Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Ptashchenko O$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 14
Представлено документи з 1 до 14

      
Категорія:    
1.

Ptashchenko O. O. 
Effect of ammonia vapors on the surface morphology and surface current in Ip - nD-junctions on GaP / O. O. Ptashchenko, O. S. Artemenko, M. L. Dmytruk, N. V. Masleyeva, F. O. Ptashchenko // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 97-100. - Библиогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Ptashchenko O. O. 
Effect of ammonia vapors on the surface current in silicon IBp - nD junctions = Вплив парів аміаку на поверхневий струм у кремнієвих Ip - nD переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 89-92. - Библиогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З843.312

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Ptashchenko O. O. 
Effect of sulphur atoms on surface current in GaAs IBp - nD junctions = Вплив атомів сірки на поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 36-39. - Библиогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Ptashchenko O. O. 
Effect of ambient atmosphere on the surface current in silicon IBp - nD junctions = Вплив навколишньої атмосфери на поверхневий струм у кремнієвих Ip - nD переходах / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, O. V. Yemets // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 28-32. - Библиогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Ptashchenko F. O. 
Negative sensitivity of silicon IBp - nD junctions as gas sensors = Негативна чутливість кремнієвих Ip - nD переходів як газових сенсорів / F. O. Ptashchenko, O. O. Ptashchenko, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2011. - Вып. 20. - С. 44-48. - Библиогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
6.

Doycho I. K. 
Porous glasses with CdS inclusions luminescence kinetics peculiarities = Особливості кінетики люмінесценції шпаристого скла з вкрапленнями CdS / I. K. Doycho, S. A. Gevelyuk, O. O. Ptashchenko, E. Rysiakiewicz-Pasek, S. O. Zhukov // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 43-47. - Библиогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.394

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Ptashchenko O. O. 
Surface current in GaAs IBp - nD junctions, passivated by sulphur atoms = Поверхневий струм у Ip - nD переходах на основі GaAs, пасивованих атомами сірки / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, N. V. Masleyeva, O. V. Bogdan // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 115-117. - Библиогр.: 6 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Ptashchenko O. O. 
Tunnel surface current in GaAs - AlGaAs IBp - nD junctions, due to ammonia molecules adsorption = Тунельний поверхневий струм в Ip - nD переходах на основі GaAs - AlGaAs, обумовлений адсорбцією молекул аміаку / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. V. Shugarova // Фотоэлектроника. - 2009. - Вып. 18. - С. 95-98. - Библиогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
9.

Ptashchenko O. O. 
Effect of ammonia vapors on the breakdown characteristics of Si and GaAs IBp - nD junctions / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova, G. V. Dovganyuk // Фотоэлектроника. - 2012. - Вып. 21. - С. 127-131. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В333.78

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
10.

Ptashchenko O. O. 
Tunnel surface current in GaAs p - n junctions induced by ammonia molecules adsorption / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2013. - Вып. 22. - С. 38-42. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
11.

Ptashchenko O. O. 
Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions = Вплив глибоких центрів на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2014. - Вып. 23. - С. 106-111. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

Досліджено кінетику поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs після їх вміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонним. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазірівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p - n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку надав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206, 0,185 і 0,176 еВ від c-зони. В інтервалі глибин 0,185 - 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + В379.271.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Ptashchenko O. O. 
Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions = Вплив парів води на кінетику поверхневого струму, індукованого адсорбцією молекул аміаку в p - n переходах на основі GaAs / O. O. Ptashchenko, F. O. Ptashchenko, V. R. Gilmutdinova // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25. - С. 126-131. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
13.

Naumik-Gladka K. G. 
Relationship of competitiveness of entrepreneurship and internet-marketing = Взаємозв'язок конкурентоспроможності підприємництва та інтернет-маркетингу / K. G. Naumik-Gladka, O. V. Ptashchenko // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2016. - № 848. - С. 109-115. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.

Проаналізовано сучасний стан формування інформаційної економіки в Україні, зроблено обгрунтовані висновки щодо розгляду наданого питання. Виокремлено взаємозв'язок розвитку інформаційного простору з появою новітніх комунікаційних інструментів у маркетингу. Таким комунікаційним інструментом сьогодні є інтернет-маркетинг. Інтернет-маркетинг передусім надає споживачеві можливість одержати інформацію про товари. Будь-який потенційний споживач може, використовуючи Інтернет, одержати інформацію про товар, а також купити його. Хоча, якщо там не буде інформації про один товар, або він її не знайде, то, швидше за все він придбає інший товар у конкурента. Застосування методів інтернет-маркетингу націлене на економію коштів (на заробітній платі працівників відділів продажів і на рекламі), а також на розширення діяльності компаній (перехід із локального ринку на національний і міжнародний ринок).


Індекс рубрикатора НБУВ: У9(4УКР)0-131.1-211.1 + У50-131.1-211.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Ptashchenko O. O. 
Viktor Oleksiyovich Presnov and his main contribution to physics of semiconductors and electronic technique (to 100-th anniversary of his birthday) / O. O. Ptashchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 1. - С. 105. - англ.

The name of Viktor Oleksiyovich Presnov is tightly bound with investigations of properties inherent to glass and electrovacuum ceramics, especially with his studying aimed at the nature of mechanically hard and vacuum-tight coupling of glass and ceramics with metal. The obtained results served as a basis of his doctor thesis "Investigations for physics of seal". These investigations were the first wide generalization in the world practice, which was devoted to the nature of such coupling between heterogeneous materials. It enabled to solve the problem to create metal-ceramic radio valves for the microwave range.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 д(4УКР)

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського