Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Пошуковий запит: (<.>A=Ptashchenko F$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17

Категорія:

Ptashchenko O. O.
Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in Ip - nD-junctions on GaP / O. O. Ptashchenko, O. S. Artemenko, M. L. Dmytruk, N. V. Masleyeva, F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 97-100. - Библиогр.: 8 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06

Рубрики:
Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko O. O.
Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon IBp - nD junctions = Вплив парів аміаку на поверхневий струм у кремнієвих Ip - nD переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 89-92. - Библиогр.: 6 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З843.312

Рубрики:
Поверхневі явища в напівпровідниках
Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko F. O.
Effect of ammonia vapors on surface currents in InGaN IBp - nD junctions = Вплив парів аміаку на поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі InGaN / F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 113-116. - Библиогр.: 4 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:
Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko O. O.
Effect of sulphur atoms on surface current in GaAs IBp - nD junctions = Вплив атомів сірки на поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 36-39. - Библиогр.: 8 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:
р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko F. O.
Characteristics of silicon transistors as GaS sensors = Характеристики кремнієвих транзисторів як газових сенсорів / F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника. - 2010. - Вып. 19. - С. 18-21. - Библиогр.: 11 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01

Рубрики:
Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko O. O.
Effect of ambient atmosphere on the surface current in silicon IBp - nD junctions = Вплив навколишньої атмосфери на поверхневий струм у кремнієвих Ip - nD переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 28-32. - Библиогр.: 10 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:
р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko F. O.
Negative sensitivity of silicon IBp - nD junctions as gas sensors = Негативна чутливість кремнієвих Ip - nD переходів як газових сенсорів / F. O. Ptashchenko, O. O. Ptashchenko, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2011. - Вып. 20. - С. 44-48. - Библиогр.: 11 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:
р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko O. O.
Surface current in GaAs IBp - nD junctions, passivated by sulphur atoms = Поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі GaAs, пасивованих атомами сірки / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 115-117. - Библиогр.: 6 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ptashchenko O. O.
Tunnel surface current in GaAs - AlGaAs IBp - nD junctions, due to ammonia molecules adsorption = Тунельний поверхневий струм в Ip - nD переходах на основі GaAs - AlGaAs, обумовлений адсорбцією молекул аміаку / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 95-98. - Библиогр.: 11 назв. - англ.

Категорія:

10.

Ptashchenko O. O.
Effect of ammonia vapors on the breakdown characteristics of Si and GaAs IBp - nD junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2012. - Вып. 21. - С. 127-131. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В333.78

Рубрики:
Фізика напівпровідників
Електричний пробій рідин. Електричний розряд в рідинах

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Ptashchenko O. O.
Tunnel surface current in GaAs p - n junctions induced by ammonia molecules adsorption / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2013. - Вып. 22. - С. 38-42. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Ptashchenko O. O.
Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions = Вплив глибоких центрів на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2014. - Вып. 23. - С. 106-111. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

Досліджено кінетику поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs після їх вміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонним. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазірівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку надав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206, 0,185 і 0,176 еВ від c-зони. В інтервалі глибин 0,185 - 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.271.21

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

р-n переходи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Ptashchenko O. O.
Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions = Вплив парів води на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25. - С. 126-131. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222

Рубрики:
Напівпровідникові матеріали та вироби
Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Ptashchenko F.
Long-range interaction between psubb/sub-centers and NOsub2/sub molecules adsorbed on the silicon surface = Дальнодіюча взаємодія між psubb/sub-центрами та молекулами NOsub2/sub, адсорбованими на поверхні кремнію / F. Ptashchenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03019-1-03019-7. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Ptashchenko F.
Effect of long-range passivation of impurity atoms by surface dangling bonds on the conductivity of porous silicon = Вплив далекодіючої пасивації домішкових атомів поверхневими обірваними зв'язками на провідність поруватого кремнію / F. Ptashchenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2019. - 11, № 2. - С. 02016-1-02016-8. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271в641

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Ptashchenko F.
DFT-modeling of ammonia molecules protonation on a p-type silicon surface = DFT-моделювання протонування молекул аміаку на поверхні кремнію p-типу / F. Ptashchenko // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 5. - С. 05024-1-05024-4. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 в641

Рубрики:
Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Ptashchenko F.
Mechanisms of changing the conductivity of porous silicon in an ammonia atmosphere - DFT modeling = Механізми зміни провідності поруватого кремнію в атмосфері аміаку - DFT моделювання / F. Ptashchenko // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 3. - С. 03008-1-03008-7. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.