Виведено рекурентні співвідношення для амплітуд когерентних хвиль у багатошаровій структурі з дефектами та одержано вираз для дифузної компоненти коефіцієнта відбиття цієї структури з урахуванням перерозподілу інтенсивності прямої і дифрагованої когерентних хвиль в кожному з шарів. Одержані формули застосовано для аналізу кривих дифракційного відбиття багатошарової структури з квантовою ямою InGaAsN до та після швидкого теплового відпалу. Знайдено товщини та хімічний склад шарів, деформації та профілі концентрації хімічних елементів у них, які утворилися в результаті процесів сегрегації і взаємодифузії. Визначено характеристики мікродефектів (кластерів і дислокаційних петель) в усіх шарах.

Створено теоретичну модель для опису когерентної і дифузної компонент коефіцієнта дифракційного відбиття (КДВ) багатошарових кристалічних структур з випадково розподіленими дефектами в усіх шарах. Модель описує як інтенсивність дифузного розсіяння (ДР), так і його вплив на ослаблення та кутовий перерозподіл інтенсивності когерентного розсіяння. Враховано також вплив дефектів на середні деформації в шарах. По виміряній КДВ багатошарової структури з квантовою ямою визначено хімічний склад, деформації і характеристики дефектів у шарах. Показано вплив ефектів ДР на точність визначення хімічного складу і деформацій в шарах.

Створено теоретичну модель дифракції рентгенівських променів у монокристалах зі структурно порушеним приповерхневим шаром. Модель враховує дифузне розсіяння (ДР) від дефектів у порушеному шарі і згасання інтенсивності когерентного розсіяння внаслідок ДР. Враховано також ДР від дефектів в основному об'ємі кристала. Проведено вимірювання кривих дифракційного відбиття (КДВ) від іонно-імплантованих монокристалів галій-гадолінієвого граната. Обробка виміряних КДВ на базі розробленої теорії дозволила встановити як параметри профілю деформації у порушеному шарі, так і характеристики структурних дефектів в порушеному шарі та основному об'ємі досліджуваних зразків.

На базі узагальненої динамiчної теорiї розсiяння рентгенiвських променiв у недосконалих монокристалах виконано аналiз асиметричної поведiнки головного i псевдопiкiв на профiлях трикристальної рентгенiвської дифрактометрiї вiд монокристала кремнiю, вирощеного за допомогою методу зонного топлення. Виявлено характеристики мiкродефектiв в iдентичних монохроматорi, дослiджуваному зразку i аналiзаторi.

Вперше розроблено теоретичну модель дифракції з урахуванням динамічних ефектів когерентного та дифузного розсіяння в гетерогенних епітаксійних, а також іонно-імплантованих кристалічних структурах. Надана модель самоузгоджено враховує для кожного шару наявність в інтенсивності дифракції динамічної дифузної компоненти, а також екстинкцію когерентної компоненти за рахунок дифузного розсіяння. Вперше враховано особливості динамічної взаємодії між шарами, що зведена до відповідних рекурентних співвідношень між когерентними складовими коефіцієнтів відбиття окремих шарів. В цій моделі враховано інтерференцію когерентних хвиль, що розсіюються різними шарами та підкладкою в багатошарових епітаксійних структурах. У разі врахування амплітуди розсіяння кожним неоднорідним шаром модель передбачає його розбиття на однорідні підшари. Вперше здійснено повну адекватну кількісну пошарову характеризацію вказаних гетероструктур з одержанням нової інформації про характеристики дефектів, ефекти сегрегації та взаємодифузії, а також уточнити хімічний склад, товщини окремих шарів, профілі деформації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В372.134

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.273

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312 + В372.134

Рубрики:

Вакансії і домішки

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134 + В379.222

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:

Вакансії і домішки

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134 + В379.225 в641

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 в641

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж23022 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З використанням раніше відкритого авторами явища дисперсійної (фазової) структурної чутливості картини багаторазового розсіяння створено теоретичні й експериментальні основи трикристальної динамічної дифрактометрії багатошарових кристалічних систем з неоднорідно розподіленими мікродефектами та макродеформацією. Враховано динамічний характер когерентного та дифузного розсіяння від дефектів у всіх шарах системи, а також багаторазовість розсіяння між шарами.

Наведено квантово-механічну інтерпретацію деяких класичних фізичних явищ (дифракції, заломлення, поглинання, екстинкції та ін.), а також механізмів впливу недосконалостей структури досліджуваних об'єктів на ці явища з метою суттєвого поглиблення розуміння їх природи і більш ефективного використання їх під час створення новітніх функціональних можливостей у діагностиці об'єктів як наноіндустрії, так і медицини.

Створено теоретичну модель динамічної дифракції рентгенівських променів у кристалах з дефектами довільних типів, що вперше враховує ефекти повної (а не лише другого порядку теорії збурень) багатократності розсіяння дифузних і когерентних хвиль на флуктуаційній частині кристалічного потенціалу. Зокрема, одержано вирази для дисперсійних поправок до когерентного та дифузного хвильових полів, що враховують повну багатократність розсіяння, як на періодичній, так і на флуктуаційній частинах кристалічного потенціалу. Показано необхідність і достатність використання зазначених поправок у формулах для інтенсивності дифракції за діагностики дефектів другого класу за М. О. Кривоглазом.

З метою створення статистичної динамічної теорії розсіяння випромінення у багатошарових системах з різними за недосконалостями структури та складом кристалічними й аморфними шарами, як найбільш загального та головного елемента такої теорії, побудовано узагальнену теоретичну модель когерентного розсіяння в двошаровій кристалічній системі з аморфним поверхневим шаром і статистично розподіленими дефектами Кулонового типу в кожному шарі. Одержано вирази для когерентної складової відбивної здатності вказаної системи з використанням двох методів: методу підсумовування амплітуд і методу крайових умов, що уможливило встановити й описати механізм формування інтенсивності за рахунок ефектів багаторазовості розсіяння. Проведено аналіз одержаних результатів та їх адаптацію до деяких практично важливих випадків.