Розглянуто алгоритми функціонування, мікросхемотехніку й елементну базу сигнальних підсилювачів, вторинних вимірювальних перетворювачів, стабілізаторів електричних режимів живлення, нелінійних перетворювачів, функціонально синтезуючих інтегральних схем, частотних перетворювачів. Висвітлено принципи термостабілізації характеристик, спеціалізовані засоби термокомпенсації, питання термотестування саморозігрівом первинних перетворювачів, спеціальні режими роботи сенсорних пристроїв, а також шуми, завади та засоби їх усунення.

Висвітлено фізичні основи функціонування, первинні перетворювачі та принципи побудови сенсорів магнітного поля. Проаналізовано сучасний стан розвитку, параметри та застосування пристроїв вимірювання магнітного поля. Особливу увагу приділено сенсорам, які виготовляються на базі мікроелектронних технологій, зокрема, магнітосенсорним інтегральним схемам.

Розглянуто електронні процеси, які описуються класичною теорією, а також принципи квантової та зонної теорії твердого тіла. Викладено основні явища та ефекти в матеріалах електронної техніки. Описано оптичні явища в твердих тілах для створення фоточутливих та генерувальних оптичних елементів, акустичні та магнітні ефекти в твердих тілах, елементи електроніки на базі розглянутих електрофізичних ефектів і явищ. Висвітлено елементи теорії квантової електроніки, електрооптичні ефекти в рідких кристалах та волоконних світловодах для побудови пристроїв оптоелектроніки.

Рассмотрены электронные процессы, которые описываются классической теорией, а также принципы квантовой и зонной теории твердого тела. Изложены основные явления и эффекты в материалах электронной техники. Описаны оптические явления в твердых телах для создания фоточувствительных и генерирующих оптических элементов, акустические и магнитные эффекты в твердых телах, элементы электроники на основе рассмотренных электрофизических эффектов и явлений. Освещены элементы теории квантовой электроники, электрооптические эффекты в жидких кристаллах и волокнистых световодах для построения приборов оптоэлектроники.

Викладено основні підходи до моделювання деяких фізичних процесів у кристалах. Розглянуто взаємодію електромагнітного випромінювання інфрачервоного та видимого діапазонів довжин хвиль (оптичні відбиття та дисперсію у резонансній області), теплові властивості гратки, електронні та дифузійні процеси, вплив власних і радіаційних дефектів, зумовлених дією лазерного випромінювання, на електронні властивості матеріалів.

Изложены основные подходы к моделированию некоторых физических процессов в кристаллах. Рассмотрено взаимодействие электромагнитного излучения инфракрасного и видимого диапазонов длин волн (оптические отражения и дисперсия в резонансной области), тепловые свойства решетки, электронные и диффузионные процессы, влияние собственных и радиационных дефектов, обусловленных действием лазерного излучения, на электронные свойства материалов.

Розглянуто фізичну суть, теорію явищ і ефектів у матеріалах електронної техніки. Наведено якісну та кількісну оцінки процесів фізичних явищ квантової механіки, фізики твердого тіла, емісійної та газорозрядної електроніки. Запропоновано класифікацію мікрочастинок, розглянуто властивості електрона, протона та нейтрона. Висвітлено фотонну теорію світла Ейнштейна, ефект Комптона, хвильове рівняння Шредінгера. Досліджено властивості електрооптичних ефектів у рідких кристалах. Запропоновано класифікацію волоконних, градієнтних, прямокутних і ступінчастих світловодів, проаналізовано особливості розповсюдження в них світла. Охарактеризовано види фотоприймачів і джерел випромінювання.

Рассмотрены физическая сущность, теорию явлений и эффектов в материалах электронной техники. Приведены качественная и количественная оценки процессов физических явлений квантовой механики, физики твердого тела, эмиссионной и газоразрядной электроники. Предложена классификация микрочастиц, рассмотрены свойства электрона, протона и нейтрона. Описаны фотонная теория света Эйнштейна, эффект Комптона, волновое уравнение Шредингера. Исследованы свойства электрооптических эффектов в редких кристаллах. Предложена классификация волокнистых, градиентных, прямоугольных и ступенчатых световодов, проанализированы особенности распространения в них света. Охарактеризованы виды фотоприемников и источников излучения.

Описано елементи квантової фізики, а також фізики твердого тіла. Висвітлено основні закони рівноважного випромінювання. Проаналізовано явище фотоефекту та його основні закономірності. Розглянуто основні положення фізики про будову атома, властивості напівпровідників. Викладено основні методи контролю параметрів напівпровідникових матеріалів. Охарактеризовано типові процеси планарної технології напівпровідникових інтегральних схем та основні алгоритми їх моделювання.

Описано основні елементи сучасної теорії термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів. Проаналізовано термодинамічні властивості газу носіїв зарядів у кристалах. Особливу увагу приділено висновкам теорії, які дозволяють алгоритмізувати важливі задачі фізики твердого тіла та фізики напівпровідників, що дозволяють моделювати та прогнозувати кристали і структури приладів із заданими властивостями. Наведено моделювальні комп'ютерні програми, розроблені на базі програмного пакета MathCAD.

Висвітлено фізичні засади механіки, молекулярної фізики та термодинаміки, електростатики, постійного струму, електромагнетизму, хвильової оптики, квантової природи випромінювання, фізики атомів і молекул, атомного ядра і елементарних частинок, визначено елементи фізики твердого тіла. Наведено закони збереження механічної енергії, її равномірного розподілу за ступенями вільності молекул, а також перший та другий закони термодинаміки.

Освещены физические основы механики, молекулярной физики и термодинамики, электростатики, постоянного тока, электромагнетизма, волновой оптики, квантовой природы излучения, физики атомов и молекул, атомного ядра и элементарных чистичек, определены элементы физики твердого тела. Приведены законы сохранения механической энергии, ее равномерного распределения по ступеням свободности молекул, а также первый и второй законы термодинамики.

Висвітлено життєвий шлях і наукову діяльність у галузі фізики українських учених, які народилися в Україні і працювали або працюють в інститутах Академії наук або вищих навчальних закладах країни, а також тих, які займалися науковою діяльністю в інших країнах світу. Наведено бібліографічні дані та наукові досягнення фізиків, які народилися за межами України, але проводили наукову роботу на її території.

Освещены жизненный путь и научная деятельность украинских ученых в области физики, родившихся на Украине и работавших или работающих в институтах Академии наук или высших учебных заведениях страны, а также занимавшихся научной деятельностью в других странах мира. Приведены библиографические данные и научные достижения физиков, родившихся за пределами Украины, но проводивших научную работу на ее территории.

Ключ. слова: структура, дислокації невідповідності, дисперсність, аморфний стан
Індекс рубрикатора НБУВ: К663-18 + В372

Рубрики:

Захист металів від корозії покриттями

Структура твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено фізичні основи механіки, молекулярної фізики і термодинаміки, електростатики, постійного струму, електромагнетизму, хвильової оптики, квантової природи випромінювання, фізики атомів і молекул, атомного ядра і елементарних частинок, описано елементи фізики твердого тіла.

Изложены физические основы механики, молекулярной физики и термодинамики, электростатики, постоянного тока, электромагнетизма, волновой оптики, квантовой природы излучения, физики атомов и молекул, атомного ядра и элементарных частиц, освещены элементы физики твердого тела.

Методами трансмісійної, растрової електронної мікроскопії, дифракції електронів високих енергій на відбиття досліджено початкові стадії росту парофазних епітаксійних шарів CdHgTe на підкладках CdTe. Показано, що на стадії входження в робочий режим температур відбувається утворення метастабільної фази Cd - Hg, яка з підвищенням температури швидко зникає і надалі залежно від орієнтації підкладки формуються дво- або тривимірні зародки CdHgTe. Розміри останніх збільшуються з наступним зрощуванням та утворенням суцільного монокристалічного шару. На початковій стадії епітаксійного процесу виникає перехідний шар, товщина і структурні властивості якого визначаються станом поверхні й орієнтацією підкладки.

Розроблено конструкцію аналого-дискретного відлікового пристрою (ВП), особливість якого полягає у відсутності зовнішніх джерел напруги, перетворювачів і подільників напруги. Наведено результати досліджень і розрахунків ВП на твіст-ефекті та ефекті динамічного розсіювання світла.

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047 + В379.225

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395-06

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53 + В379.226

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3,021 + В272.6,021

Рубрики:

Кристалічний стан твердого тіла

Шифр НБУВ: ВА749061 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено фізичні основи механіки, теоретичні засади молекулярної фізики та термодинаміки, вказано на їх базову роль у системі фізичних знань та практичне використання у техніці. Основну увагу зосереджено на розділах "Електрика і магнетизм", "Оптика", "Квантова теорія". Докладно розглянуто питання, пов'язані з застосуванням законів Кулона, Ома, правил Кірхгофа, законів Біо - Савара - Лапласа та Фарадея до розрахунку електричного та магнітного полів, електричних струмів. Розкрито фундаментальні квантові властивості матерії, зокрема, їх прояви у мікросвіті, квантовій оптиці та у фізиці твердого тіла. Наведено приклади використання результатів квантової механіки під час побудови елементної бази сучасної обчислювальної техніки (напівпровідникових діодів і транзисторів).