Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Lyashenko O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 16
Представлено документи з 1 до 16

      
Категорія:    
1.

Lyashenko O. V. 
Degradation processes in heterostructures of optoelectronic sensors / O. V. Lyashenko, V. P. Veleschuk // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 35-38. - Библиогр.: 9 назв. - англ.

The experimental investigations conducted show the existence of bounds between evolution in electroluminescence spectra of semiconductor structures, degradation of volt-current characteristics and origination of acoustic emission. It follows from the experimental results obtained that electroluminescence spectra can be defined not only by material and structure of heterojunction relaxed by the state of point defects, but the current including non-equilibrium state of crystal defect structure in whole.


Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.8

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Lyashenko O. V. 
Influence of electrical current on elastic and unelastic properties of GeSi = Вплив електричного струму на пружні та непружні характеристики GeSi / O. V. Lyashenko, A. P. Onanko // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2006. - Вып. 15. - С. 95-97. - Библиогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.31 + В379.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Lyashenko O. V. 
Structural defects relaxation during complex thermal and dynamical mechanic processing of CdTe = Релаксація структурних дефектів при комплексном термічному та динамічному впливах на CdTe / O. V. Lyashenko, A. P. Onanko, V. P. Veleschuk, Y. A. Onanko, I. O. Lyashenko // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 10-13. - Библиогр.: 14 назв. - англ.

Вивчено вплив ультразвукової деформації на температурні залежності внутрішнього тертя та модуля пружності CdTe. Релаксаційний процес пов'язаний, вірогідно, зі зміною числа вакансій у вакансійних комплексах.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Vlasenko O. I. 
Changes in electrophysical characteristics of InGaN/GaN heterostructures of high power light-emitting diodes at increased current = Зміни електрофізичних характеристик InGaN/GaN гетероструктур потужних світлодіодів при підвищеному струмі / O. I. Vlasenko, V. P. Veleschuk, M. P. Kisseluk, O. V. Lyashenko // Фотоэлектроника. - 2011. - Вып. 20. - С. 33-39. - Библиогр.: 19 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Veleschuk V. P. 
Electroluminescence of naturally aged light-emitting diode structures based on gallium phosphide = Електролюмінесценція природно зістарених світлодіодних структур на основі фосфіду галію / V. P. Veleschuk, O. I. Vlasenko, M. P. Kisselyuk, O. V. Lyashenko, S. G. Nedil'ko, V. P. Shcherbatsky // Фотоэлектроника. - 2010. - Вып. 19. - С. 4-8. - Библиогр.: 21 назв. - англ.

Показано, що природньо-зістарені структури на основі фосфіду галію зеленого та червоного кольорів випромінювання можуть витримувати прямі струми, які в десятки разів перевищують будь-які максимальні значення струмів для свіжовиготовлених структур. Зафіксовано значний зсув (на 0,28 - 0,3 еВ) зеленої смуги електролюмінесценції структур у разі саморозігріву протікаючим струмом і повне гасіння червоної смуги у разі деградації структур. Розглянуто фізичні механізми даних явищ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Onanko A. P. 
Influence mechanical treatment, electrical current, changing of defect structure on inelastic characteristics of Si + SiOVB2D wafer-plates, GeSi and SiOVB2D / A. P. Onanko, O. V. Lyashenko, G. T. Prodayvoda, S. A. Vyzhva, Yu. A. Onanko // Фотоэлектроника. - 2012. - Вып. 21. - С. 5-13. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-06

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Vlasenko A. I. 
Fluctuations of current, electroluminescence, and acoustic emission in light-emitting $E bold roman {A sup 3 B sup 5} heterostructures / A. I. Vlasenko, O. V. Lyashenko, P. F. Oleksenko, V. P. Veleschuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 3. - С. 230-235. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Vlasenko A. I. 
Dynamics of acoustic emission in light-emitting AVB3DBVB5D structures / A. I. Vlasenko, O. V. Lyashenko, V. P. Veleschuk, M. P. Kisseluk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 385-391. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
9.

Veleschuk V. P. 
Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures / V. P. Veleschuk, O. V. Lyashenko, Z. K. Vlasenko, M. P. Kysselyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 79-83. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

It was shown that in the GaAsP/GaP and InGaN/GaN heterostructures during current passage redistribution of electroluminescence intensity on the structure surface takes place simultaneously with radiation of acoustic emission. Local (on surface area) fluctuations of electroluminescence intensity are observed together with general degradation of electro-physical parameters.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Lyashenko O. V. 
Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures / O. V. Lyashenko, A. I. Vlasenko, V. P. Veleschuk, M. P. Kisseluk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 3. - С. 326-329. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В333.7

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
11.

Veleschuk V. P. 
Relaxation of active acoustic emission sources during the natural aging of $E bold roman {A sup 3 B sup 5} epitaxial structures / V. P. Veleschuk, O. V. Lyashenko // Functional Materials. - 2004. - 11, № 2. - С. 350-352. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3 + В376.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Kravtsov M. V. 
Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals / M. V. Kravtsov, O. V. Lyashenko, A. P. Onanko // Functional Materials. - 2004. - 11, № 2. - С. 353-355. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Досліджено кореляцію залежностей параметрів акустичної емісії й амплітуди комбінаційної сумарної гармоніки двох зустрічних ультразвукових хвиль великої амплітуди у монокристалах LiF. Дана кореляція пов'язується з релаксацією структури дефектів у полі ультразвукової хвилі.


Індекс рубрикатора НБУВ: К233.502.1 + В379.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
13.

Lyashenko O. V. 
Acoustic emission method for investigation of functional materials / O. V. Lyashenko, M. V. Kravtsov, V. P. Veleschuk // Functional Materials. - 2004. - 11, № 3. - С. 630-633. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

Проаналізовано експериментальні результати під час дослідження акустичної емісії (АЕ) в разі динамічного та статичного впливу. Показано, що порогове виникнення АЕ супроводжується тимчасовими або постійними змінами в залежностях характеристик і властивостей функціональних матеріалів (ФМ) від величини даного впливу. Ці зміни можна пояснити прискоренням процесів релаксації та деградації, що супроводжують виникнення АЕ під час перебудови структури у локальних ділянках ФМ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ж3-1с32

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Kravtsov M. V. 
Acoustic emission caused by mechanical stress relaxation at oscillations of piezo-dielectric plates / M. V. Kravtsov, O. V. Lyashenko // Functional Materials. - 2005. - 12, № 1. - С. 133-135. - Бібліогр.: 2 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В251.630.35

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
15.

Lyashenko O. 
Economic security of enterprise: genesis, system, performance and value / O. Lyashenko // Стратегіч. пріоритети. Сер. Економіка. - 2015. - № 4. - С. 37-47. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

The author's position is as follows: the economic security of the enterprise is the result of controlled processes of achieving management objectives of economic security, providing entry into a certain extent of its economic freedom within existing objective and subjective limitations. The principal position in the assessment of economic security is to identify not only quantitative traits degree of economic freedom defined by the results of the calculation values of the degree of economic freedom, but also the qualitative features of such measures. Until now, the world science has not found units of economic security. The author managed to partially overcome this problem. Purpose. The emergence of new skilled knowledge related to the formation of multidisciplinary system management paradigm of economic security, should be at the intersection of different fields, forming a coherent picture of the patterns and relationships of the management processes in the system of economic security, which conditions of functioning have significant objective and subjective limitations. Conceptualizing Security as a form of entity, based on the postulates of the theory of a gradual process, possible to explain the genesis of the economic security of the enterprise and to clarify the definition of "economic security of the enterprise," which, in contrast to the most common understanding of how security against threats interpreted as a result ofcontrolled processes to achieve management objectives of the economic security of the company that provides entry of its economic freedom into certain extent within existing objective and subjective limitations. Conclusions. given that the main purpose of system of the economic security of the enterprise is to achieve its economic freedom, the work has been suggested: the economic enterprise management security is a specific object that belongs to a partially controlled class. Results verify this hypothesis, the requirement for precise manageability term of economic security of enterprise, living conditions and establish its extent.


Індекс рубрикатора НБУВ: У9(4Укр)0-995 + У50-995

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж25775 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
16.

Neyezhmakov P. I. 
Increasing the measurement accuracy of wide-aperture photometer based on digital camera = Підвищення точності широкоапертурного фотометра на основі цифрової камери / P. I. Neyezhmakov, O. M. Lyashenko, E. P. Tymofeiev, O. D. Kupko, A. S. Litvinenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2019. - 11, № 3. - С. 03029-1 - 03029-6. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27 + В342.8

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 


 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського