбінації з іншими процесами (травлення, окиснення, легування та ін.), за якою виготовляється основна маса ІС. Акцентовано на технологіях одержання легованих і модифікованих шарів напівпровідникових структур, виробництва нових структур електронної техніки (аморфних напівпровідників та ін.), методах одержання приладових структур (електронно-дірковий перехід, гетероперехід, надгратки). Охарактеризовано технологічні методи пасивації, металізації приладових структур та приладів електроніки, методи діелектричної ізоляції окремих елементів ІС. Розглянуто особливості процесів складання напівпровідникових приладів та ІС.

Експериментально досліджено морфологію, структуру, ренгенодифрактограми, електронограми та хімічний склад поруватих зразків InP і GaP n-типу, одержаних шляхом анодного електролітичного травлення (111)-поверхні монокристалів у галогенофтористих електролітах. Установлено кореляційні зв'язки між густиною дислокацій монокристалів і концентрацією утворених пор, визначено роль дислокацій у пороутворенні. Запропоновано механізми утворення та мультиплікацію пор у досліджуваних зразках.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + В379.247 + В371.236

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.332 + В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано метод фотоелектрохімічного текстурування поверхні монокристалічного фосфіду індію. За допомогою сканувальної електронної мікроскопії встановлено оптимальні умови, за яких можливе формування зразків з розвиненою морфологією та рівномірним розподілом кластерів по поверхні.

Подано теоретичні відомості з основних розділів фізики: механіки та механічних і електричних коливань і хвиль, молекулярної фізики та термодинаміки, електрики та електромагнетизму, оптики, елементів квантової фізики, фізики твердого тіла, атома та ядра відповідно до вимог кредитно-модульної системи. Наведено стислі довідкові дані з основ фізичних вимірювань, визначення основних одиниць системи CI, відомості щодо теорії похибок, математичної обробки результатів вимірювань. У математичному додатку вміщено основні відомості з вищої математики, елементів векторної алгебри та векторного аналізу. Для зручності користування посібником вміщено розгорнутий предметний покажчик.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вперше досліджено низькорозмірні структури GaN на поверхні поруватого GaAs, одержані за методом нітридизації поруватих шарів GaAs, розглянуто процес електрохімічного травлення GaAs з подальшою обробкою в атомарному азоті, у результаті чого на поверхні GaAs формуються квантові точки GaN. Під час осадження на поверхню GaAs відбувається заміщення атомів As атомами N, яке призводить до формуванння тонкого шару GaN на поверхні GaAs. Досліджено їх фотолюмінесценцію і морфологію поверхні за допомогою методу скануючої електронної спектроскопії.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Одержано плівки ZnO:Al на поруватих напівпровідникових підкладинках CdTe за допомогою методу золь-гель із наступним центрифугуванням. Одержані структури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe та безпосередньо плівки досліджувалися за допомогою сканувальної електронної мікроскопії та рентгенівської дифракції. За допомогою рентгеноспектрального мікроаналізу було визначено хімічний склад і проведено фазовий аналіз одержаних гетероструктур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe як фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії.

Одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур CdS/porous-Si/p-Si як фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії.