The regularities of dislocation motion in silicon crystals containing electrically active thermodonors have been studied using selective chemical etching. The introduction of charged thermodonors (TD) into these crystals leads to increasing the delay time and start stresses of dislocation motion as well as a decrease of their velocity. The magnitude of the electroplasticity effect is strongly dependent on the TD nature. The obtained results are discussed in terms of the formation of the specific impurity atmospheres around TD, which causes a change of the Coulomb constituent of the discolation-impurity interaction.

Експериментально досліджено вплив імпульсного лазерного випромінювання (ЛВ) на динаміку дислокацій у кристалічному кремнії. Дослідження проведено на кристалах кремнію до і після збудження електричним струмом. Доведено можливість керування пластичними властивостями кремнію шляхом застосування ЛВ. Висловлено припущення про механізми, що лежать в основі взаємодії ЛВ з дефектами кристалічних грат кремнію.

За допомогою методу тривалої мікротвердості досліджено вплив пластичного деформування й електронного збудження на релаксацію мікротвердості кремнію. Показано, що за умов дії вказаних зовнішніх факторів характер релаксації мікротвердості корелює з характером динамічної поведінки приповерхневих дислокацій. Припущено, що виявлений немонотонний характер кривих мікротвердість - час визначається як власними точковими дефектами, так і домішковими атмосферами Коттрелла в околі дислокацій в приповерхневих шарах кремнію.

Ключ. слова: кремний, удельное поверхностное сопротивление, магнитное поле, релаксация
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж681-1 + В379.273

Рубрики:

Обробка жаростійких та особливотвердих матеріалів

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально досліджено вплив пластичної деформації, ультразвуку й електричного струму на релаксацію фотопровідності (РФП) у кремнії. Зміни РФП, що виникають під впливом пластичної деформації, ультразвукової обробки (УЗО) і обробки електричним струмом (ОЕС), можна пов'язати зі зміною концентрації заряджених електрично активних дефектів. Показано, що УЗО та ОЕС впливають на пластичні та електрофізичні параметри кристалів кремнію і можуть бути використані для керування параметрами напівпровідників.

Ключ. слова: кремній, мікротвердість, магнітне поле, дефекти, релаксація
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчення впливу води та хімічних розчинів на магнітомеханічний ефект (ММЕ) засвідчило про індуковане магнітним полем підсилення адсорбційної здатності поверхні кремнію та про зміну характеру релаксації ММЕ. Показано, що для контролю зміни адсорбції на поверхні кремнію можна використовувати метод мікротвердості.

Проведено експериментальне вивчення впливу зовнішніх факторів на магнетомеханічний ефект. Здійснені дослідження дають можливість виділити внесок в зміну мікротвердості структурних дефектів різної природи, утворених в результаті дії рентгенівського випромінення, поляризованого світла та ультразвукової обробки.

Одержано експериментальні результати, які вказують на зміну мікромеханічних властивостей монокристалічного кремнію під дією надвисокочастотного (НВЧ) мікрохвильового випромінення. Досліджено залежність величини відносної мікротвердості, яку ідентифіковано як магнітомеханічний ефект (ММЕ), та коефіцієнта тріщиностійкості кристалів кремнію від частоти НВЧ-випромінення та часу його дії. Виявлено вплив на ММЕ та характер його релаксації типу та концентрації легувальних домішок. Виявлені ефекти пояснено в межах механізму, обумовленого еволюцією спінової конфігурації в нанокластерах структурних дефектів.

Исследован характер изменения микротвердости кристаллов кремния как при самостоятельном влиянии адсорбции алюминия, так и при комбинированном действии двух факторов - слабого магнитного поля и адсорбции алюминия. Изучена возможность использования адсорбции алюминия в качестве способа влияния на характер релаксации магнитомеханического эффекта (эффекта уменьшения микротвердости, стимулированного магнитным воздействием).

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж68 + В376.1

Рубрики:

Обробка окремих матеріалів

Твердість. Пружність. Поширення звуку (пружних коливань) в монокристалах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Досліджено вплив слабкого сталого магнітного поля на електрофізичні характеристики поверхнево-бар'єрних структур (ПБС), виготовлених на основі кремнію. Виявлено магнітостимульовані зміни вольтамперних та вольтфарадних характеристик ПБС. Розрахунки величини заряду та густини поверхневих станів ПБС указують на їх істотне зростання після магнітного впливу.

Досліджено зміни у величині мікротвердості та в реальній структурі кристалів кремнію, які пов'язані з їх обробкою в слабкому постійному магнітному полі. Показано, що дія магнітного поля на кристали кремнію супроводжується появою двох ефектів - довготривалої структурної релаксації в приповерхневих шарах і магнітомеханічного (ММЕ). Встановлено, що релаксація ММЕ після завершення магнітної дії прискорюється у разі витримки зразків кремнію в звичайному кисневмісному середовищі та сповільнюється за їх витримки у вакуумній камері. Ефекти, що спостережено, пов'язані з протіканням стимульованих магнітним полем міждефектних реакцій і модифікацією на цій основі структури поверхневих шарів кремнію.

Изучены закономерности как самостоятельного, так и комбинированного влияния кавитации и магнитного поля на структурное совершенство приповерхностных слоев кристаллов кремния. Обнаруженный немонотонный характер зависимости структурных параметров от времени действия кавитационной и магнитной обработок связывается с процессами самоорганизации структурных дефектов.

Виявлено стимульовані комбінованою дією слабкоінтенсивного рентгенівського опромінення та магнітного поля зміни внутрішніх напружень і параметра гратки в кристалах кремнію. Зафіксовані зміни можуть бути пов'язані з протіканням процесів структурної релаксації.

Исследованы особенности самостоятельного и комбинированного влияния слабоинтенсивного рентгеновского излучения и слабого постоянного магнитного поля на микротвердость кристаллов кремния. Установлена зависимость величины и характера релаксации радиационно-механического эффекта (эффекта изменения микротвердости в результате воздействия рентгеновского облучения на кристаллы Si) от дозы рентгеновского облучения кристаллов Si.

Показано, что под действием слабых постоянных и переменных магнитных полей происходит эволюция структурного состояния и топологии поверхностных слоев кристаллов кремния. Изменения структурного совершенства и рельефа поверхности кремния могут быть обусловлены спин-зависимым процессом распада поверхностной окисной пленки и процессом адсорбции, усиливающимся на магнитоактивированной поверхности.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ