Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (5) | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Литовченко П$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 46 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Гринік Е. У. Дослідження з радіаційної фізики в Інституті ядерних досліджень НАН України / Е. У. Гринік, П. Г. Литовченко, В. Й. Сугаков // Укр. фіз. журн. - 1998. - 43, № 12. - С. 1590-1596. - Бібліогр.: 40 назв. - укp. Підсумовуються основні результати, одержані при дослідженні впливу ядерного опромінення на властивості конденсованого середовища (металів, сплавів, напівпровідників, рідких кристалів). Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7е(4УКР)2 Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Литовченко П. Г. Пристрій для маркування листових матеріалів / П. Г. Литовченко, Л. П. Свентицька, Т. І. Конопляста // Хім. пром-сть України. - 1999. - № 2. - С. 54-55. - укp. В статті описано конструкцію і принцип роботи пристрою для маркування листових матеріалів великих за розмірами. Розглянуто спосіб підвищення якості маркування при простоті і надійності конструкції пристрою. Індекс рубрикатора НБУВ: К674 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14738 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Литовченко П. Г. Установка для сушіння малих за розміром гумових виробів у "киплячому шарі" / П. Г. Литовченко, Л. П. Свентицька, Г. І. Гвоздєва, Т. І. Конопляста // Хім. пром-сть України. - 1999. - № 2. - С. 43-44. - укp. Подано опис установки для сушіння виробів з гуми медичного призначення. Розглянуто переваги сушіння в установці у порівнянні з сушінням у термошафах без циркуляції повітря. Наведено конструктивні рішення, які надають можливість створити "киплячий шар". Установку розроблено і виготовлено в НДІ "Еластик". Індекс рубрикатора НБУВ: Л728.54 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14738 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Варніна В. І. Вплив радіаційних дефектів на преципітацію кисню в кремнії при термообробці / В. І. Варніна, А. А. Гроза, П. Г. Литовченко, М. І. Старчик, Г. Г. Шматко, Л. С. Марченко, А. К. Семенюк, А. П. Литовченко // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 2. - С. 205-210. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Литовченко П. Г. Деградація $Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }As/GaAs гетеростуктур у $Egamma-полі $Eroman bold {Co sup 60 } / П. Г. Литовченко, В. П. Тартачник, В. Я. Опилат, С. О. Каневський, І. В. Петренко, О. П. Шахов, Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов, С. І. Круковський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 3. - С. 474-480. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Гроза А. А. Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію : Моногр. / А. А. Гроза, П. Г. Литовченко, М. І. Старчик; Ін-т ядер. дослідж. НАН України. - К. : Наук. думка, 2006. - 124 c. - Бібліогр.: с. 116-121. - укp. Наведено результати багаторічних досліджень опроміненого високоенергетичними частинками кремнію, які проводились у відділі радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень НАН України. Проведено огляд літературних даних, які стосуються впливу ядерного опромінення на спектри інфрачервоного поглинання кремнію. Подано відомості про характер утворюваних порушень у гратці кремнію. Приведены результаты многолетних исследований облученного высокоэнергетическими частицами кремния, которые проводились в отделе радиационной физики Института ядерных исследований НАН Украины. Проведен обзор литературных данных, касающихся влияния ядерного облучения на спектры инфракрасного поглощения кремния. Изложены сведения о характере образующихся нарушений в решетке кремния. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,021 + З843.312,021 Рубрики: Шифр НБУВ: ВА679118 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Кавецкий Т. С. Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла / Т. С. Кавецкий, О. И. Шпотюк, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 6. - С. 58-59. - Библиогр.: 12 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Кудін А. П. Випромінювальна рекомбінація в опроміненому дифосфіді цинку / А. П. Кудін, В. П. Тартачник, П. Г. Литовченко, І. Г. Мегела, В. І. Хіврич // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 1. - С. 85-89. - Бібліогр.: 21 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Ланіна Т. Ф. Неформовані вироби. Нова технологія вироблення на лінії безперервної вулканізації / Т. Ф. Ланіна, П. Г. Литовченко, Л. П. Свентицька, О. П. Швалюк // Хім. пром-сть України. - 2003. - № 4. - С. 36-37. - укp. Відзначено, що профілювання - один з найбільш розповсюджених методів переробки гумових сумішей. Прагнення спростити та удешевити процес вулканізації неформованих виробів і підвищити продуктивність праці призвело до розробки принципово нових методів виробництва та створення устаткування у вигляді закінчених поточних ліній. У ДНДІ "Еластик" спроектовано та виготовлено дослідну лінію безперервної вулканізації. Лінію призначено для вулканізації дослідних зразків довгомірних профільних виробів, а також відпрацювання технології безперервного виготовлення профільних виробів. Індекс рубрикатора НБУВ: Л728.342 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14738 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Варніна B. І. Оптичні і структурні дослідження протоноопроміненого монокристалічного кремнію / B. І. Варніна, А. А. Гроза, П. Г. Литовченко, М. Б. Пінковська, Л. А. Полівцев, М. І. Старчик, В. І. Хіврич, Г. Г. Шматко // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 3. - С. 269-274. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Литовченко П. Г. Випромінювальна рекомбінація в опроміненому фосфіді галію / П. Г. Литовченко, В. С. Манжара, В. Я. Опилат, І. В. Петренко, В. П. Тартачник, В. М. Шапар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 1. - С. 50-56. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Варенцов М. Д. Відпал кластерів дефектів у зразках Si та $E bold roman {Si symbol ... Ge symbol ъ}, вирощених методом Чохральського / М. Д. Варенцов, Г. П. Гайдар, О. П. Долголенко, П. Г. Литовченко // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 4. - С. 372-377. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Цмоць В. М. Вплив термообробки в інтервалі 650 - 1 100 $E bold symbol РC на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, О. П. Литовченко, М. М. Новиков, Ю. В. Павловський, В. П. Салань, Б. Д. Пацай // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2005. - № 532. - С. 147-152. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Коляденко І. В. Деградація фосфідо-галієвих світлодіодів, обумовлена радіаційними дефектами / І. В. Коляденко, П. Г. Литовченко, В. Я. Опилат, І. В. Петренко, В. П. Тартачник, В. І. Хіврич // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 1. - С. 184-188. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Баранський П. І. Електрично малоактивні домішки і проблема надвисокої чистоти напівпровідникових матеріалів Si і Ge: (Огляд) / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар, О. П. Долголенко, П. Г. Литовченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2005. - Вып. 40. - С. 34-46. - Бібліогр.: 57 назв. - укp. Проаналізовано проблеми, пов'язані з необхідністю суттєвого підвищення чистоти кристалів Si від залишкових електрично малоактивних (за звичайних умов) домішок типу кисень (O), вуглець (C), азот (N), водень (H), аргон (Ar) і гелій (He). Адже деякі з названих елементів, наприклад атоми кисню, внаслідок термообробок, які є необхідними ланками технологічного процесу, пов'язаного з виготовленням напівпровідникових приладів, переходять із електрично пасивного стану в електрично активний (ЕА) стан. Інші з названих елементів (наприклад, вуглець) у процесі електронного та нейтронного опромінювання забезпечують утворення комплексів, які також є ЕА. Кристали кремнію, призначені для створювання детекторів, що використовуються в ядерній спектроскопії, взагалі мають бути вільними від будь-яких домішок, бо навіть електрично нейтральні домішки будуть розсіювати електрони, зменшуючи їх рухливість, як наслідок, втрачається швидкодія детектора та знижується його роздільна здатність. Існують і інші сфери використання кристалів Si та хімічних елементів, для яких рівень граничної чистоти має вирішальне значення, наприклад сфера трансмутаційного легування, деякі наукові проблеми та конкретні задачі метрології і стандартизації, а також зростаючі вимоги до чистоти препаратів у біології, фармацевтичній промисловості та медицині. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Литовченко П. И. К геометрическому расчету ременных передач с тремя шкивами / П. И. Литовченко // Вопр. проектирования и пр-ва конструкций летат. аппаратов. - 2006. - Вып. 1. - С. 131-136. - Библиогр.: 4 назв. - рус. Разработаны зависимости и методика определения углов обхвата шкивов и потребной длины ремня ременной передачи с тремя шкивами. Привязка геометрических параметров передачи к координатам центра натяжного шкива позволяет решать обратную задачу - определять оптимальную траекторию его движения, обеспечивающую максимальные значения углов обхвата на всех шкивах передачи. Предложена компьютерная программа для реализации методики. Ключ. слова: ременная передача, углы обхвата, длина ремня, межцентровые расстояния Індекс рубрикатора НБУВ: К445.71-02 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж69605 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Цмоць В. М. Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, О. П. Литовченко, І. П. Островський, Ю. В. Павловський // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2005. - № 532. - С. 99-104. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Баранський П. І. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар, П. Г. Литовченко // Наук. зап. НаУКМА. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2005. - Т.39. - С. 58-63. - Бібліогр.: 20 назв. - укp. Зосереджено увагу на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проведено з урахуванням того, що підкладинки, виготовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні, бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно- чи гетерошару на підкладинку, пов'язані з тим, що об'ємні мікродефекти підкладинки мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно, на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром. Ключ. слова: бездислокаційний, нелегований об'ємний монокристал, підкладинка, епітаксійне вирощування, напівпровідникова наноструктура Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З843.31 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж69184/Фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Гроза А. А. Вплив домішок германію та кисню на радіаційну стійкість монокристалічного кремнію / А. А. Гроза, В. І. Варніна, П. Г. Литовченко, Л. С. Марченко, М. І. Старчик, Л. І. Барабаш, С. В. Бердніченко // Ядер. фізика та енергетика. - 2008. - № 2. - С. 68-72. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Цмоць В. М. Магнітна сприйнятливість ниткоподібних кристалів SiVB0,95DGeVB0,05D / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Ю. В. Павловський, І. П. Островський, О. П. Литовченко, І. С. Паньків, М. М. Лучкевич, В. П. Салань // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 1. - С. 36-41. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського