Пошуковий запит: (<.>A=Ptashchenko F$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17
|
|
| | |
|
1. |
Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in Ip - nD-junctions on GaP / O. O. Ptashchenko, O. S. Artemenko, M. L. Dmytruk, N. V. Masleyeva, F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 97-100. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
2. |
Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon IBp - nD junctions = Вплив парів аміаку на поверхневий струм у кремнієвих Ip - nD переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 89-92. - Библиогр.: 6 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З843.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
3. |
Ptashchenko F. O. Effect of ammonia vapors on surface currents in InGaN IBp - nD junctions = Вплив парів аміаку на поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі InGaN / F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 113-116. - Библиогр.: 4 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
4. |
Ptashchenko O. O. Effect of sulphur atoms on surface current in GaAs IBp - nD junctions = Вплив атомів сірки на поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 36-39. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
5. |
Ptashchenko F. O. Characteristics of silicon transistors as GaS sensors = Характеристики кремнієвих транзисторів як газових сенсорів / F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника. - 2010. - Вып. 19. - С. 18-21. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
6. |
Ptashchenko O. O. Effect of ambient atmosphere on the surface current in silicon IBp - nD junctions = Вплив навколишньої атмосфери на поверхневий струм у кремнієвих Ip - nD переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 28-32. - Библиогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
7. |
Ptashchenko F. O. Negative sensitivity of silicon IBp - nD junctions as gas sensors = Негативна чутливість кремнієвих Ip - nD переходів як газових сенсорів / F. O. Ptashchenko, O. O. Ptashchenko, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2011. - Вып. 20. - С. 44-48. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
8. |
Ptashchenko O. O. Surface current in GaAs IBp - nD junctions, passivated by sulphur atoms = Поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі GaAs, пасивованих атомами сірки / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 115-117. - Библиогр.: 6 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
9. |
Ptashchenko O. O. Tunnel surface current in GaAs - AlGaAs IBp - nD junctions, due to ammonia molecules adsorption = Тунельний поверхневий струм в Ip - nD переходах на основі GaAs - AlGaAs, обумовлений адсорбцією молекул аміаку / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 95-98. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
10. |
Ptashchenko O. O. Effect of ammonia vapors on the breakdown characteristics of Si and GaAs IBp - nD junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2012. - Вып. 21. - С. 127-131. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В333.78
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
11. |
Ptashchenko O. O. Tunnel surface current in GaAs p - n junctions induced by ammonia molecules adsorption / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2013. - Вып. 22. - С. 38-42. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
12. |
Ptashchenko O. O. Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions = Вплив глибоких центрів на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2014. - Вып. 23. - С. 106-111. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Досліджено кінетику поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs після їх вміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонним. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазірівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку надав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206, 0,185 і 0,176 еВ від c-зони. В інтервалі глибин 0,185 - 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
13. |
Ptashchenko O. O. Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions = Вплив парів води на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25. - С. 126-131. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
14. |
Ptashchenko F. Long-range interaction between psubb/sub-centers and NOsub2/sub molecules adsorbed on the silicon surface = Дальнодіюча взаємодія між psubb/sub-центрами та молекулами NOsub2/sub, адсорбованими на поверхні кремнію / F. Ptashchenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03019-1-03019-7. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
15. |
Ptashchenko F. Effect of long-range passivation of impurity atoms by surface dangling bonds on the conductivity of porous silicon = Вплив далекодіючої пасивації домішкових атомів поверхневими обірваними зв'язками на провідність поруватого кремнію / F. Ptashchenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2019. - 11, № 2. - С. 02016-1-02016-8. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271в641
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
16. |
Ptashchenko F. DFT-modeling of ammonia molecules protonation on a p-type silicon surface = DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію p-типу / F. Ptashchenko // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 5. - С. 05024-1-05024-4. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 в641
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
17. |
Ptashchenko F. Mechanisms of changing the conductivity of porous silicon in an ammonia atmosphere - DFT modeling = Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку - DFT моделювання / F. Ptashchenko // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 3. - С. 03008-1-03008-7. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|