Методами диференціально-термічного та мікроструктурного аналізів вивчено розріз CdSb - As в межах 0 - 20 (мол.) миш'яку. Встановлено, що даний перетин у системі Cd - Sb - As відноситься до квазібінарного типу. Евтектична точка знаходиться в межах 8 (мол.) миш'яку, при температурі 711 К. Розчинність миш'яку в антимоніді кадмію досягає 0,4 (мол.). Монокристали антимоніду кадмію, леговані миш'яком, володіють анізотропією електрофізичних властивостей.

Методами оже-спектроскопії, рентгенівської дифрактометрії та топографії досліджено склад, структурну досконалість поверхні та глибину пошкодженого шару телуриду кадмію після механічної, хімічної, хіміко-механічної обробок у різних травильних розчинах. Показано, що використання хіміко-механічного полірування композиціями колоїдного кремнезему дозволяє одержати найбільш чисту поверхню з мінімальним значенням глибини пошкодженого шару.

Розглянуто найбільш широко розповсюджені оптичні прилади: монохроматор УМ-2, спектрометри ИКС-21, ИКС-31 та ИКС-29. Для кожного приладу вказано його призначення, наведено основні технічні дані, характерні неполадки та методи їх усунення, оптичну схему та принципи дії.

Рассмотрены наиболее широко распространенные оптические приборы: монохроматор УМ-2, спектрометры ИКС-21, ИКС-31 и ИКС-29. Для каждого прибора указано его назначение, приведены основные технические данные, характерные неполадки и методы их устранения, оптическая схема и принципы действия.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано систему електронного контролю та керування температурним режимом технологічного процесу напівпровідникового виробництва з використанням прецизійного регулятора температури ВРТ-3 і найпростішого IBM сумісного комп'ютера. Гнучкість регулювання та забезпечення довільного закону зміни температурного режиму реалізується виключно на програмному рівні з урахуванням наявних в окремих зонах температурних градієнтів та інерційності теплових процесів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто ряд схемотехнічних рішень перетворення оптичного сигналу в електричний. Як фотоприймачі (ФП) застосовано фотодіоди та фототранзистори. Залежно від інтенсивності, частоти, амплітуди світлової хвилі запропоновано принципові схеми оптимального підсилювання сигналу, одержаного з ФП в оптронах із відкритим каналом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + К345.5

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто електричні характеристики, фізичні принципи проектування, конструкцію датчика кутових та лінійних переміщень растрових об'єктів з відкритим каналом. Запропоновано схемотехнічне рішення підсилення оптичного сигналу з одночасним покращанням частотних характеристик датчика в цілому.

Розглянуто можливі критерії проектування принципових схем зарядовочутливих підсилювачів, які разом із напівпровідниковим сенсором задають нижню межу енергетичної чутливості у ході досліджень іонізуючого випромінювання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + В379.4

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано теоретичні дослідження теплових властивостей кристалів CdSb, викликані їх використанням для конструювання на них як звичайних термопар, так і анізотропних термоелементів (АТ). Принцип функціонування АТ заснований на анізотропії термоелектричних і теплових властивостей цих кристалів. Особливо широко застосовуються АТ як первинні сенсори для вимірювання потужності в усьому діапазоні оптичного й НВЧ-випромінювання.

Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто можливість теоретичного визначення на етапі проектування власних частот коливань термоелектричних охолоджувачів з різним числом каскадів і різної конфігурації. Визначення власних частот коливань паралельно проведено для виробів з урахуванням демпфірування, створюваного низкою конструктивних елементів, а також і без урахування демпфуючої здатності шарів припою за торцями термоелементів. Результати розрахунків визначення власних частот коливань термоелектричних охолоджувачів (ТЕО) шляхом використання системи рівнянь Лагранжа 1-го роду зіставлено з розрахунковими величинами, одержаними з використанням способу електродинамічних аналогій.

Представлено дані щодо конструкції, принципу роботи, фізичних й технічних параметрів датчиків для неконтактного виміру температури різних об'єктів на основі анізотропних термоелементів CdSb. Розроблено метод синтезу й вирощування чистих і структурно досконалих монокристалів CdSb для створення анізотропних термоелементів.