Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Семикина Т$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8
      
Категорія:    
1.

Семикина Т. В. 
Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода alpha-C/Si / Т. В. Семикина, А. Н. Шмырева, Ю. И. Якименко, А. В. Борисов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 163-167. - Библиогр.: 8 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Бобренко Ю. Н. 
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени / Ю. Н. Бобренко, Г. И. Шереметова, Т. В. Семикина, Н. В. Ярошенко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5. - С. 33-34. - Библиогр.: 3 назв. - рус.


Ключ. слова: поверхностно-барьерные структуры, соединения A2B6, сенсор пламени, ультрафиолетовый фотоприемник
Індекс рубрикатора НБУВ: З997

Рубрики:
 Ультрафіолетова техніка 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Семикина Т. В. 
Исследование процессов образования алмазов в тлеющем $E bold symbol О искровом разряде / Т. В. Семикина // Сверхтвердые материалы. - 2007. - № 2. - С. 31-39. - Библиогр.: 24 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.8

Рубрики:
 Синтетичний алмаз 

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Семикина Т. В. 
Проблемы и достижения использования алмазных и алмазоподобных углеродных пленок в микроэлектронике / Т. В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2006. - Вып. 41. - С. 121-129. - Библиогр.: 20 назв. - рус.

Представлен обзор по применению в мироэлектронике алмазных поликристаллических (АП) и алмазоподобных углеродных пленок (АУП). Среди областей применения выделены следующие: экраны на основе полевой эмиссии; полевые транзисторы; датчики ультрафиолетового излучения; системы теплоотвода. Отмечено, что использование АП и АУП в качестве "холодных" катодов не позволило достигнуть необходимых значений плотности эмиссионного тока. Показано, что природа эмиссии основана не только на эффекте отрицательного электронного сродства, кроме того, она на сегодня до конца не выяснена. Характеристики полевых транзисторов с АУП к настоящему моменту являются не удовлетворительными. Теплоотводы на основе АП нашли применение в промышленных устройствах. Перспективным является промышленное внедрение датчиков ультрафиолета с АП или АУП.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + З844.1-03

Рубрики:
 Тонкі шари твердих тіл 
 Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
5.

Бобренко Ю. Н. 
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю. Н. Бобренко, Н. В. Ярошенко, Г. И. Шереметова, Т. В. Семикина, Б. С. Атдаев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 5. - С. 29-31. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Получены высокоэффективные фотодиоды на основе гетероперехода р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo с варьируемой толщиной внутреннего переходного слоя. Показано, что эффективным методом снижения чувствительности за границей УФ-области является предельное уменьшение толщины варизонного слоя.

Одержано високоефективні фотодіоди на основі гетеропереходу р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo з варійованою товщиною внутрішнього перехідного шару. Показано, що ефективним методом зниження чутливості за межою УФ-області є межове зменшення товщини варизонного шару.

High efficient photodiodes on the base of р-Cu1,8S/п-ZnS/(ZnS)х(CdSe)1-х/CdSe/Mo-structure with variband interlayer were fabricated. Optimization of this layer thickness was shown to be efficient method of reduction of photosensitivity behind UV region while preserving one in UV region.


Ключ. слова: поверхностно-барьерные структуры, ультрафиолетовое излучение, фотоприемник, фоточувствительность, тонкие пленки
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:
 Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи) 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
6.

Семикина Т. В. 
Оксидная электроника как одно из направлений прозрачной электроники / Т. В. Семикина, В. Н. Комащенко, Л. Н. Шмырева // Электроника и связь. - 2010. - № 3. - С. 20-28. - Библиогр.: 16 назв. - рус.

Рассмотрены тенденции развития прозрачной электроники. Основными областями применения прозрачной электроники являются сенсорные дисплеи, гибкие дисплеи, органические светодиоды, электролюминесцентные излучатели, тонкопленочная фотовольтаика, различные электронные и оптические покрытия. Проанализирован рынок изделий прозрачной электроники. Сделан акцент на физических и электрических свойствах прозрачных проводящих оксидных материалов, таких как ITO, ZnO и других. Приведены оригинальные данные по электрическим свойствам наноразмерных пленок оксида цинка, полученных методом атомного послойного осаждения. Проанализированы возможности замены ITO оксидом цинка, в частности в конструкциях жидкокристаллических дисплеев. В качестве примеров оксидной электроники рассмотрены тонкопленочные транзисторы, светодиоды на основе ZnO, а также органические светодиоды и дисплеи, солнечные элементы, в конструкциях которых используются оксидные проводящие пленки. В качестве простого низкотемпературного метода, позволяющего создавать изделия прозрачной электроники, рекомендуется метод атомного послойного осаждения.


Індекс рубрикатора НБУВ: З85

Рубрики:
 Електроніка 

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
7.

Бобренко Ю. Н. 
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdBVxDZnBV1-xDS / Ю. Н. Бобренко, С. Ю. Павелец, Т. В. Семикина, Г. И. Шереметова, Н. В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2014. - Вып. 49. - С. 69-74. - Библиогр.: 16 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:
 Фотоелектричні прилади.Фотоелементи 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Семикина Т. В. 
Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Т. В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2016. - Вып. 51. - С. 150-157. - Библиогр.: 19 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.226

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського