Індекс рубрикатора НБУВ: З854-06

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.39 + В379.2

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали за консистенцією

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З843.3

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено монокристали ZnS, ZnSe, ZnTe, леговані залізом і нікелем. Дифузійне легування виконано з металевого нікелю та порошкоподібного заліза в атмосфері гелію та аргону. Досліджено спектри оптичної густини в області енергій 2 - 3,8 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначено концентрації нікелю та заліза в досліджуваних кристалах. Показано, що легування нікелем і залізом призводить до виникнення смуг поглинання в видимій області спектра. Дифузійний профіль домішок нікелю та заліза визначено шляхом вимірювання відносної оптичної густини кристалів у видимій області спектра. Розраховано коефіцієнти дифузії нікелю та заліза в кристалах ZnS, ZnSe, ZnTe за температур 1020 - 1320 K.

ZnSe single crystals with diffusion doping of Mn have been investigated. Absorption, luminescence and photoconductivity of ZnSe:Mn crystals have been studied and analyzed in the visible region of the spectrum. Concentration of Mn impurity was estimated from absorption edge. The electron transition scheme in ZnSe:Mn was proposed.

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.221

Рубрики:

Домішки. Дислокації

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + З854.216

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Телурові фотоопори

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3 + В375.147

Рубрики:

Кристалічний стан твердого тіла

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто вплив домішок кобальту на спектри оптичного поглинання та фотопровідності кристалів селеніду цинку. На підставі результатів оптичних та електрофізичних досліджень представлено схему електронних переходів у досліджуваних кристалах.

Досліджено монокристали ZnS:Ni, одержані методом дифузійного легування нікелем. Дифузія здійснювалася з металічного шару нікелю в атмосфері гелію та аргону. Досліджено спектри оптичної густини в області 3,8 - 0,3 еВ. За величиною зсуву краю поглинання визначено концентрацію нікелю в кристалах, що досліджувалися. Ідентифіковано спектри оптичного поглинання і люмінесценції кристалів ZnS:Ni.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.256

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Дифузія і самодифузія в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.24

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Колоїдні наночастинки ZnSe:Al синтезовано в органічній полімерній матриці. Досліджено оптичне поглинання та довгохвильову фотолюмінесценцію. За зсувом ширини забороненої зони визначено середній розмір наночастинок. Визначено природу випромінювальних переходів.

Нанокристали CdSe, леговані нікелем, отримано в водній фазі з додаванням желатину як зв'язувального агенту. Структурні властивості досліджено за допомогою дифракції рентгенівських променів, сканувальної електронної мікроскопії, видимого поглинання та фотолюмінесцентної спектроскопії. Визначено вплив концентрації компонентів та технологічних параметрів на середній розмір нанокристалів і досліджено їх властивості.

Нанокристали сульфіду цинку, легованого залізом, отримано шляхом колоїдного синтезу з використанням желатину, лактози або полівінілового спирту як стабілізуючої матриці. Структуру нанокристалів визначено за допомогою рентгенівської дифракції. Вивчено вплив концентраційного ефекту на розмір і властивості нанокристалів ZnS, спектри оптичного поглинання і фотолюмінесценції; визначено типи оптичних переходів у даних нанокристалах.

Нанокристали сульфіду цинку, легованого залізом, отримано шляхом колоїдного синтезу з використанням желатину, лактози або полівінілового спирту як стабілізуючої матриці. Структуру нанокристалів визначено за допомогою рентгенівської дифракції. Вивчено вплив концентраційного ефекту на розмір і властивості нанокристалів ZnS, спектри оптичного поглинання і фотолюмінесценції; визначено типи оптичних переходів у даних нанокристалах.

Досліджено спектри фотопровідності нанокристалів ZnSe, нанесених на пластинки пористого кремнію і пластинки з наностовбчиками кремнію. Після нанесення нанокристалів ZnSe у спектрах фотопровідності por-Si з'являється серія ліній у видимій області спектра. Високоенергетична лінія фотопровідності зумовлена зона-зонними переходами у наночастинках ZnSe. Решта 5 ліній фотопровідності зумовлена переходами за участю асоціативних донорно-акцепторних центрів, до складу яких входять як власні дефекти, так і неконтрольовані домішкові дефекти.